VISHAY GENERAL SEMICONDUCTOR - DIODES DIVISION

SMCJ26AHM3_AH

制造商: VISHAY GENERAL SEMICONDUCTOR - DIODES DIVISION
分类:
数据:

简介: 42.1V 夹子 35.6A Ipp TVS - 二极管 表面贴装型 DO-214AB(SMC)

类型: 齐纳 单向通道: 1 电压 - 反向断态(典型值): 26V 电压 - 击穿(最小值): 28.9V 不同 Ipp 时电压 - 箝位(最大值): 42.1V 电流 - 峰值脉冲 (10/1000µs): 35.6A 功率 - 峰值脉冲: 1500W(1.5kW) 电源线路保护: 无 应用: 电信 不同频率时电容: - 工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ) 等级: 汽车级 资质: AEC-Q101 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: DO-214AB,SMC 供应商器件封装: DO-214AB(SMC)

SMCJ24CAHE3_AI

制造商: VISHAY GENERAL SEMICONDUCTOR - DIODES DIVISION
分类:
数据:

简介: 38.9V 夹子 38.6A Ipp TVS - 二极管 表面贴装型 DO-214AB(SMCJ)

类型: 齐纳 双向通道: 1 电压 - 反向断态(典型值): 24V 电压 - 击穿(最小值): 26.7V 不同 Ipp 时电压 - 箝位(最大值): 38.9V 电流 - 峰值脉冲 (10/1000µs): 38.6A 功率 - 峰值脉冲: 1500W(1.5kW) 电源线路保护: 无 应用: - 不同频率时电容: - 工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ) 等级: 汽车级 资质: AEC-Q101 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: DO-214AB,SMC 供应商器件封装: DO-214AB(SMCJ)

SMCJ16CAHE3_AH

制造商: VISHAY GENERAL SEMICONDUCTOR - DIODES DIVISION
分类:
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简介: 26V 夹子 57.7A Ipp TVS - 二极管 表面贴装型 DO-214AB(SMCJ)

类型: 齐纳 双向通道: 1 电压 - 反向断态(典型值): 16V 电压 - 击穿(最小值): 17.8V 不同 Ipp 时电压 - 箝位(最大值): 26V 电流 - 峰值脉冲 (10/1000µs): 57.7A 功率 - 峰值脉冲: 1500W(1.5kW) 电源线路保护: 无 应用: - 不同频率时电容: - 工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ) 等级: 汽车级 资质: AEC-Q101 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: DO-214AB,SMC 供应商器件封装: DO-214AB(SMCJ)

SMCJ24CAHE3_AH

制造商: VISHAY GENERAL SEMICONDUCTOR - DIODES DIVISION
分类:
数据:

简介: 38.9V 夹子 38.6A Ipp TVS - 二极管 表面贴装型 DO-214AB(SMCJ)

类型: 齐纳 双向通道: 1 电压 - 反向断态(典型值): 24V 电压 - 击穿(最小值): 26.7V 不同 Ipp 时电压 - 箝位(最大值): 38.9V 电流 - 峰值脉冲 (10/1000µs): 38.6A 功率 - 峰值脉冲: 1500W(1.5kW) 电源线路保护: 无 应用: - 不同频率时电容: - 工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ) 等级: 汽车级 资质: AEC-Q101 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: DO-214AB,SMC 供应商器件封装: DO-214AB(SMCJ)

3KASMC26AHM3_BH

制造商: VISHAY GENERAL SEMICONDUCTOR - DIODES DIVISION
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简介: 42.1V 夹子 71.3A Ipp TVS - 二极管 表面贴装型 DO-214AB(SMCJ)

类型: 齐纳 单向通道: 1 电压 - 反向断态(典型值): 26V 电压 - 击穿(最小值): 28.9V 不同 Ipp 时电压 - 箝位(最大值): 42.1V 电流 - 峰值脉冲 (10/1000µs): 71.3A 功率 - 峰值脉冲: 3000W(3kW) 电源线路保护: 无 应用: - 不同频率时电容: - 工作温度: -65°C ~ 185°C(TJ) 等级: 汽车级 资质: AEC-Q101 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: DO-214AB,SMC 供应商器件封装: DO-214AB(SMCJ)

SMC5K16AHM3_AH

制造商: VISHAY GENERAL SEMICONDUCTOR - DIODES DIVISION
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简介: 26V 夹子 192.3A Ipp TVS - 二极管 表面贴装型 DO-214AB(SMCJ)

类型: 齐纳 单向通道: 1 电压 - 反向断态(典型值): 16V 电压 - 击穿(最小值): 17.8V 不同 Ipp 时电压 - 箝位(最大值): 26V 电流 - 峰值脉冲 (10/1000µs): 192.3A 功率 - 峰值脉冲: 5000W(5kW) 电源线路保护: 无 应用: - 不同频率时电容: - 工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ) 等级: 汽车级 资质: AEC-Q101 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: DO-214AB,SMC 供应商器件封装: DO-214AB(SMCJ)

SMC5K16A-M3H

制造商: VISHAY GENERAL SEMICONDUCTOR - DIODES DIVISION
分类:
数据:

简介: 26V 夹子 192.3A Ipp TVS - 二极管 表面贴装型 DO-214AB(SMCJ)

类型: 齐纳 单向通道: 1 电压 - 反向断态(典型值): 16V 电压 - 击穿(最小值): 17.8V 不同 Ipp 时电压 - 箝位(最大值): 26V 电流 - 峰值脉冲 (10/1000µs): 192.3A 功率 - 峰值脉冲: 5000W(5kW) 电源线路保护: 无 应用: 通用 不同频率时电容: - 工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: DO-214AB,SMC 供应商器件封装: DO-214AB(SMCJ)

SMC5K16A-M3I

制造商: VISHAY GENERAL SEMICONDUCTOR - DIODES DIVISION
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数据:

简介: 26V 夹子 192.3A Ipp TVS - 二极管 表面贴装型 DO-214AB(SMCJ)

类型: 齐纳 单向通道: 1 电压 - 反向断态(典型值): 16V 电压 - 击穿(最小值): 17.8V 不同 Ipp 时电压 - 箝位(最大值): 26V 电流 - 峰值脉冲 (10/1000µs): 192.3A 功率 - 峰值脉冲: 5000W(5kW) 电源线路保护: 无 应用: 通用 不同频率时电容: - 工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: DO-214AB,SMC 供应商器件封装: DO-214AB(SMCJ)

SMC3K26CAHM357

制造商: VISHAY GENERAL SEMICONDUCTOR - DIODES DIVISION
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简介: 42.1V 夹子 71.3A Ipp TVS - 二极管 表面贴装型 DO-214AB(SMCJ)

类型: 齐纳 双向通道: 1 电压 - 反向断态(典型值): 26V 电压 - 击穿(最小值): 28.9V 不同 Ipp 时电压 - 箝位(最大值): 42.1V 电流 - 峰值脉冲 (10/1000µs): 71.3A 功率 - 峰值脉冲: 3000W(3kW) 电源线路保护: 无 应用: - 不同频率时电容: - 工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ) 等级: 汽车级 资质: AEC-Q101 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: DO-214AB,SMC 供应商器件封装: DO-214AB(SMCJ)

ZMY68-GS08

制造商: VISHAY GENERAL SEMICONDUCTOR - DIODES DIVISION
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简介: 二极管 - 齐纳 68 V 1 W ±5% 表面贴装型 DO-213AB

电压 - 齐纳(标称值)(Vz): 68 V 容差: ±5% 功率 - 最大值: 1 W 阻抗(最大值)(Zzt): 130 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 500 nA @ 51 V 工作温度: 175°C 等级: 汽车级 资质: AEC-Q101 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: DO-213AB,MELF(玻璃) 供应商器件封装: DO-213AB