MPLAD6.5KP36AE3

制造商: MICROCHIP TECHNOLOGY
数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 瞬态抑制二极管

描述: 58.1V 夹子 111A Ipp TVS - 二极管 表面贴装型 PLAD

类型: 齐纳 单向通道: 1 电压 - 反向断态(典型值): 36V 电压 - 击穿(最小值): 40V 不同 Ipp 时电压 - 箝位(最大值): 58.1V 电流 - 峰值脉冲 (10/1000µs): 111A 功率 - 峰值脉冲: 6500W(6.5kW) 电源线路保护: 无 应用: 通用 不同频率时电容: - 工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: 非标准型 SMD 供应商器件封装: PLAD

MPLAD6.5KP36ATR

制造商: MICROCHIP TECHNOLOGY
数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 瞬态抑制二极管

描述: 58.1V 夹子 111A Ipp TVS - 二极管 表面贴装型 PLAD

类型: 齐纳 单向通道: 1 电压 - 反向断态(典型值): 36V 电压 - 击穿(最小值): 40V 不同 Ipp 时电压 - 箝位(最大值): 58.1V 电流 - 峰值脉冲 (10/1000µs): 111A 功率 - 峰值脉冲: 6500W(6.5kW) 电源线路保护: 无 应用: 通用 不同频率时电容: - 工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: 非标准型 SMD 供应商器件封装: PLAD

MPLAD7.5KP36A

制造商: MICROCHIP TECHNOLOGY
数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 瞬态抑制二极管

描述: 58.1V 夹子 129A Ipp TVS - 二极管 表面贴装型 Mini-PLAD

类型: 齐纳 单向通道: 1 电压 - 反向断态(典型值): 36V 电压 - 击穿(最小值): 40V 不同 Ipp 时电压 - 箝位(最大值): 58.1V 电流 - 峰值脉冲 (10/1000µs): 129A 功率 - 峰值脉冲: 7500W(7.5kW) 电源线路保护: 无 应用: 通用 不同频率时电容: - 工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ) 等级: 军用 资质: MIL-PRF-19500 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: 非标准型 SMD 供应商器件封装: Mini-PLAD

M5KP36A

制造商: MICROCHIP TECHNOLOGY
数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 瞬态抑制二极管

描述: 58.1V 夹子 86A Ipp TVS - 二极管 通孔 DO-204AR

类型: 齐纳 单向通道: 1 电压 - 反向断态(典型值): 36V 电压 - 击穿(最小值): 40V 不同 Ipp 时电压 - 箝位(最大值): 58.1V 电流 - 峰值脉冲 (10/1000µs): 86A 功率 - 峰值脉冲: 5000W(5kW) 电源线路保护: 无 应用: 通用 不同频率时电容: - 工作温度: -65°C ~ 150°C(TJ) 等级: 军用 资质: MIL-PRF-19500 安装类型: 通孔 封装/外壳: DO-204AR,轴向 供应商器件封装: DO-204AR

M5KP36AE3

制造商: MICROCHIP TECHNOLOGY
数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 瞬态抑制二极管

描述: 58.1V 夹子 86A Ipp TVS - 二极管 通孔 DO-204AR

类型: 齐纳 单向通道: 1 电压 - 反向断态(典型值): 36V 电压 - 击穿(最小值): 40V 不同 Ipp 时电压 - 箝位(最大值): 58.1V 电流 - 峰值脉冲 (10/1000µs): 86A 功率 - 峰值脉冲: 5000W(5kW) 电源线路保护: 无 应用: 通用 不同频率时电容: - 工作温度: -65°C ~ 150°C(TJ) 等级: 军用 资质: MIL-PRF-19500 安装类型: 通孔 封装/外壳: DO-204AR,轴向 供应商器件封装: DO-204AR

MPLAD7.5KP36AE3

制造商: MICROCHIP TECHNOLOGY
数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 瞬态抑制二极管

描述: 58.1V 夹子 129A Ipp TVS - 二极管 表面贴装型 Mini-PLAD

类型: 齐纳 单向通道: 1 电压 - 反向断态(典型值): 36V 电压 - 击穿(最小值): 40V 不同 Ipp 时电压 - 箝位(最大值): 58.1V 电流 - 峰值脉冲 (10/1000µs): 129A 功率 - 峰值脉冲: 7500W(7.5kW) 电源线路保护: 无 应用: 通用 不同频率时电容: - 工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ) 等级: 军用 资质: MIL-PRF-19500 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: 非标准型 SMD 供应商器件封装: Mini-PLAD

M5KP36AE3TR

制造商: MICROCHIP TECHNOLOGY
数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 瞬态抑制二极管

描述: 58.1V 夹子 86.1A Ipp TVS - 二极管 通孔 P600

类型: 齐纳 单向通道: 1 电压 - 反向断态(典型值): 36V 电压 - 击穿(最小值): 40V 不同 Ipp 时电压 - 箝位(最大值): 58.1V 电流 - 峰值脉冲 (10/1000µs): 86.1A 功率 - 峰值脉冲: 5000W(5kW) 电源线路保护: 无 应用: 通用 不同频率时电容: - 工作温度: -55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型: 通孔 封装/外壳: P600,轴向 供应商器件封装: P600

M5KP36ATR

制造商: MICROCHIP TECHNOLOGY
数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 瞬态抑制二极管

描述: 58.1V 夹子 86.1A Ipp TVS - 二极管 通孔 P600

类型: 齐纳 单向通道: 1 电压 - 反向断态(典型值): 36V 电压 - 击穿(最小值): 40V 不同 Ipp 时电压 - 箝位(最大值): 58.1V 电流 - 峰值脉冲 (10/1000µs): 86.1A 功率 - 峰值脉冲: 5000W(5kW) 电源线路保护: 无 应用: 通用 不同频率时电容: - 工作温度: -55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型: 通孔 封装/外壳: P600,轴向 供应商器件封装: P600

MPLAD7.5KP36AE3TR

制造商: MICROCHIP TECHNOLOGY
数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 瞬态抑制二极管

描述: 58.1V 夹子 129A Ipp TVS - 二极管 表面贴装型 Mini-PLAD

类型: 齐纳 单向通道: 1 电压 - 反向断态(典型值): 36V 电压 - 击穿(最小值): 40V 不同 Ipp 时电压 - 箝位(最大值): 58.1V 电流 - 峰值脉冲 (10/1000µs): 129A 功率 - 峰值脉冲: 7500W(7.5kW) 电源线路保护: 无 应用: 通用 不同频率时电容: - 工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ) 等级: 军用 资质: MIL-PRF-19500 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: 非标准型 SMD 供应商器件封装: Mini-PLAD

MAPLAD6.5KP36AE3

制造商: MICROCHIP TECHNOLOGY
数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 瞬态抑制二极管

描述: 58.1V 夹子 111A Ipp TVS - 二极管 表面贴装型 Mini-PLAD

类型: 齐纳 单向通道: 1 电压 - 反向断态(典型值): 36V 电压 - 击穿(最小值): 40V 不同 Ipp 时电压 - 箝位(最大值): 58.1V 电流 - 峰值脉冲 (10/1000µs): 111A 功率 - 峰值脉冲: 6500W(6.5kW) 电源线路保护: 无 应用: 通用 不同频率时电容: - 工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ) 等级: 军用 资质: MIL-PRF-19500 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: 非标准型 SMD 供应商器件封装: Mini-PLAD