BZT52C3V3-G3-18
制造商: VISHAY GENERAL SEMICONDUCTOR - DIODES DIVISION数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 电压调整二极管
描述: 二极管 - 齐纳 3.3 V 410 mW ±5% 表面贴装型 SOD-123
电压 - 齐纳（标称值）(Vz): 3.3 V
容差: ±5%
功率 - 最大值: 410 mW
阻抗（最大值）(Zzt): 95 Ohms
工作温度: -55°C ~ 150°C
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: SOD-123
供应商器件封装: SOD-123
BZT52C3V3-7
制造商: DIODES INCORPORATED数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 电压调整二极管
描述: 二极管 - 齐纳 3.3 V 500 mW ±6% 表面贴装型 SOD-123
电压 - 齐纳（标称值）(Vz): 3.3 V
容差: ±6%
功率 - 最大值: 500 mW
阻抗（最大值）(Zzt): 95 Ohms
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 5 µA @ 1 V
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 900 mV @ 10 mA
工作温度: -65°C ~ 150°C
等级: -
资质: -
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: SOD-123
供应商器件封装: SOD-123
BZT52C3V3S-7
制造商: DIODES INCORPORATED数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 电压调整二极管
描述: 二极管 - 齐纳 3.3 V 200 mW ±6% 表面贴装型 SOD-323
电压 - 齐纳（标称值）(Vz): 3.3 V
容差: ±6%
功率 - 最大值: 200 mW
阻抗（最大值）(Zzt): 95 Ohms
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 5 µA @ 1 V
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 900 mV @ 10 mA
工作温度: -65°C ~ 150°C
等级: -
资质: -
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: SC-76，SOD-323
供应商器件封装: SOD-323
BZT52C3V3-13
制造商: DIODES INCORPORATED数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 电压调整二极管
描述: 二极管 - 齐纳 3.3 V 500 mW ±6% 表面贴装型 SOD-123
电压 - 齐纳（标称值）(Vz): 3.3 V
容差: ±6%
功率 - 最大值: 500 mW
阻抗（最大值）(Zzt): 95 Ohms
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 5 µA @ 1 V
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 900 mV @ 10 mA
工作温度: -65°C ~ 150°C
等级: -
资质: -
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: SOD-123
供应商器件封装: SOD-123
BZT52C3V3-HE3_A-18
制造商: VISHAY GENERAL SEMICONDUCTOR - DIODES DIVISION数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 电压调整二极管
描述: 二极管 - 齐纳 3.3 V 300 mW ±5% 表面贴装型 SOD-123
电压 - 齐纳（标称值）(Vz): 3.3 V
容差: ±5%
功率 - 最大值: 300 mW
阻抗（最大值）(Zzt): 95 Ohms
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 5 µA @ 1 V
工作温度: 150°C（TJ）
等级: 汽车级
资质: AEC-Q101
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: SOD-123
供应商器件封装: SOD-123
BZT52C3V3
制造商: SHENZHEN SLKORMICRO SEMICON CO., LTD.数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 电压调整二极管
描述: 二极管 - 齐纳 3.3 V 500 mW ±6.06% 表面贴装型 SOD-123
电压 - 齐纳（标称值）(Vz): 3.3 V
容差: ±6.06%
功率 - 最大值: 500 mW
阻抗（最大值）(Zzt): 95 Ohms
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 5 µA @ 1 V
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 900 mV @ 10 mA
工作温度: -65°C ~ 150°C（TJ）
等级: -
资质: -
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: SOD-123
供应商器件封装: SOD-123
BZT52-C3V3-AU_R1_000A1
制造商: PANJIT INTERNATIONAL INC.数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 电压调整二极管
描述: 二极管 - 齐纳 3.3 V 410 mW ±5% 表面贴装型 SOD-123
电压 - 齐纳（标称值）(Vz): 3.3 V
容差: ±5%
功率 - 最大值: 410 mW
阻抗（最大值）(Zzt): 95 Ohms
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 25 µA @ 1 V
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
等级: 汽车级
资质: AEC-Q101
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: SOD-123
供应商器件封装: SOD-123
BZT52C3V3-HE3-08
制造商: VISHAY GENERAL SEMICONDUCTOR - DIODES DIVISION数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 电压调整二极管
描述: 二极管 - 齐纳 3.3 V 410 mW ±5% 表面贴装型 SOD-123
电压 - 齐纳（标称值）(Vz): 3.3 V
容差: ±5%
功率 - 最大值: 410 mW
阻抗（最大值）(Zzt): 95 Ohms
工作温度: -55°C ~ 150°C
等级: 汽车级
资质: AEC-Q101
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: SOD-123
供应商器件封装: SOD-123
BZV55-B2V7,115
制造商: NEXPERIA USA INC.分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 电压调整二极管
描述: 二极管 - 齐纳 2.7 V 500 mW ±2% 表面贴装型 LLDS；MiniMelf
电压 - 齐纳（标称值）(Vz): 2.7 V
容差: ±2%
功率 - 最大值: 500 mW
阻抗（最大值）(Zzt): 100 Ohms
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 20 µA @ 1 V
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 900 mV @ 10 mA
工作温度: -65°C ~ 200°C
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: DO-213AC，MINI-MELF，SOD-80
供应商器件封装: LLDS；MiniMelf
BZX85C27-TR
制造商: VISHAY GENERAL SEMICONDUCTOR - DIODES DIVISION数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 电压调整二极管
描述: 二极管 - 齐纳 27 V 1.3 W ±5% 通孔 DO-204AL（DO-41）
电压 - 齐纳（标称值）(Vz): 27 V
容差: ±5%
功率 - 最大值: 1.3 W
阻抗（最大值）(Zzt): 30 Ohms
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 500 nA @ 20 V
工作温度: -55°C ~ 175°C
等级: 汽车级
资质: AEC-Q101
安装类型: 通孔
封装/外壳: DO-204AL，DO-41，轴向
供应商器件封装: DO-204AL（DO-41）