RS2M-13-F
制造商: DIODES INCORPORATED数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 整流二极管及组件
描述: 二极管 1000 V 1.5A 表面贴装型 SMB
技术: 标准
电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: 1000 V
电流 - 平均整流 (Io): 1.5A
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.3 V @ 1.5 A
速度: 快速恢复 = 200mA（Io）
反向恢复时间 (trr): 500 ns
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 5 µA @ 1000 V
不同 Vr、F 时电容: 30pF @ 4V，1MHz
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: DO-214AA，SMB
供应商器件封装: SMB
工作温度 - 结: -65°C ~ 150°C
RS2MF
制造商: SHENZHEN SLKORMICRO SEMICON CO., LTD.数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 整流二极管及组件
描述: 二极管 1000 V 2A 表面贴装型 SMAF
技术: 标准
电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: 1000 V
电流 - 平均整流 (Io): 2A
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.3 V @ 2 A
速度: 快速恢复 = 200mA（Io）
反向恢复时间 (trr): 500 ns
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 5 µA @ 1000 V
不同 Vr、F 时电容: 22pF @ 4V，1MHz
等级: -
资质: -
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: DO-221AC，SMA 扁平引线
供应商器件封装: SMAF
工作温度 - 结: -55°C ~ 150°C
RS2MFS
制造商: TAIWAN SEMICONDUCTOR CORPORATION数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 整流二极管及组件
描述: 二极管 1000 V 2A 表面贴装型 SOD-128
技术: 标准
电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: 1000 V
电流 - 平均整流 (Io): 2A
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.3 V @ 2 A
速度: 快速恢复 = 200mA（Io）
反向恢复时间 (trr): 500 ns
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 1 µA @ 1000 V
不同 Vr、F 时电容: 10pF @ 4V，1MHz
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: SOD-128
供应商器件封装: SOD-128
工作温度 - 结: -55°C ~ 150°C
技术: 标准
电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: 300 V
电流 - 平均整流 (Io): 2A
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.3 V @ 2 A
速度: 快速恢复 = 200mA（Io）
反向恢复时间 (trr): 65 ns
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 5 µA @ 300 V
不同 Vr、F 时电容: -
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: DO-214AC，SMA
供应商器件封装: SMA
工作温度 - 结: -65°C ~ 175°C
RB540VM-30TE-17
制造商: ROHM SEMICONDUCTOR分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 整流二极管及组件
描述: 二极管 30 V 200mA 表面贴装型 UMD2
技术: 肖特基
电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: 30 V
电流 - 平均整流 (Io): 200mA
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 450 mV @ 10 mA
速度: 小信号 =< 200mA（Io），任意速度
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 500 nA @ 10 V
不同 Vr、F 时电容: -
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: SC-90，SOD-323F
供应商器件封装: UMD2
工作温度 - 结: 150°C（最大）
GBU406
制造商: SMC DIODE SOLUTIONS分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 整流二极管及组件
描述: 桥式整流器 单相 标准 600 V 通孔 GBU
二极管类型: 单相
技术: 标准
电压 - 峰值反向（最大值）: 600 V
电流 - 平均整流 (Io): 4 A
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.1 V @ 4 A
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 5 µA @ 600 V
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型: 通孔
封装/外壳: 4-ESIP
供应商器件封装: GBU
GBU406G
制造商: SMC DIODE SOLUTIONS分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 整流二极管及组件
描述: 桥式整流器 单相 标准 600 V 通孔 GBU
二极管类型: 单相
技术: 标准
电压 - 峰值反向（最大值）: 600 V
电流 - 平均整流 (Io): 4 A
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.1 V @ 4 A
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 5 µA @ 600 V
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型: 通孔
封装/外壳: 4-ESIP
供应商器件封装: GBU
二极管类型: 单相
技术: 标准
电压 - 峰值反向（最大值）: 600 V
电流 - 平均整流 (Io): 4 A
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.1 V @ 2 A
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 5 µA @ 600 V
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
等级: -
资质: -
安装类型: 通孔
封装/外壳: 4-SIP，GBU
供应商器件封装: GBU
GBU406
制造商: TAIWAN SEMICONDUCTOR CORPORATION数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 整流二极管及组件
描述: 桥式整流器 单相 标准 800 V 通孔 GBU
二极管类型: 单相
技术: 标准
电压 - 峰值反向（最大值）: 800 V
电流 - 平均整流 (Io): 4 A
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1 V @ 2 A
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 5 µA @ 800 V
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型: 通孔
封装/外壳: 4-SIP，GBU
供应商器件封装: GBU
GBU406-K
制造商: TAIWAN SEMICONDUCTOR CORPORATION数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 整流二极管及组件
描述: 桥式整流器 单相 标准 800 V 通孔 GBU
二极管类型: 单相
技术: 标准
电压 - 峰值反向（最大值）: 800 V
电流 - 平均整流 (Io): 4 A
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.1 V @ 4 A
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 5 µA @ 800 V
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
等级: -
资质: -
安装类型: 通孔
封装/外壳: 4-ESIP，GBU
供应商器件封装: GBU