VISHAY GENERAL SEMICONDUCTOR - DIODES DIVISION
BZT52C24-HE3_A-18
制造商: VISHAY GENERAL SEMICONDUCTOR - DIODES DIVISION分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 电压调整二极管
数据:
简介: 二极管 - 齐纳 24 V 300 mW ±5% 表面贴装型 SOD-123
电压 - 齐纳（标称值）(Vz): 24 V
容差: ±5%
功率 - 最大值: 300 mW
阻抗（最大值）(Zzt): 70 Ohms
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 100 nA @ 18 V
工作温度: 150°C（TJ）
等级: 汽车级
资质: AEC-Q101
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: SOD-123
供应商器件封装: SOD-123
SMCJ5.0A-E357T
制造商: VISHAY GENERAL SEMICONDUCTOR - DIODES DIVISION分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 瞬态抑制二极管
数据:
简介: 9.2V 夹子 163A Ipp TVS - 二极管 表面贴装型 DO-214AB（SMCJ）
类型: 齐纳
单向通道: 1
电压 - 反向断态（典型值）: 5V
电压 - 击穿（最小值）: 6.4V
不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值）: 9.2V
电流 - 峰值脉冲 (10/1000µs): 163A
功率 - 峰值脉冲: 1500W（1.5kW）
电源线路保护: 无
应用: 通用
不同频率时电容: -
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: DO-214AB，SMC
供应商器件封装: DO-214AB（SMCJ）
SMCJ5.0AHE3_AH
制造商: VISHAY GENERAL SEMICONDUCTOR - DIODES DIVISION分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 瞬态抑制二极管
数据:
简介: 9.2V 夹子 163A Ipp TVS - 二极管 表面贴装型 DO-214AB（SMCJ）
类型: 齐纳
单向通道: 1
电压 - 反向断态（典型值）: 5V
电压 - 击穿（最小值）: 6.4V
不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值）: 9.2V
电流 - 峰值脉冲 (10/1000µs): 163A
功率 - 峰值脉冲: 1500W（1.5kW）
电源线路保护: 无
应用: -
不同频率时电容: -
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
等级: 汽车级
资质: AEC-Q101
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: DO-214AB，SMC
供应商器件封装: DO-214AB（SMCJ）
SMCJ5.0A-E39AT
制造商: VISHAY GENERAL SEMICONDUCTOR - DIODES DIVISION分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 瞬态抑制二极管
数据:
简介: 9.2V 夹子 163A Ipp TVS - 二极管 表面贴装型 DO-214AB（SMCJ）
类型: 齐纳
单向通道: 1
电压 - 反向断态（典型值）: 5V
电压 - 击穿（最小值）: 6.4V
不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值）: 9.2V
电流 - 峰值脉冲 (10/1000µs): 163A
功率 - 峰值脉冲: 1500W（1.5kW）
电源线路保护: 无
应用: 通用
不同频率时电容: -
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: DO-214AB，SMC
供应商器件封装: DO-214AB（SMCJ）
SMCJ5.0AHM3_AH
制造商: VISHAY GENERAL SEMICONDUCTOR - DIODES DIVISION分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 瞬态抑制二极管
数据:
简介: 9.2V 夹子 163A Ipp TVS - 二极管 表面贴装型 DO-214AB（SMC）
类型: 齐纳
单向通道: 1
电压 - 反向断态（典型值）: 5V
电压 - 击穿（最小值）: 6.4V
不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值）: 9.2V
电流 - 峰值脉冲 (10/1000µs): 163A
功率 - 峰值脉冲: 1500W（1.5kW）
电源线路保护: 无
应用: 电信
不同频率时电容: -
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
等级: 汽车级
资质: AEC-Q101
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: DO-214AB，SMC
供应商器件封装: DO-214AB（SMC）
SMCJ5.0A-M39AT
制造商: VISHAY GENERAL SEMICONDUCTOR - DIODES DIVISION分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 瞬态抑制二极管
数据:
简介: 9.2V 夹子 163A Ipp TVS - 二极管 表面贴装型 DO-214AB（SMC）
类型: 齐纳
单向通道: 1
电压 - 反向断态（典型值）: 5V
电压 - 击穿（最小值）: 6.4V
不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值）: 9.2V
电流 - 峰值脉冲 (10/1000µs): 163A
功率 - 峰值脉冲: 1500W（1.5kW）
电源线路保护: 无
应用: 通用
不同频率时电容: -
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: DO-214AB，SMC
供应商器件封装: DO-214AB（SMC）
SMCJ5.0A-M357T
制造商: VISHAY GENERAL SEMICONDUCTOR - DIODES DIVISION分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 瞬态抑制二极管
数据:
简介: 9.2V 夹子 163A Ipp TVS - 二极管 表面贴装型 DO-214AB（SMC）
类型: 齐纳
单向通道: 1
电压 - 反向断态（典型值）: 5V
电压 - 击穿（最小值）: 6.4V
不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值）: 9.2V
电流 - 峰值脉冲 (10/1000µs): 163A
功率 - 峰值脉冲: 1500W（1.5kW）
电源线路保护: 无
应用: 通用
不同频率时电容: -
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: DO-214AB，SMC
供应商器件封装: DO-214AB（SMC）
SMCJ5.0AHE3_AI
制造商: VISHAY GENERAL SEMICONDUCTOR - DIODES DIVISION分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 瞬态抑制二极管
数据:
简介: 9.2V 夹子 163A Ipp TVS - 二极管 表面贴装型 DO-214AB（SMCJ）
类型: 齐纳
单向通道: 1
电压 - 反向断态（典型值）: 5V
电压 - 击穿（最小值）: 6.4V
不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值）: 9.2V
电流 - 峰值脉冲 (10/1000µs): 163A
功率 - 峰值脉冲: 1500W（1.5kW）
电源线路保护: 无
应用: -
不同频率时电容: -
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
等级: 汽车级
资质: AEC-Q101
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: DO-214AB，SMC
供应商器件封装: DO-214AB（SMCJ）
SMCJ5.0AHM3_AI
制造商: VISHAY GENERAL SEMICONDUCTOR - DIODES DIVISION分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 瞬态抑制二极管
数据:
简介: 9.2V 夹子 163A Ipp TVS - 二极管 表面贴装型 DO-214AB（SMC）
类型: 齐纳
单向通道: 1
电压 - 反向断态（典型值）: 5V
电压 - 击穿（最小值）: 6.4V
不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值）: 9.2V
电流 - 峰值脉冲 (10/1000µs): 163A
功率 - 峰值脉冲: 1500W（1.5kW）
电源线路保护: 无
应用: 电信
不同频率时电容: -
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
等级: 汽车级
资质: AEC-Q101
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: DO-214AB，SMC
供应商器件封装: DO-214AB（SMC）
SM8S33AHM3I
制造商: VISHAY GENERAL SEMICONDUCTOR - DIODES DIVISION分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 瞬态抑制二极管
数据:
简介: 53.3V 夹子 124A Ipp TVS - 二极管 表面贴装型 DO-218AC
类型: 齐纳
单向通道: 1
电压 - 反向断态（典型值）: 33V
电压 - 击穿（最小值）: 36.7V
不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值）: 53.3V
电流 - 峰值脉冲 (10/1000µs): 124A
功率 - 峰值脉冲: 6600W（6.6kW）
电源线路保护: 无
应用: -
不同频率时电容: -
工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ）
等级: 汽车级
资质: AEC-Q101
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: DO-218AC
供应商器件封装: DO-218AC