类型: 齐纳 双向通道: 1 电压 - 反向断态（典型值）: 10V 电压 - 击穿（最小值）: 11.1V 不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值）: 17V 电流 - 峰值脉冲 (10/1000µs): 35.3A 功率 - 峰值脉冲: 600W 电源线路保护: 无 应用: 通用 不同频率时电容: - 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: DO-214AA，SMB 供应商器件封装: DO-214AA（SMB）

类型: 齐纳 双向通道: 1 电压 - 反向断态（典型值）: 5V 电压 - 击穿（最小值）: 6.4V 不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值）: 9.2V 电流 - 峰值脉冲 (10/1000µs): 65.2A 功率 - 峰值脉冲: 600W 电源线路保护: 无 应用: 通用 不同频率时电容: - 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 等级: - 资质: - 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: DO-214AA，SMB 供应商器件封装: DO-214AA（SMB）

类型: 齐纳 单向通道: 1 电压 - 反向断态（典型值）: 30V 电压 - 击穿（最小值）: 33.3V 不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值）: 48.4V 电流 - 峰值脉冲 (10/1000µs): 8.3A 功率 - 峰值脉冲: 400W 电源线路保护: 无 应用: 通用 不同频率时电容: - 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: DO-214AC，SMA 供应商器件封装: DO-214AC（SMA）

二极管类型: 单相 技术: 标准 电压 - 峰值反向（最大值）: 1 kV 电流 - 平均整流 (Io): 2 A 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.1 V @ 2 A 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 10 µA @ 1000 V 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: 4-SMD，鸥翼 供应商器件封装: MB-F

FET 类型: N 通道 技术: MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）: 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 150mA 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 6 欧姆 @ 120mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 2.8V @ 1mA Vgs（最大值）: ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 40 pF @ 25 V FET 功能: - 功率耗散（最大值）: 250mW（Ta） 工作温度: 150°C（TJ） 等级: - 资质: - 安装类型: 表面贴装型 供应商器件封装: SOT-23 封装/外壳: TO-236-3，SC-59，SOT-23-3