状态: 已停产
Compliance: Pb A H P
Polarity: PNP
IC Continuous (A): 0.1
V(BR)CEO Min (V): 50
hFE Min: 80
R1 (kΩ): 2.2
R2 (kΩ): 47
R1/R2 Typ: 0.0468
Vi(off) Max (V): 0.5
Vi(on) Min (V): 1.1
Package Size (mm):
Package Type: SOT-723-3
MSL Type: 1
MSL Temp (°C): 260
ON Target: No
参考价格: Price N/A
KSB1149YS
制造商: ONSEMI数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 双极型晶体管
描述: 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 PNP - 达林顿 100 V 3 A 1.3 W 通孔 TO-126-3
晶体管类型: PNP - 达林顿
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）: 3 A
电压 - 集射极击穿（最大值）: 100 V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）: 1.2V @ 1.5mA，1.5A
电流 - 集电极截止（最大值）: 10µA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）: 4000 @ 1.5A，2V
功率 - 最大值: 1.3 W
频率 - 跃迁: -
工作温度: 150°C（TJ）
安装类型: 通孔
封装/外壳: TO-225AA，TO-126-3
供应商器件封装: TO-126-3
KSB1149YSTU
制造商: ONSEMI数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 双极型晶体管
描述: 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 PNP - 达林顿 100 V 3 A 1.3 W 通孔 TO-126-3
晶体管类型: PNP - 达林顿
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）: 3 A
电压 - 集射极击穿（最大值）: 100 V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）: 1.2V @ 1.5mA，1.5A
电流 - 集电极截止（最大值）: 10µA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）: 4000 @ 1.5A，2V
功率 - 最大值: 1.3 W
频率 - 跃迁: -
工作温度: 150°C（TJ）
安装类型: 通孔
封装/外壳: TO-225AA，TO-126-3
供应商器件封装: TO-126-3
2SD1624T-TD-E
制造商: ONSEMI数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 双极型晶体管
描述: 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 NPN 50 V 3 A 150MHz 500 mW 表面贴装型 PCP
晶体管类型: NPN
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）: 3 A
电压 - 集射极击穿（最大值）: 50 V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）: 500mV @ 100mA，2A
电流 - 集电极截止（最大值）: 1µA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）: 200 @ 100mA，2V
功率 - 最大值: 500 mW
频率 - 跃迁: 150MHz
工作温度: 150°C（TJ）
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: TO-243AA
供应商器件封装: PCP
2SD1624S-TD-E
制造商: ONSEMI数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 双极型晶体管
描述: 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 NPN 50 V 3 A 150MHz 500 mW 表面贴装型 PCP
晶体管类型: NPN
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）: 3 A
电压 - 集射极击穿（最大值）: 50 V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）: 500mV @ 100mA，2A
电流 - 集电极截止（最大值）: 1µA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）: 140 @ 100mA，2V
功率 - 最大值: 500 mW
频率 - 跃迁: 150MHz
工作温度: 150°C（TJ）
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: TO-243AA
供应商器件封装: PCP
2SD1624S-TD-H
制造商: ONSEMI数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 双极型晶体管
描述: 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 NPN 50 V 3 A 150MHz 500 mW 表面贴装型 PCP
晶体管类型: NPN
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）: 3 A
电压 - 集射极击穿（最大值）: 50 V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）: 500mV @ 100mA，2A
电流 - 集电极截止（最大值）: 1µA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）: 140 @ 100mA，2V
功率 - 最大值: 500 mW
频率 - 跃迁: 150MHz
工作温度: 150°C（TJ）
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: TO-243AA
供应商器件封装: PCP
2SD1624T-TD-H
制造商: ONSEMI数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 双极型晶体管
描述: 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 NPN 50 V 3 A 150MHz 500 mW 表面贴装型 PCP
晶体管类型: NPN
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）: 3 A
电压 - 集射极击穿（最大值）: 50 V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）: 500mV @ 100mA，2A
电流 - 集电极截止（最大值）: 1µA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）: 200 @ 100mA，2V
功率 - 最大值: 500 mW
频率 - 跃迁: 150MHz
工作温度: 150°C（TJ）
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: TO-243AA
供应商器件封装: PCP
PBHV2160ZX
制造商: NEXPERIA USA INC.分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 双极型晶体管
描述: 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 NPN 600 V 100 mA 650 mW 表面贴装型 SOT-223
晶体管类型: NPN
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）: 100 mA
电压 - 集射极击穿（最大值）: 600 V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）: 125mV @ 6mA，30mA
电流 - 集电极截止（最大值）: 100nA
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）: 70 @ 10mA，10V
功率 - 最大值: 650 mW
频率 - 跃迁: -
工作温度: 150°C（TJ）
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: TO-261-4，TO-261AA
供应商器件封装: SOT-223
MMST5551-TP
制造商: MCC (MICRO COMMERCIAL COMPONENTS)数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 双极型晶体管
描述: 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 NPN 160 V 200 mA 300MHz 200 mW 表面贴装型 SOT-323
晶体管类型: NPN
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）: 200 mA
电压 - 集射极击穿（最大值）: 160 V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）: 200mV @ 5mA，50mA
电流 - 集电极截止（最大值）: 50nA
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）: 80 @ 10mA，5V
功率 - 最大值: 200 mW
频率 - 跃迁: 300MHz
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: SC-70，SOT-323
供应商器件封装: SOT-323
MMST5551HE3-TP
制造商: MCC (MICRO COMMERCIAL COMPONENTS)数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 双极型晶体管
描述: 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 NPN 160 V 600 mA 100MHz 200 mW 表面贴装型 SOT-323
晶体管类型: NPN
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）: 600 mA
电压 - 集射极击穿（最大值）: 160 V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）: 200mV @ 5mA，50mA
电流 - 集电极截止（最大值）: 50nA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）: 100 @ 10mA，5V
功率 - 最大值: 200 mW
频率 - 跃迁: 100MHz
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
等级: 汽车级
资质: AEC-Q101
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: SC-70，SOT-323
供应商器件封装: SOT-323