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TAIWAN SEMICONDUCTOR CORPORATION

ES1GLRUG

制造商: TAIWAN SEMICONDUCTOR CORPORATION
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 整流二极管及组件
数据:

简介: 二极管 400 V 1A 表面贴装型 Sub SMA

技术: 标准 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: 400 V 电流 - 平均整流 (Io): 1A 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.3 V @ 1 A 速度: 快速恢复 = 200mA（Io） 反向恢复时间 (trr): 35 ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 5 µA @ 400 V 不同 Vr、F 时电容: 8pF @ 1V，1MHz 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: DO-219AB 供应商器件封装: Sub SMA 工作温度 - 结: -55°C ~ 150°C

ES1GLHR3G

制造商: TAIWAN SEMICONDUCTOR CORPORATION
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 整流二极管及组件
数据:

简介: 二极管 400 V 1A 表面贴装型 Sub SMA

技术: 标准 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: 400 V 电流 - 平均整流 (Io): 1A 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.3 V @ 1 A 速度: 快速恢复 = 200mA（Io） 反向恢复时间 (trr): 35 ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 5 µA @ 400 V 不同 Vr、F 时电容: 8pF @ 4V，1MHz 等级: 汽车级 资质: AEC-Q101 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: DO-219AB 供应商器件封装: Sub SMA 工作温度 - 结: -55°C ~ 150°C

BZT52B13RHG

制造商: TAIWAN SEMICONDUCTOR CORPORATION
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 电压调整二极管
数据:

简介: 二极管 - 齐纳 13 V 500 mW ±2% 表面贴装型 SOD-123F

电压 - 齐纳（标称值）(Vz): 13 V 容差: ±2% 功率 - 最大值: 500 mW 阻抗（最大值）(Zzt): 30 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 90 nA @ 8 V 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1 V @ 10 mA 工作温度: 150°C（TJ） 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: SOD-123F 供应商器件封装: SOD-123F

BZT52B13SR9G

制造商: TAIWAN SEMICONDUCTOR CORPORATION
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 电压调整二极管
数据:

简介: 二极管 - 齐纳 13 V 200 mW ±2% 表面贴装型 SOD-323F

电压 - 齐纳（标称值）(Vz): 13 V 容差: ±2% 功率 - 最大值: 200 mW 阻抗（最大值）(Zzt): 30 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 90 nA @ 8 V 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1 V @ 10 mA 工作温度: -65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: SC-90，SOD-323F 供应商器件封装: SOD-323F

BZT52B13-GRHG

制造商: TAIWAN SEMICONDUCTOR CORPORATION
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 电压调整二极管
数据:

简介: 二极管 - 齐纳 13 V 410 mW ±2% 表面贴装型 SOD-123

电压 - 齐纳（标称值）(Vz): 13 V 容差: ±2% 功率 - 最大值: 410 mW 阻抗（最大值）(Zzt): 30 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 100 nA @ 8 V 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 900 mV @ 10 mA 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: SOD-123 供应商器件封装: SOD-123

BZT52B13SHRRG

制造商: TAIWAN SEMICONDUCTOR CORPORATION
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 电压调整二极管
数据:

简介: 二极管 - 齐纳 13 V 200 mW ±2% 表面贴装型 SOD-323

电压 - 齐纳（标称值）(Vz): 13 V 容差: ±2% 功率 - 最大值: 200 mW 阻抗（最大值）(Zzt): 30 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 100 nA @ 8 V 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 900 mV @ 10 mA 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 等级: 汽车级 资质: AEC-Q101 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: SC-76，SOD-323 供应商器件封装: SOD-323

BZT52B13

制造商: TAIWAN SEMICONDUCTOR CORPORATION
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 电压调整二极管
数据:

简介: 二极管 - 齐纳 13 V 500 mW ±2% 表面贴装型 SOD-123F

电压 - 齐纳（标称值）(Vz): 13 V 容差: ±2% 功率 - 最大值: 500 mW 阻抗（最大值）(Zzt): 30 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 90 nA @ 8 V 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1 V @ 10 mA 工作温度: 150°C（TJ） 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: SOD-123F 供应商器件封装: SOD-123F

BZT52B13S

制造商: TAIWAN SEMICONDUCTOR CORPORATION
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 电压调整二极管
数据:

简介: 二极管 - 齐纳 13 V 200 mW ±2% 表面贴装型 SOD-323F

电压 - 齐纳（标称值）(Vz): 13 V 容差: ±2% 功率 - 最大值: 200 mW 阻抗（最大值）(Zzt): 30 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 90 nA @ 8 V 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1 V @ 10 mA 工作温度: -65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: SC-90，SOD-323F 供应商器件封装: SOD-323F

BZT52B13-G

制造商: TAIWAN SEMICONDUCTOR CORPORATION
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 电压调整二极管
数据:

简介: 二极管 - 齐纳 13 V 410 mW ±2% 表面贴装型 SOD-123

电压 - 齐纳（标称值）(Vz): 13 V 容差: ±2% 功率 - 最大值: 410 mW 阻抗（最大值）(Zzt): 30 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 100 nA @ 8 V 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 900 mV @ 10 mA 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: SOD-123 供应商器件封装: SOD-123

SMBJ28CA

制造商: TAIWAN SEMICONDUCTOR CORPORATION
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 瞬态抑制二极管
数据:

简介: 45.4V 夹子 13.3A Ipp TVS - 二极管 表面贴装型 DO-214AA（SMB）

类型: - 双向通道: 1 电压 - 反向断态（典型值）: 28V 电压 - 击穿（最小值）: 31.1V 不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值）: 45.4V 电流 - 峰值脉冲 (10/1000µs): 13.3A 功率 - 峰值脉冲: 600W 电源线路保护: 是 应用: 通用 不同频率时电容: - 工作温度: -55°C ~ 150°C 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: DO-214AA，SMB 供应商器件封装: DO-214AA（SMB）