VISHAY GENERAL SEMICONDUCTOR - DIODES DIVISION

SM6T18CA-E35B

制造商: VISHAY GENERAL SEMICONDUCTOR - DIODES DIVISION
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 瞬态抑制二极管
数据:

简介: 25.2V 夹子 24A Ipp TVS - 二极管表面贴装型 DO-214AA（SMBJ）

类型: 齐纳双向通道: 1 电压 - 反向断态（典型值）: 15.3V 电压 - 击穿（最小值）: 17.1V 不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值）: 25.2V 电流 - 峰值脉冲 (10/1000µs): 24A 功率 - 峰值脉冲: 600W 电源线路保护: 无应用: 通用不同频率时电容: - 工作温度: -65°C ~ 150°C（TJ）安装类型: 表面贴装型封装/外壳: DO-214AA，SMB 供应商器件封装: DO-214AA（SMBJ）

SMBJ90CD-M3H

制造商: VISHAY GENERAL SEMICONDUCTOR - DIODES DIVISION
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 瞬态抑制二极管
数据:

简介: 144V 夹子 4.17A Ipp TVS - 二极管表面贴装型 DO-214AA（SMBJ）

类型: 齐纳双向通道: 1 电压 - 反向断态（典型值）: 90V 电压 - 击穿（最小值）: 102V 不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值）: 144V 电流 - 峰值脉冲 (10/1000µs): 4.17A 功率 - 峰值脉冲: 600W 电源线路保护: 无应用: 通用不同频率时电容: - 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）安装类型: 表面贴装型封装/外壳: DO-214AA，SMB 供应商器件封装: DO-214AA（SMBJ）

P6SMB18CAHE3_AH

制造商: VISHAY GENERAL SEMICONDUCTOR - DIODES DIVISION
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 瞬态抑制二极管
数据:

简介: 25.2V 夹子 23.8A Ipp TVS - 二极管表面贴装型 DO-214AA（SMBJ）

类型: 齐纳双向通道: 1 电压 - 反向断态（典型值）: 15.3V 电压 - 击穿（最小值）: 17.1V 不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值）: 25.2V 电流 - 峰值脉冲 (10/1000µs): 23.8A 功率 - 峰值脉冲: 600W 电源线路保护: 无应用: - 不同频率时电容: - 工作温度: -65°C ~ 150°C（TJ）等级: 汽车级资质: AEC-Q101 安装类型: 表面贴装型封装/外壳: DO-214AA，SMB 供应商器件封装: DO-214AA（SMBJ）

SMBJ15D-M3H

制造商: VISHAY GENERAL SEMICONDUCTOR - DIODES DIVISION
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 瞬态抑制二极管
数据:

简介: 24V 夹子 25A Ipp TVS - 二极管表面贴装型 DO-214AA（SMBJ）

类型: 齐纳单向通道: 1 电压 - 反向断态（典型值）: 15V 电压 - 击穿（最小值）: 17V 不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值）: 24V 电流 - 峰值脉冲 (10/1000µs): 25A 功率 - 峰值脉冲: 600W 电源线路保护: 无应用: 通用不同频率时电容: - 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）安装类型: 表面贴装型封装/外壳: DO-214AA，SMB 供应商器件封装: DO-214AA（SMBJ）

P6SMB18A-E352

制造商: VISHAY GENERAL SEMICONDUCTOR - DIODES DIVISION
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 瞬态抑制二极管
数据:

简介: 25.2V 夹子 23.8A Ipp TVS - 二极管表面贴装型 DO-214AA（SMBJ）

类型: 齐纳单向通道: 1 电压 - 反向断态（典型值）: 15.3V 电压 - 击穿（最小值）: 17.1V 不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值）: 25.2V 电流 - 峰值脉冲 (10/1000µs): 23.8A 功率 - 峰值脉冲: 600W 电源线路保护: 无应用: 通用不同频率时电容: - 工作温度: -65°C ~ 150°C（TJ）安装类型: 表面贴装型封装/外壳: DO-214AA，SMB 供应商器件封装: DO-214AA（SMBJ）

SMBJ16A-E35B

制造商: VISHAY GENERAL SEMICONDUCTOR - DIODES DIVISION
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 瞬态抑制二极管
数据:

简介: 26V 夹子 23.1A Ipp TVS - 二极管表面贴装型 DO-214AA（SMBJ）

类型: 齐纳单向通道: 1 电压 - 反向断态（典型值）: 16V 电压 - 击穿（最小值）: 17.8V 不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值）: 26V 电流 - 峰值脉冲 (10/1000µs): 23.1A 功率 - 峰值脉冲: 600W 电源线路保护: 无应用: 通用不同频率时电容: - 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）安装类型: 表面贴装型封装/外壳: DO-214AA，SMB 供应商器件封装: DO-214AA（SMBJ）

SMBJ10A-E35B

制造商: VISHAY GENERAL SEMICONDUCTOR - DIODES DIVISION
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 瞬态抑制二极管
数据:

简介: 17V 夹子 35.3A Ipp TVS - 二极管表面贴装型 DO-214AA（SMBJ）

类型: 齐纳单向通道: 1 电压 - 反向断态（典型值）: 10V 电压 - 击穿（最小值）: 11.1V 不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值）: 17V 电流 - 峰值脉冲 (10/1000µs): 35.3A 功率 - 峰值脉冲: 600W 电源线路保护: 无应用: 通用不同频率时电容: - 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）安装类型: 表面贴装型封装/外壳: DO-214AA，SMB 供应商器件封装: DO-214AA（SMBJ）

SMBJ17A-E35B

制造商: VISHAY GENERAL SEMICONDUCTOR - DIODES DIVISION
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 瞬态抑制二极管
数据:

简介: 27.6V 夹子 21.7A Ipp TVS - 二极管表面贴装型 DO-214AA（SMBJ）

类型: 齐纳单向通道: 1 电压 - 反向断态（典型值）: 17V 电压 - 击穿（最小值）: 18.9V 不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值）: 27.6V 电流 - 峰值脉冲 (10/1000µs): 21.7A 功率 - 峰值脉冲: 600W 电源线路保护: 无应用: 通用不同频率时电容: - 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）安装类型: 表面贴装型封装/外壳: DO-214AA，SMB 供应商器件封装: DO-214AA（SMBJ）

SMBJ17CA-E35B

制造商: VISHAY GENERAL SEMICONDUCTOR - DIODES DIVISION
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 瞬态抑制二极管
数据:

简介: 27.6V 夹子 21.7A Ipp TVS - 二极管表面贴装型 DO-214AA（SMBJ）

类型: 齐纳双向通道: 1 电压 - 反向断态（典型值）: 17V 电压 - 击穿（最小值）: 18.9V 不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值）: 27.6V 电流 - 峰值脉冲 (10/1000µs): 21.7A 功率 - 峰值脉冲: 600W 电源线路保护: 无应用: 通用不同频率时电容: - 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）安装类型: 表面贴装型封装/外壳: DO-214AA，SMB 供应商器件封装: DO-214AA（SMBJ）

P6SMB18A-E35B

制造商: VISHAY GENERAL SEMICONDUCTOR - DIODES DIVISION
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 瞬态抑制二极管
数据:

简介: 25.2V 夹子 23.8A Ipp TVS - 二极管表面贴装型 DO-214AA（SMBJ）