TAIWAN SEMICONDUCTOR CORPORATION

GBU406

制造商: TAIWAN SEMICONDUCTOR CORPORATION
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 整流二极管及组件
数据:

简介: 桥式整流器单相标准 800 V 通孔 GBU

二极管类型: 单相技术: 标准电压 - 峰值反向（最大值）: 800 V 电流 - 平均整流 (Io): 4 A 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1 V @ 2 A 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 5 µA @ 800 V 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）安装类型: 通孔封装/外壳: 4-SIP，GBU 供应商器件封装: GBU

GBU406-K

制造商: TAIWAN SEMICONDUCTOR CORPORATION
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 整流二极管及组件
数据:

简介: 桥式整流器单相标准 800 V 通孔 GBU

二极管类型: 单相技术: 标准电压 - 峰值反向（最大值）: 800 V 电流 - 平均整流 (Io): 4 A 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.1 V @ 4 A 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 5 µA @ 800 V 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）等级: - 资质: - 安装类型: 通孔封装/外壳: 4-ESIP，GBU 供应商器件封装: GBU

TSM8568CSRLG

制造商: TAIWAN SEMICONDUCTOR CORPORATION
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
数据:

简介: MOSFET - 阵列 30V 15A（Tc），13A（Tc） 6W 表面贴装型 8-SOP

技术: MOSFET（金属氧化物）配置: N 和 P 沟道 FET 功能: - 漏源电压（Vdss）: 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 15A（Tc），13A（Tc）不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 16 毫欧 @ 8A，10V，24 毫欧 @ 7A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 2.5V @ 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 7nC @ 4.5V，11nC @ 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 646pF @ 15V，1089pF @ 15V 功率 - 最大值: 6W 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）安装类型: 表面贴装型封装/外壳: 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）供应商器件封装: 8-SOP

ES1GLW

制造商: TAIWAN SEMICONDUCTOR CORPORATION
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 整流二极管及组件
数据:

简介: 二极管 400 V 1A 表面贴装型 SOD-123W

技术: 标准电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: 400 V 电流 - 平均整流 (Io): 1A 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.3 V @ 1 A 速度: 快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间 (trr): 35 ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 5 µA @ 400 V 不同 Vr、F 时电容: 20pF @ 4V，1MHz 安装类型: 表面贴装型封装/外壳: SOD-123W 供应商器件封装: SOD-123W 工作温度 - 结: -55°C ~ 175°C

ES1GL

制造商: TAIWAN SEMICONDUCTOR CORPORATION
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 整流二极管及组件
数据:

简介: 二极管 400 V 1A 表面贴装型 Sub SMA

技术: 标准电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: 400 V 电流 - 平均整流 (Io): 1A 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.3 V @ 1 A 速度: 快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间 (trr): 35 ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 5 µA @ 400 V 不同 Vr、F 时电容: 8pF @ 4V，1MHz 安装类型: 表面贴装型封装/外壳: DO-219AB 供应商器件封装: Sub SMA 工作温度 - 结: -55°C ~ 150°C

ES1GFL

制造商: TAIWAN SEMICONDUCTOR CORPORATION
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 整流二极管及组件
数据:

简介: 二极管 400 V 1A 表面贴装型 SOD-123F

技术: 标准电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: 400 V 电流 - 平均整流 (Io): 1A 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.3 V @ 1 A 速度: 快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间 (trr): 35 ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 5 µA @ 400 V 不同 Vr、F 时电容: 8pF @ 4V，1MHz 安装类型: 表面贴装型封装/外壳: SOD-123F 供应商器件封装: SOD-123F 工作温度 - 结: -55°C ~ 150°C

ES1G

制造商: TAIWAN SEMICONDUCTOR CORPORATION
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 整流二极管及组件
数据:

简介: 二极管 400 V 1A 表面贴装型 DO-214AC（SMA）

技术: 标准电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: 400 V 电流 - 平均整流 (Io): 1A 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.3 V @ 1 A 速度: 快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间 (trr): 35 ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 5 µA @ 400 V 不同 Vr、F 时电容: 18pF @ 1V，1MHz 安装类型: 表面贴装型封装/外壳: DO-214AC，SMA 供应商器件封装: DO-214AC（SMA）工作温度 - 结: -55°C ~ 150°C

ES1GF-T

制造商: TAIWAN SEMICONDUCTOR CORPORATION
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 整流二极管及组件
数据:

简介: 二极管 400 V 1A 表面贴装型 SMAF

技术: 标准电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: 400 V 电流 - 平均整流 (Io): 1A 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.25 V @ 1 A 速度: 快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间 (trr): 35 ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 5 µA @ 400 V 不同 Vr、F 时电容: 11pF @ 4V，1MHz 安装类型: 表面贴装型封装/外壳: DO-221AC，SMA 扁平引线供应商器件封装: SMAF 工作温度 - 结: -55°C ~ 150°C

ES1GLWH

制造商: TAIWAN SEMICONDUCTOR CORPORATION
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 整流二极管及组件
数据:

简介: 二极管 400 V 1A 表面贴装型 SOD-123W

技术: 标准电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: 400 V 电流 - 平均整流 (Io): 1A 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.3 V @ 1 A 速度: 快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间 (trr): 35 ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 5 µA @ 400 V 不同 Vr、F 时电容: 20pF @ 4V，1MHz 等级: 汽车级资质: AEC-Q101 安装类型: 表面贴装型封装/外壳: SOD-123W 供应商器件封装: SOD-123W 工作温度 - 结: -55°C ~ 175°C

ES1GH

制造商: TAIWAN SEMICONDUCTOR CORPORATION
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 整流二极管及组件
数据:

简介: 二极管 400 V 1A 表面贴装型 DO-214AC（SMA）

技术: 标准电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: 400 V 电流 - 平均整流 (Io): 1A 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.3 V @ 1 A 速度: 快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间 (trr): 35 ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 5 µA @ 400 V 不同 Vr、F 时电容: 16pF @ 4V，1MHz 等级: 汽车级资质: AEC-Q101 安装类型: 表面贴装型封装/外壳: DO-214AC，SMA 供应商器件封装: DO-214AC（SMA）工作温度 - 结: -55°C ~ 150°C