GOOD-ARK SEMICONDUCTOR
GDB5819WS
制造商: GOOD-ARK SEMICONDUCTOR分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 整流二极管及组件
数据:
简介: 二极管 40 V 1A 表面贴装型 SOD-323
技术: 肖特基
电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): 40 V
电流 - 平均整流 (Io): 1A
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 600 mV @ 1 A
速度: 快速恢复 = 200mA(Io)
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 1 mA @ 30 V
不同 Vr、F 时电容: 120pF @ 4V,1MHz
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: SC-76,SOD-323
供应商器件封装: SOD-323
工作温度 - 结: -65°C ~ 125°C
B5819W
制造商: GOOD-ARK SEMICONDUCTOR分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 整流二极管及组件
数据:
简介: 二极管 40 V 1A 表面贴装型 SOD-123
技术: 肖特基
电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): 40 V
电流 - 平均整流 (Io): 1A
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 550 mV @ 1 A
速度: 快速恢复 = 200mA(Io)
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 1 mA @ 40 V
不同 Vr、F 时电容: 120pF @ 4V,1MHz
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: SOD-123
供应商器件封装: SOD-123
工作温度 - 结: 150°C
P6KE51CA
制造商: GOOD-ARK SEMICONDUCTOR分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 瞬态抑制二极管
数据:
简介: 70.1V 夹子 8.6A Ipp TVS - 二极管 通孔 DO-204AC(DO-15)
类型: 齐纳
双向通道: 1
电压 - 反向断态(典型值): 43.6V
电压 - 击穿(最小值): 48.5V
不同 Ipp 时电压 - 箝位(最大值): 70.1V
电流 - 峰值脉冲 (10/1000µs): 8.6A
功率 - 峰值脉冲: 600W
电源线路保护: 无
应用: 通用
不同频率时电容: -
工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)
等级: -
资质: -
安装类型: 通孔
封装/外壳: DO-204AC,DO-15,轴向
供应商器件封装: DO-204AC(DO-15)
SMBJ5.0CA
制造商: GOOD-ARK SEMICONDUCTOR分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 瞬态抑制二极管
数据:
简介: 9.2V 夹子 65.2A Ipp TVS - 二极管 表面贴装型 DO-214AA(SMB)
类型: 齐纳
双向通道: 1
电压 - 反向断态(典型值): 5V
电压 - 击穿(最小值): 6.4V
不同 Ipp 时电压 - 箝位(最大值): 9.2V
电流 - 峰值脉冲 (10/1000µs): 65.2A
功率 - 峰值脉冲: 600W
电源线路保护: 无
应用: 通用
不同频率时电容: -
工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: DO-214AA,SMB
供应商器件封装: DO-214AA(SMB)
SMBJ51CA
制造商: GOOD-ARK SEMICONDUCTOR分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 瞬态抑制二极管
数据:
简介: 82.4V 夹子 7.3A Ipp TVS - 二极管 表面贴装型 DO-214AA(SMB)
类型: 齐纳
双向通道: 1
电压 - 反向断态(典型值): 51V
电压 - 击穿(最小值): 56.7V
不同 Ipp 时电压 - 箝位(最大值): 82.4V
电流 - 峰值脉冲 (10/1000µs): 7.3A
功率 - 峰值脉冲: 600W
电源线路保护: 无
应用: 通用
不同频率时电容: -
工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: DO-214AA,SMB
供应商器件封装: DO-214AA(SMB)
类型: 齐纳
单向通道: 1
电压 - 反向断态(典型值): 30V
电压 - 击穿(最小值): 33.3V
不同 Ipp 时电压 - 箝位(最大值): 48.4V
电流 - 峰值脉冲 (10/1000µs): 8.3A
功率 - 峰值脉冲: 400W
电源线路保护: 无
应用: 通用
不同频率时电容: -
工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: DO-214AC,SMA
供应商器件封装: DO-214AC(SMA)
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 190mA(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 5 欧姆 @ 150mA, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 0.74 nC @ 10 V
Vgs(最大值): ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 31.6 pF @ 50 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 300mW(Ta)
工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)
等级: -
资质: -
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: SOT-23
封装/外壳: TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
类型: 齐纳
单向通道: 1
电压 - 反向断态(典型值): 15V
电压 - 击穿(最小值): 16.7V
不同 Ipp 时电压 - 箝位(最大值): 24.4V
电流 - 峰值脉冲 (10/1000µs): 16.4A
功率 - 峰值脉冲: 400W
电源线路保护: 无
应用: 通用
不同频率时电容: -
工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)
等级: -
资质: -
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: DO-214AC,SMA
供应商器件封装: DO-214AC(SMA)
类型: 齐纳
双向通道: 1
电压 - 反向断态(典型值): 51V
电压 - 击穿(最小值): 56.7V
不同 Ipp 时电压 - 箝位(最大值): 82.4V
电流 - 峰值脉冲 (10/1000µs): 18.2A
功率 - 峰值脉冲: 1500W(1.5kW)
电源线路保护: 无
应用: 通用
不同频率时电容: -
工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: DO-214AB,SMC
供应商器件封装: DO-214AB(SMC)
BAS40-04
制造商: GOOD-ARK SEMICONDUCTOR分类:
数据:
简介: 二极管阵列 1 对串行连接 40 V 200mA 表面贴装型 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
二极管配置: 1 对串行连接
技术: 肖特基
电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): 40 V
电流 - 平均整流 (Io)(每二极管): 200mA
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1 V @ 40 mA
速度: 小信号 =< 200mA(Io),任意速度
反向恢复时间 (trr): 5 ns
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 200 nA @ 30 V
工作温度 - 结: -55°C ~ 125°C
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供应商器件封装: SOT-23