DIOTEC SEMICONDUCTOR
BZT52C12
制造商: DIOTEC SEMICONDUCTOR分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 电压调整二极管
数据:
简介: 二极管 - 齐纳 12 V 500 mW ±5% 表面贴装型 SOD-123F
电压 - 齐纳(标称值)(Vz): 12 V
容差: ±5%
功率 - 最大值: 500 mW
阻抗(最大值)(Zzt): 35 Ohms
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 100 nA @ 9 V
工作温度: -50°C ~ 150°C(TJ)
等级: -
资质: -
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: SOD-123F
供应商器件封装: SOD-123F
BZT52C12GW
制造商: DIOTEC SEMICONDUCTOR分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 电压调整二极管
数据:
简介: 二极管 - 齐纳 12 V 350 mW ±5% 表面贴装型 SOD-123
电压 - 齐纳(标称值)(Vz): 12 V
容差: ±5%
功率 - 最大值: 350 mW
阻抗(最大值)(Zzt): 25 Ohms
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 100 nA @ 8 V
工作温度: -50°C ~ 150°C(TJ)
等级: -
资质: -
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: SOD-123
供应商器件封装: SOD-123
BZT52C12-AQ
制造商: DIOTEC SEMICONDUCTOR分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 电压调整二极管
数据:
简介: 二极管 - 齐纳 12 V 500 mW ±5% 表面贴装型 SOD-123F
电压 - 齐纳(标称值)(Vz): 12 V
容差: ±5%
功率 - 最大值: 500 mW
阻抗(最大值)(Zzt): 35 Ohms
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 100 nA @ 9 V
工作温度: -50°C ~ 150°C(TJ)
等级: 汽车级
资质: AEC-Q101
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: SOD-123F
供应商器件封装: SOD-123F
MMBT2222A
制造商: DIOTEC SEMICONDUCTOR分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 双极型晶体管
数据:
简介: 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 NPN 40 V 600 mA 250MHz 250 mW 表面贴装型 SOT-23(TO-236)
晶体管类型: NPN
电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 600 mA
电压 - 集射极击穿(最大值): 40 V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 1V @ 50mA,500mA
电流 - 集电极截止(最大值): 10nA(ICBO)
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 100 @ 150mA,10V
功率 - 最大值: 250 mW
频率 - 跃迁: 250MHz
工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供应商器件封装: SOT-23(TO-236)
MMBT2222A-AQ
制造商: DIOTEC SEMICONDUCTOR分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 双极型晶体管
数据:
简介: 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 NPN 40 V 600 mA 250MHz 250 mW 表面贴装型 SOT-23(TO-236)
晶体管类型: NPN
电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 600 mA
电压 - 集射极击穿(最大值): 40 V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 1V @ 50mA,500mA
电流 - 集电极截止(最大值): 10nA(ICBO)
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 100 @ 150mA,10V
功率 - 最大值: 250 mW
频率 - 跃迁: 250MHz
工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)
等级: 汽车级
资质: AEC-Q101
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供应商器件封装: SOT-23(TO-236)
BZT52C3V3GW
制造商: DIOTEC SEMICONDUCTOR分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 电压调整二极管
数据:
简介: 二极管 - 齐纳 3.14 V 350 mW ±5% 表面贴装型 SOD-123
电压 - 齐纳(标称值)(Vz): 3.14 V
容差: ±5%
功率 - 最大值: 350 mW
阻抗(最大值)(Zzt): 95 Ohms
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 5 µA @ 1 V
工作温度: -50°C ~ 150°C(TJ)
等级: -
资质: -
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: SOD-123
供应商器件封装: SOD-123
BZT52C3V3-AQ
制造商: DIOTEC SEMICONDUCTOR分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 电压调整二极管
数据:
简介: 二极管 - 齐纳 3.3 V 500 mW ±5% 表面贴装型 SOD-123F
电压 - 齐纳(标称值)(Vz): 3.3 V
容差: ±5%
功率 - 最大值: 500 mW
阻抗(最大值)(Zzt): 130 Ohms
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 20 µA @ 1 V
工作温度: -50°C ~ 150°C(TJ)
等级: 汽车级
资质: AEC-Q101
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: SOD-123F
供应商器件封装: SOD-123F