GBLC03CI-LF-T7

制造商: UMW
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 瞬态抑制二极管

描述: 7V 夹子 1A(8/20µs) Ipp TVS - 二极管 表面贴装型 SOD-323

类型: 齐纳 双向通道: 1 电压 - 反向断态(典型值): 3V 电压 - 击穿(最小值): 4V 不同 Ipp 时电压 - 箝位(最大值): 7V 电流 - 峰值脉冲 (10/1000µs): 1A(8/20µs) 功率 - 峰值脉冲: 250W 电源线路保护: 无 应用: 以太网,USB 不同频率时电容: 0.6pF @ 1MHz 工作温度: -55°C ~ 150°C(TA) 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: SC-76,SOD-323 供应商器件封装: SOD-323

5KP36A-E354

制造商: VISHAY GENERAL SEMICONDUCTOR - DIODES DIVISION
数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 瞬态抑制二极管

描述: 58.1V 夹子 86.1A Ipp TVS - 二极管 通孔 P600

类型: 齐纳 单向通道: 1 电压 - 反向断态(典型值): 36V 电压 - 击穿(最小值): 40V 不同 Ipp 时电压 - 箝位(最大值): 58.1V 电流 - 峰值脉冲 (10/1000µs): 86.1A 功率 - 峰值脉冲: 5000W(5kW) 电源线路保护: 无 应用: 通用 不同频率时电容: - 工作温度: -55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型: 通孔 封装/外壳: P600,轴向 供应商器件封装: P600

5KP36A

制造商: LITTELFUSE INC.
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 瞬态抑制二极管

描述: 58.1V 夹子 87.8A Ipp TVS - 二极管 通孔 P600

类型: 齐纳 单向通道: 1 电压 - 反向断态(典型值): 36V 电压 - 击穿(最小值): 40V 不同 Ipp 时电压 - 箝位(最大值): 58.1V 电流 - 峰值脉冲 (10/1000µs): 87.8A 功率 - 峰值脉冲: 5000W(5kW) 电源线路保护: 无 应用: 通用 不同频率时电容: - 工作温度: -55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型: 通孔 封装/外壳: P600,轴向 供应商器件封装: P600

5KP36A-TP

制造商: MCC (MICRO COMMERCIAL COMPONENTS)
数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 瞬态抑制二极管

描述: 58.1V 夹子 Ipp TVS - 二极管 通孔 R-6

类型: 齐纳 单向通道: 1 电压 - 反向断态(典型值): 36V 电压 - 击穿(最小值): 40V 不同 Ipp 时电压 - 箝位(最大值): 58.1V 电流 - 峰值脉冲 (10/1000µs): - 功率 - 峰值脉冲: 5000W(5kW) 电源线路保护: 无 应用: 通用 不同频率时电容: - 工作温度: -55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型: 通孔 封装/外壳: R-6,轴向 供应商器件封装: R-6

5KP36AB


分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 瞬态抑制二极管

描述: 58.1V 夹子 87.8A Ipp TVS - 二极管 通孔 P600

类型: 齐纳 单向通道: 1 电压 - 反向断态(典型值): 36V 电压 - 击穿(最小值): 40V 不同 Ipp 时电压 - 箝位(最大值): 58.1V 电流 - 峰值脉冲 (10/1000µs): 87.8A 功率 - 峰值脉冲: 5000W(5kW) 电源线路保护: 无 应用: 通用 不同频率时电容: - 工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型: 通孔 封装/外壳: P600,轴向 供应商器件封装: P600

5KP36A

制造商: DIOTEC SEMICONDUCTOR
数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 瞬态抑制二极管

描述: 58.1V 夹子 86A Ipp TVS - 二极管 通孔 P600

类型: 齐纳 单向通道: 1 电压 - 反向断态(典型值): 36V 电压 - 击穿(最小值): 40V 不同 Ipp 时电压 - 箝位(最大值): 58.1V 电流 - 峰值脉冲 (10/1000µs): 86A 功率 - 峰值脉冲: 5000W(5kW) 电源线路保护: 无 应用: 通用 不同频率时电容: - 工作温度: -50°C ~ 175°C(TJ) 等级: - 资质: - 安装类型: 通孔 封装/外壳: P600,轴向 供应商器件封装: P600

15KP36A

制造商: EATON - ELECTRONICS DIVISION
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 瞬态抑制二极管

描述: 59.8V 夹子 252.5A Ipp TVS - 二极管 通孔 轴向

类型: 齐纳 单向通道: 1 电压 - 反向断态(典型值): 36V 电压 - 击穿(最小值): 40V 不同 Ipp 时电压 - 箝位(最大值): 59.8V 电流 - 峰值脉冲 (10/1000µs): 252.5A 功率 - 峰值脉冲: 15000W(15kW) 电源线路保护: 无 应用: 电信 不同频率时电容: - 工作温度: -55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型: 通孔 封装/外壳: 轴向 供应商器件封装: 轴向

A5KP36A-G

制造商: COMCHIP TECHNOLOGY
数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 瞬态抑制二极管

描述: 58.1V 夹子 86.06A Ipp TVS - 二极管 通孔 R-6

类型: 齐纳 单向通道: 1 电压 - 反向断态(典型值): 36V 电压 - 击穿(最小值): 40V 不同 Ipp 时电压 - 箝位(最大值): 58.1V 电流 - 峰值脉冲 (10/1000µs): 86.06A 功率 - 峰值脉冲: 5000W(5kW) 电源线路保护: 无 应用: - 不同频率时电容: - 工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ) 等级: 汽车级 资质: AEC-Q101 安装类型: 通孔 封装/外壳: R-6,轴向 供应商器件封装: R-6

TP5KP36A

制造商: LITTELFUSE INC.
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 瞬态抑制二极管

描述: 58.1V 夹子 87.8A Ipp TVS - 二极管 通孔 P600

类型: 齐纳 单向通道: 1 电压 - 反向断态(典型值): 36V 电压 - 击穿(最小值): 40V 不同 Ipp 时电压 - 箝位(最大值): 58.1V 电流 - 峰值脉冲 (10/1000µs): 87.8A 功率 - 峰值脉冲: 5000W(5kW) 电源线路保护: 无 应用: - 不同频率时电容: - 工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ) 等级: 汽车级 资质: AEC-Q101 安装类型: 通孔 封装/外壳: P600,轴向 供应商器件封装: P600

MPLAD7.5KP36ATR

制造商: MICROCHIP TECHNOLOGY
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 瞬态抑制二极管

描述: 58.1V 夹子 129A Ipp TVS - 二极管 表面贴装型 Mini-PLAD

类型: 齐纳 单向通道: 1 电压 - 反向断态(典型值): 36V 电压 - 击穿(最小值): 40V 不同 Ipp 时电压 - 箝位(最大值): 58.1V 电流 - 峰值脉冲 (10/1000µs): 129A 功率 - 峰值脉冲: 7500W(7.5kW) 电源线路保护: 无 应用: - 不同频率时电容: - 工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ) 等级: 军用 资质: MIL-PRF-19500 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: 非标准型 SMD 供应商器件封装: Mini-PLAD