VISHAY GENERAL SEMICONDUCTOR - DIODES DIVISION

技术: 标准 电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): 200 V 电流 - 平均整流 (Io): 1A 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.1 V @ 1 A 速度: 标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间 (trr): 2 µs 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 5 µA @ 200 V 不同 Vr、F 时电容: 8pF @ 4V,1MHz 安装类型: 通孔 封装/外壳: DO-204AL,DO-41,轴向 供应商器件封装: DO-204AL(DO-41) 工作温度 - 结: -65°C ~ 175°C
技术: 标准 电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): 200 V 电流 - 平均整流 (Io): 1A 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.1 V @ 1 A 速度: 标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间 (trr): 2 µs 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 5 µA @ 200 V 不同 Vr、F 时电容: 8pF @ 4V,1MHz 安装类型: 通孔 封装/外壳: DO-204AL,DO-41,轴向 供应商器件封装: DO-204AL(DO-41) 工作温度 - 结: -65°C ~ 175°C
技术: 标准 电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): 200 V 电流 - 平均整流 (Io): 1A 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.1 V @ 1 A 速度: 标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 5 µA @ 200 V 不同 Vr、F 时电容: 15pF @ 4V,1MHz 安装类型: 通孔 封装/外壳: DO-204AL,DO-41,轴向 供应商器件封装: DO-204AL(DO-41) 工作温度 - 结: -55°C ~ 150°C
技术: 标准 电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): 200 V 电流 - 平均整流 (Io): 1A 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.1 V @ 1 A 速度: 标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间 (trr): 2 µs 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 5 µA @ 200 V 不同 Vr、F 时电容: 8pF @ 4V,1MHz 安装类型: 通孔 封装/外壳: DO-204AL,DO-41,轴向 供应商器件封装: DO-204AL(DO-41) 工作温度 - 结: -65°C ~ 175°C
技术: 标准 电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): 200 V 电流 - 平均整流 (Io): 1A 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.1 V @ 1 A 速度: 标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间 (trr): 2 µs 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 5 µA @ 200 V 不同 Vr、F 时电容: 8pF @ 4V,1MHz 安装类型: 通孔 封装/外壳: DO-204AL,DO-41,轴向 供应商器件封装: DO-204AL(DO-41) 工作温度 - 结: -65°C ~ 175°C

SMCJ33CA-E357T

制造商: VISHAY GENERAL SEMICONDUCTOR - DIODES DIVISION
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 瞬态抑制二极管
数据:

简介: 53.3V 夹子 28.1A Ipp TVS - 二极管 表面贴装型 DO-214AB(SMCJ)

类型: 齐纳 双向通道: 1 电压 - 反向断态(典型值): 33V 电压 - 击穿(最小值): 36.7V 不同 Ipp 时电压 - 箝位(最大值): 53.3V 电流 - 峰值脉冲 (10/1000µs): 28.1A 功率 - 峰值脉冲: 1500W(1.5kW) 电源线路保护: 无 应用: 通用 不同频率时电容: - 工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: DO-214AB,SMC 供应商器件封装: DO-214AB(SMCJ)

SMCJ33CA-E39AT

制造商: VISHAY GENERAL SEMICONDUCTOR - DIODES DIVISION
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 瞬态抑制二极管
数据:

简介: 53.3V 夹子 28.1A Ipp TVS - 二极管 表面贴装型 DO-214AB(SMCJ)

类型: 齐纳 双向通道: 1 电压 - 反向断态(典型值): 33V 电压 - 击穿(最小值): 36.7V 不同 Ipp 时电压 - 箝位(最大值): 53.3V 电流 - 峰值脉冲 (10/1000µs): 28.1A 功率 - 峰值脉冲: 1500W(1.5kW) 电源线路保护: 无 应用: 通用 不同频率时电容: - 工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: DO-214AB,SMC 供应商器件封装: DO-214AB(SMCJ)

SMCJ33CAHE3_AH

制造商: VISHAY GENERAL SEMICONDUCTOR - DIODES DIVISION
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 瞬态抑制二极管
数据:

简介: 53.3V 夹子 28.1A Ipp TVS - 二极管 表面贴装型 DO-214AB(SMCJ)

类型: 齐纳 双向通道: 1 电压 - 反向断态(典型值): 33V 电压 - 击穿(最小值): 36.7V 不同 Ipp 时电压 - 箝位(最大值): 53.3V 电流 - 峰值脉冲 (10/1000µs): 28.1A 功率 - 峰值脉冲: 1500W(1.5kW) 电源线路保护: 无 应用: - 不同频率时电容: - 工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ) 等级: 汽车级 资质: AEC-Q101 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: DO-214AB,SMC 供应商器件封装: DO-214AB(SMCJ)

SMCJ33CAHM3_AH

制造商: VISHAY GENERAL SEMICONDUCTOR - DIODES DIVISION
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 瞬态抑制二极管
数据:

简介: 53.3V 夹子 28.1A Ipp TVS - 二极管 表面贴装型 DO-214AB(SMC)

类型: 齐纳 双向通道: 1 电压 - 反向断态(典型值): 33V 电压 - 击穿(最小值): 36.7V 不同 Ipp 时电压 - 箝位(最大值): 53.3V 电流 - 峰值脉冲 (10/1000µs): 28.1A 功率 - 峰值脉冲: 1500W(1.5kW) 电源线路保护: 无 应用: 电信 不同频率时电容: - 工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ) 等级: 汽车级 资质: AEC-Q101 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: DO-214AB,SMC 供应商器件封装: DO-214AB(SMC)

SMCJ33CA-M39AT

制造商: VISHAY GENERAL SEMICONDUCTOR - DIODES DIVISION
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 瞬态抑制二极管
数据:

简介: 53.3V 夹子 28.1A Ipp TVS - 二极管 表面贴装型 DO-214AB(SMC)

类型: 齐纳 双向通道: 1 电压 - 反向断态(典型值): 33V 电压 - 击穿(最小值): 36.7V 不同 Ipp 时电压 - 箝位(最大值): 53.3V 电流 - 峰值脉冲 (10/1000µs): 28.1A 功率 - 峰值脉冲: 1500W(1.5kW) 电源线路保护: 无 应用: 通用 不同频率时电容: - 工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: DO-214AB,SMC 供应商器件封装: DO-214AB(SMC)