FET 类型: N 通道 技术: MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）: 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 160mA（Ta） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 5 欧姆 @ 160mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 2.5V @ 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 2 nC @ 10 V Vgs（最大值）: ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 30 pF @ 50 V FET 功能: - 功率耗散（最大值）: 298mW（Ta） 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 等级: - 资质: - 安装类型: 表面贴装型 供应商器件封装: SOT-323 封装/外壳: SC-70，SOT-323

类型: - 双向通道: 1 电压 - 反向断态（典型值）: 14V 电压 - 击穿（最小值）: 15.6V 不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值）: 23.2V 电流 - 峰值脉冲 (10/1000µs): 25.9A 功率 - 峰值脉冲: 600W 电源线路保护: 是 应用: 通用 不同频率时电容: - 工作温度: -55°C ~ 150°C 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: DO-214AA，SMB 供应商器件封装: DO-214AA（SMB）

类型: 齐纳 双向通道: 1 电压 - 反向断态（典型值）: 14V 电压 - 击穿（最小值）: 15.6V 不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值）: 23.2V 电流 - 峰值脉冲 (10/1000µs): 27A 功率 - 峰值脉冲: 600W 电源线路保护: 无 应用: - 不同频率时电容: - 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 等级: 汽车级 资质: AEC-Q101 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: DO-214AA，SMB 供应商器件封装: DO-214AA（SMB）