ONSEMI

NXH200T120H3Q2F2STNG

制造商: ONSEMI
分类: 微电路 / 多芯片组件(MCM)
数据:

简介: 硅/碳化硅模块,T型NPC逆变器

状态: 量产中 Compliance: Pb A H P Configuration: Split T-Type VBR Max (V): 1200 Rated Current (A): 200 VCE(sat) Typ (V): 1.86 VF Typ (V): 1.5 Package Type: Q2 MSL Type: NA MSL Temp (°C): 0 ON Target: No 参考价格: $107.5596

NXH240B120H3Q1PG

制造商: ONSEMI
分类: 微电路 / 多芯片组件(MCM)
数据:

简介: 电源集成模块 (PIM) 3 沟道,1200 V IGBT + SiC 升压,80 A IGBT 和 20 A SiC 二极管

状态: 量产中 Compliance: Pb A H P Configuration: 3 Channel Boost VBR Max (V): 1200 Rated Current (A): 80 VCE(sat) Typ (V): 1.65 VF Typ (V): 1.48 Package Type: Q1 MSL Type: NA MSL Temp (°C): 0 ON Target: Yes 参考价格: $66.9859

NXH240B120H3Q1SG

制造商: ONSEMI
分类: 微电路 / 多芯片组件(MCM)
数据:

简介: 电源集成模块 (PIM) 3 沟道,1200 V IGBT + SiC 升压,80 A IGBT 和 20 A SiC 二极管

状态: 已停产 Compliance: Pb A H P Configuration: 3 Channel Boost VBR Max (V): 1200 Rated Current (A): 80 VCE(sat) Typ (V): 1.65 VF Typ (V): 1.48 Package Type: Q1 MSL Type: NA MSL Temp (°C): - ON Target: No 参考价格: Price N/A

NXH240B120H3Q1P1G

制造商: ONSEMI
分类: 微电路 / 多芯片组件(MCM)
数据:

简介: 硅/碳化硅功率集成模块(PIM),三通道升压

状态: Active, Not Rec Compliance: Pb A H P Configuration: Triple VBR Max (V): 1200 Rated Current (A): 92 VCE(sat) Typ (V): 2 VF Typ (V): 1.46 Package Type: Q1 MSL Type: NA MSL Temp (°C): 0 ON Target: No 参考价格: $79.1279

NXH240B120H3Q1S1G

制造商: ONSEMI
分类: 微电路 / 多芯片组件(MCM)
数据:

简介: 硅/碳化硅功率集成模块(PIM),三通道升压

状态: Active, Not Rec Compliance: Pb A H P Configuration: Triple VBR Max (V): 1200 Rated Current (A): 92 VCE(sat) Typ (V): 2 VF Typ (V): 1.46 Package Type: Q1 MSL Type: NA MSL Temp (°C): 0 ON Target: No 参考价格: $83.8287

NXH300B100H4Q2F2SG

制造商: ONSEMI
分类: 微电路 / 多芯片组件(MCM)
数据:

简介: 硅/碳化硅模块,三通道飞行电容器升压1000V 100A IGBT,1200V 30A碳化硅二极管

状态: 量产中 Compliance: Pb A H P Configuration: with Schottky Diode VBR Max (V): 1000 Rated Current (A): 100 VCE(sat) Typ (V): 1.8 VF Typ (V): 1.42 Package Type: Q2 MSL Type: NA MSL Temp (°C): 0 ON Target: No 参考价格: $111.933

NXH300B100H4Q2F2PG

制造商: ONSEMI
分类: 微电路 / 多芯片组件(MCM)
数据:

简介: 硅/碳化硅模块,三通道飞行电容器升压1000V 100A IGBT,1200V 30A碳化硅二极管

状态: 量产中 Compliance: Pb A H P Configuration: with Schottky Diode VBR Max (V): 1000 Rated Current (A): 100 VCE(sat) Typ (V): 1.8 VF Typ (V): 1.42 Package Type: Q2 MSL Type: NA MSL Temp (°C): 0 ON Target: No 参考价格: $124.2572
状态: 已停产 Compliance: Pb A H P Configuration: I-Type NPC Inverter VBR Max (V): 1000 Rated Current (A): 350 VCE(sat) Typ (V): 1.45 VF Typ (V): 2.03 Package Type: Q2 MSL Type: NA MSL Temp (°C): 0 ON Target: No 参考价格: Price N/A
状态: 已停产 Compliance: Pb A H P Configuration: I-Type NPC Inverter VBR Max (V): 1000 Rated Current (A): 350 VCE(sat) Typ (V): 1.45 VF Typ (V): 2.03 Package Type: Q2 MSL Type: NA MSL Temp (°C): 0 ON Target: No 参考价格: Price N/A

NXH350N100H4Q2F2S1G

制造商: ONSEMI
分类: 微电路 / 多芯片组件(MCM)
数据:

简介: 硅/碳化硅混合模块 – EliteSiC,I型NPC 1000V 350A IGBT,1200V 100A碳化硅二极管,Q2封装

状态: 量产中 Compliance: Pb A H P Configuration: I-Type VBR Max (V): 1000 Rated Current (A): 375 VCE(sat) Typ (V): 1.63 VF Typ (V): 1.5 Package Type: Q2 MSL Type: NA MSL Temp (°C): 0 ON Target: No 参考价格: $142.1392