CSD16403Q5A
数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: 采用 5mm x 6mm SON 封装的单通道、3.7mΩ、25V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
VDS (V): 25
VGS (V): 16
Type: N-channel
Configuration: Single
Rds(on) at VGS=10 V (max) (mΩ): 2.8
Rds(on) at VGS=4.5 V (max) (mΩ): 3.7
VGSTH typ (typ) (V): 1.6
QG (typ) (nC): 13.3
QGD (typ) (nC): 3.5
QGS (typ) (nC): 5.5
ID - silicon limited at TC=25°C (A): 100
ID - package limited (A): 100
Logic level: Yes
Rating: Catalog
Operating temperature range (°C): -55 to 150
VDS (V): 25
VGS (V): 16
Type: N-channel
Configuration: Single
Rds(on) at VGS=10 V (max) (mΩ): 2.8
更多
Rds(on) at VGS=4.5 V (max) (mΩ): 3.7
VGSTH typ (typ) (V): 1.6
QG (typ) (nC): 13.3
QGD (typ) (nC): 3.5
QGS (typ) (nC): 5.5
ID - silicon limited at TC=25°C (A): 100
ID - package limited (A): 100
Logic level: Yes
Rating: Catalog
Operating temperature range (°C): -55 to 150
CSD16404Q5A
数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: 采用 5mm x 6mm SON 封装的单通道、7.2mΩ、25V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
VDS (V): 25
VGS (V): 16
Type: N-channel
Configuration: Single
Rds(on) at VGS=10 V (max) (mΩ): 5.1
Rds(on) at VGS=4.5 V (max) (mΩ): 7.2
VGSTH typ (typ) (V): 1.8
QG (typ) (nC): 6.5
QGD (typ) (nC): 1.7
QGS (typ) (nC): 3
ID - silicon limited at TC=25°C (A): 81
ID - package limited (A): 100
Logic level: Yes
Rating: Catalog
Operating temperature range (°C): -55 to 150
VDS (V): 25
VGS (V): 16
Type: N-channel
Configuration: Single
Rds(on) at VGS=10 V (max) (mΩ): 5.1
更多
Rds(on) at VGS=4.5 V (max) (mΩ): 7.2
VGSTH typ (typ) (V): 1.8
QG (typ) (nC): 6.5
QGD (typ) (nC): 1.7
QGS (typ) (nC): 3
ID - silicon limited at TC=25°C (A): 81
ID - package limited (A): 100
Logic level: Yes
Rating: Catalog
Operating temperature range (°C): -55 to 150
CSD16406Q3
数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: 采用 3mm x 3mm SON 封装的单通道、7.4mΩ、25V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
VDS (V): 25
VGS (V): 16
Type: N-channel
Configuration: Single
Rds(on) at VGS=10 V (max) (mΩ): 5.3
Rds(on) at VGS=4.5 V (max) (mΩ): 7.4
VGSTH typ (typ) (V): 1.7
QG (typ) (nC): 5.8
QGD (typ) (nC): 1.5
QGS (typ) (nC): 2.5
ID - silicon limited at TC=25°C (A): 79
ID - package limited (A): 60
Logic level: Yes
Rating: Catalog
Operating temperature range (°C): -55 to 150
VDS (V): 25
VGS (V): 16
Type: N-channel
Configuration: Single
Rds(on) at VGS=10 V (max) (mΩ): 5.3
更多
Rds(on) at VGS=4.5 V (max) (mΩ): 7.4
VGSTH typ (typ) (V): 1.7
QG (typ) (nC): 5.8
QGD (typ) (nC): 1.5
QGS (typ) (nC): 2.5
ID - silicon limited at TC=25°C (A): 79
ID - package limited (A): 60
Logic level: Yes
Rating: Catalog
Operating temperature range (°C): -55 to 150
CSD16407Q5
数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: 采用 5mm x 6mm SON 封装的单通道、3.3mΩ、25V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
VDS (V): 25
VGS (V): 16
Type: N-channel
Configuration: Single
Rds(on) at VGS=10 V (max) (mΩ): 2.4
Rds(on) at VGS=4.5 V (max) (mΩ): 3.3
VGSTH typ (typ) (V): 1.6
QG (typ) (nC): 13.3
QGD (typ) (nC): 3.5
QGS (typ) (nC): 5.3
ID - silicon limited at TC=25°C (A): 100
ID - package limited (A): 100
Logic level: Yes
Rating: Catalog
Operating temperature range (°C): -55 to 150
VDS (V): 25
VGS (V): 16
Type: N-channel
Configuration: Single
Rds(on) at VGS=10 V (max) (mΩ): 2.4
更多
Rds(on) at VGS=4.5 V (max) (mΩ): 3.3
VGSTH typ (typ) (V): 1.6
QG (typ) (nC): 13.3
QGD (typ) (nC): 3.5
QGS (typ) (nC): 5.3
ID - silicon limited at TC=25°C (A): 100
ID - package limited (A): 100
Logic level: Yes
Rating: Catalog
Operating temperature range (°C): -55 to 150
CSD16409Q3
数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: 采用 3mm x 3mm SON 封装的单通道、12.4mΩ、25V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
VDS (V): 25
VGS (V): 16
Type: N-channel
Configuration: Single
Rds(on) at VGS=10 V (max) (mΩ): 8.2
Rds(on) at VGS=4.5 V (max) (mΩ): 12.4
VGSTH typ (typ) (V): 2
QG (typ) (nC): 4
QGD (typ) (nC): 1
QGS (typ) (nC): 2.1
ID - silicon limited at TC=25°C (A): 60
ID - package limited (A): 60
Logic level: Yes
Rating: Catalog
Operating temperature range (°C): -55 to 150
VDS (V): 25
VGS (V): 16
Type: N-channel
Configuration: Single
Rds(on) at VGS=10 V (max) (mΩ): 8.2
更多
Rds(on) at VGS=4.5 V (max) (mΩ): 12.4
VGSTH typ (typ) (V): 2
QG (typ) (nC): 4
QGD (typ) (nC): 1
QGS (typ) (nC): 2.1
ID - silicon limited at TC=25°C (A): 60
ID - package limited (A): 60
Logic level: Yes
Rating: Catalog
Operating temperature range (°C): -55 to 150
CSD16410Q5A
数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: 采用 5mm x 6mm SON 封装的单通道、12mΩ、25V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
VDS (V): 25
VGS (V): 16
Type: N-channel
Configuration: Single
Rds(on) at VGS=10 V (max) (mΩ): 8.5
Rds(on) at VGS=4.5 V (max) (mΩ): 12
VGSTH typ (typ) (V): 1.9
QG (typ) (nC): 3.9
QGD (typ) (nC): 1.1
QGS (typ) (nC): 1.8
ID - silicon limited at TC=25°C (A): 59
ID - package limited (A): 59
Logic level: Yes
Rating: Catalog
Operating temperature range (°C): -55 to 150
VDS (V): 25
VGS (V): 16
Type: N-channel
Configuration: Single
Rds(on) at VGS=10 V (max) (mΩ): 8.5
更多
Rds(on) at VGS=4.5 V (max) (mΩ): 12
VGSTH typ (typ) (V): 1.9
QG (typ) (nC): 3.9
QGD (typ) (nC): 1.1
QGS (typ) (nC): 1.8
ID - silicon limited at TC=25°C (A): 59
ID - package limited (A): 59
Logic level: Yes
Rating: Catalog
Operating temperature range (°C): -55 to 150
CSD16412Q5A
数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: 采用 5mm x 6mm SON 封装的单通道、16mΩ、25V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
VDS (V): 25
VGS (V): 16
Type: N-channel
Configuration: Single
Rds(on) at VGS=10 V (max) (mΩ): 11
Rds(on) at VGS=4.5 V (max) (mΩ): 16
VGSTH typ (typ) (V): 2
QG (typ) (nC): 2.9
QGD (typ) (nC): 0.7
QGS (typ) (nC): 1.4
ID - silicon limited at TC=25°C (A): 52
ID - package limited (A): 52
Logic level: Yes
Rating: Catalog
Operating temperature range (°C): -55 to 150
VDS (V): 25
VGS (V): 16
Type: N-channel
Configuration: Single
Rds(on) at VGS=10 V (max) (mΩ): 11
更多
Rds(on) at VGS=4.5 V (max) (mΩ): 16
VGSTH typ (typ) (V): 2
QG (typ) (nC): 2.9
QGD (typ) (nC): 0.7
QGS (typ) (nC): 1.4
ID - silicon limited at TC=25°C (A): 52
ID - package limited (A): 52
Logic level: Yes
Rating: Catalog
Operating temperature range (°C): -55 to 150
CSD16413Q5A
数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: 采用 5mm x 6mm SON 封装的单通道、5.6mΩ、25V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
VDS (V): 25
VGS (V): 16
Type: N-channel
Configuration: Single
Rds(on) at VGS=10 V (max) (mΩ): 3.9
Rds(on) at VGS=4.5 V (max) (mΩ): 5.6
VGSTH typ (typ) (V): 1.6
QG (typ) (nC): 9
QGD (typ) (nC): 2.5
QGS (typ) (nC): 3.5
ID - silicon limited at TC=25°C (A): 100
ID - package limited (A): 100
Logic level: Yes
Rating: Catalog
Operating temperature range (°C): -55 to 150
VDS (V): 25
VGS (V): 16
Type: N-channel
Configuration: Single
Rds(on) at VGS=10 V (max) (mΩ): 3.9
更多
Rds(on) at VGS=4.5 V (max) (mΩ): 5.6
VGSTH typ (typ) (V): 1.6
QG (typ) (nC): 9
QGD (typ) (nC): 2.5
QGS (typ) (nC): 3.5
ID - silicon limited at TC=25°C (A): 100
ID - package limited (A): 100
Logic level: Yes
Rating: Catalog
Operating temperature range (°C): -55 to 150
PMPB33XP,115
制造商: NEXPERIA USA INC.分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: 表面贴装型 P 通道 20 V 5.5A（Ta） 1.7W（Ta），12.5W（Tc） DFN2020MD-6
FET 类型: P 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 5.5A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 1.8V，4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 37 毫欧 @ 5.5A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 900mV @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 23 nC @ 4.5 V
Vgs（最大值）: ±12V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 1575 pF @ 10 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 1.7W（Ta），12.5W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
等级: -
资质: -
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: DFN2020MD-6
封装/外壳: 6-UDFN 祼焊盘
BUK6D385-100EX
制造商: NEXPERIA USA INC.分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: 表面贴装型 N 通道 100 V 1.4A（Ta），3.7A（Tc） 2W（Ta），15W（Tc） DFN2020MD-6
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 1.4A（Ta），3.7A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 385 毫欧 @ 1.5，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 2.7V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 6.8 nC @ 10 V
Vgs（最大值）: ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 195 pF @ 50 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 2W（Ta），15W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ）
等级: 汽车级
资质: AEC-Q101
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: DFN2020MD-6
封装/外壳: 6-UDFN 祼焊盘