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SMBJ28CA-13

制造商: DIODES INCORPORATED
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 瞬态抑制二极管

描述: 45.4V 夹子 13.2A Ipp TVS - 二极管 表面贴装型 SMB

类型: 齐纳 双向通道: 1 电压 - 反向断态（典型值）: 28V 电压 - 击穿（最小值）: 31.1V 不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值）: 45.4V 电流 - 峰值脉冲 (10/1000µs): 13.2A 功率 - 峰值脉冲: 600W 电源线路保护: 无 应用: 通用 不同频率时电容: - 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: DO-214AA，SMB 供应商器件封装: SMB

MSMBJ28CATR

制造商: MICROCHIP TECHNOLOGY
数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 瞬态抑制二极管

描述: 45.4V 夹子 13.2A Ipp TVS - 二极管 表面贴装型 DO-214AA（SMBJ）

类型: 齐纳 双向通道: 1 电压 - 反向断态（典型值）: 28V 电压 - 击穿（最小值）: 31.1V 不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值）: 45.4V 电流 - 峰值脉冲 (10/1000µs): 13.2A 功率 - 峰值脉冲: 600W 电源线路保护: 无 应用: 通用 不同频率时电容: - 工作温度: -65°C ~ 150°C（TJ） 等级: 军用 资质: MIL-PRF-19500 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: DO-214AA，SMB 供应商器件封装: DO-214AA（SMBJ）

MSMBJ28CA

制造商: MICROCHIP TECHNOLOGY
数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 瞬态抑制二极管

描述: 45.4V 夹子 13.2A Ipp TVS - 二极管 表面贴装型 DO-214AA（SMBJ）

类型: 齐纳 双向通道: 1 电压 - 反向断态（典型值）: 28V 电压 - 击穿（最小值）: 31.1V 不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值）: 45.4V 电流 - 峰值脉冲 (10/1000µs): 13.2A 功率 - 峰值脉冲: 600W 电源线路保护: 无 应用: 通用 不同频率时电容: - 工作温度: -65°C ~ 150°C（TJ） 等级: 军用 资质: MIL-PRF-19500 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: DO-214AA，SMB 供应商器件封装: DO-214AA（SMBJ）

MASMBJ28CAE3

制造商: MICROCHIP TECHNOLOGY
数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 瞬态抑制二极管

描述: 45.4V 夹子 13.2A Ipp TVS - 二极管 表面贴装型 DO-214AA（SMBJ）

类型: 齐纳 双向通道: 1 电压 - 反向断态（典型值）: 28V 电压 - 击穿（最小值）: 31.1V 不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值）: 45.4V 电流 - 峰值脉冲 (10/1000µs): 13.2A 功率 - 峰值脉冲: 600W 电源线路保护: 无 应用: 通用 不同频率时电容: - 工作温度: -65°C ~ 150°C（TJ） 等级: 军用 资质: MIL-PRF-19500 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: DO-214AA，SMB 供应商器件封装: DO-214AA（SMBJ）

SMBJ28CA-HRA

制造商: LITTELFUSE INC.
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 瞬态抑制二极管

描述: 45.4V 夹子 13.3A Ipp TVS - 二极管 表面贴装型 DO-214AA（SMBJ）

类型: 齐纳 双向通道: 1 电压 - 反向断态（典型值）: 28V 电压 - 击穿（最小值）: 31.1V 不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值）: 45.4V 电流 - 峰值脉冲 (10/1000µs): 13.3A 功率 - 峰值脉冲: 600W 电源线路保护: 无 应用: 通用 不同频率时电容: - 工作温度: -65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: DO-214AA，SMB 供应商器件封装: DO-214AA（SMBJ）

SMBJ28CA-HR

制造商: LITTELFUSE INC.
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 瞬态抑制二极管

描述: 45.4V 夹子 13.3A Ipp TVS - 二极管 表面贴装型 DO-214AA（SMBJ）

类型: 齐纳 双向通道: 1 电压 - 反向断态（典型值）: 28V 电压 - 击穿（最小值）: 31.1V 不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值）: 45.4V 电流 - 峰值脉冲 (10/1000µs): 13.3A 功率 - 峰值脉冲: 600W 电源线路保护: 无 应用: 通用 不同频率时电容: - 工作温度: -65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: DO-214AA，SMB 供应商器件封装: DO-214AA（SMBJ）

MPLAD15KP8.0A

制造商: MICROCHIP TECHNOLOGY
数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 瞬态抑制二极管

描述: 13.6V 夹子 1101A（1.101kA） Ipp TVS - 二极管 表面贴装型 PLAD

类型: 齐纳 单向通道: 1 电压 - 反向断态（典型值）: 8V 电压 - 击穿（最小值）: 8.89V 不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值）: 13.6V 电流 - 峰值脉冲 (10/1000µs): 1101A（1.101kA） 功率 - 峰值脉冲: 15000W（15kW） 电源线路保护: 无 应用: 通用 不同频率时电容: - 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: 非标准型 SMD 供应商器件封装: PLAD

MPLAD15KP8.0AE3

制造商: MICROCHIP TECHNOLOGY
数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 瞬态抑制二极管

描述: 13.6V 夹子 1101A（1.101kA） Ipp TVS - 二极管 表面贴装型 PLAD

类型: 齐纳 单向通道: 1 电压 - 反向断态（典型值）: 8V 电压 - 击穿（最小值）: 8.89V 不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值）: 13.6V 电流 - 峰值脉冲 (10/1000µs): 1101A（1.101kA） 功率 - 峰值脉冲: 15000W（15kW） 电源线路保护: 无 应用: 通用 不同频率时电容: - 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: 非标准型 SMD 供应商器件封装: PLAD

MPLAD15KP8.0CA

制造商: MICROCHIP TECHNOLOGY
数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 瞬态抑制二极管

描述: 13.6V 夹子 1101A（1.101kA） Ipp TVS - 二极管 表面贴装型 PLAD

类型: 齐纳 双向通道: 1 电压 - 反向断态（典型值）: 8V 电压 - 击穿（最小值）: 8.89V 不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值）: 13.6V 电流 - 峰值脉冲 (10/1000µs): 1101A（1.101kA） 功率 - 峰值脉冲: 15000W（15kW） 电源线路保护: 无 应用: 通用 不同频率时电容: - 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: 非标准型 SMD 供应商器件封装: PLAD

MPLAD15KP8.0CAE3

制造商: MICROCHIP TECHNOLOGY
数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 瞬态抑制二极管

描述: 13.6V 夹子 1101A（1.101kA） Ipp TVS - 二极管 表面贴装型 PLAD

类型: 齐纳 双向通道: 1 电压 - 反向断态（典型值）: 8V 电压 - 击穿（最小值）: 8.89V 不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值）: 13.6V 电流 - 峰值脉冲 (10/1000µs): 1101A（1.101kA） 功率 - 峰值脉冲: 15000W（15kW） 电源线路保护: 无 应用: 通用 不同频率时电容: - 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: 非标准型 SMD 供应商器件封装: PLAD