天天芯片 - 物料搜索

IPTG011N08NM5

数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管

描述: OptiMOS™ 5 power MOSFET in TOLG package for higher thermal cycling on board performance

I[D ](@25°C) max: 408.0A I[Dpuls] max: 1632.0A Mounting: SMT P[tot] max: 375.0W Package: TOLG (HSOG-8) Pin Count: 8.0Pins Polarity: N Q[G](typ @10V): 178.0nC R[DS (on)](@10V) max: 1.1mΩ V[DS] max: 80.0V V[GS(th)]: 3.0V Operating Temperature max: 175.0°C Battery voltage: 36-48 V Budgetary Price €/1k: 2.95

ISZ173N15NM6

数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管

描述: OptiMOS™ 6 power MOSFET 150 V normal level in S308 package

I[D ](@25°C) max: 48.0A I[Dpuls] max: 192.0A V[DS] max: 150.0V V[GS(th)]: 3.5V Polarity: N Q[G](typ @10V): 14.8nC R[DS (on)](@10V) max: 17.3mΩ Operating Temperature max: 175.0°C P[tot] max: 94.0W Package: PQFN 3.3 x 3.3 Fused Lead

ISC079N15NM6

数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管

描述: OptiMOS™ 6 power MOSFET 150 V normal level in SuperSO8 package

I[D ](@25°C) max: 95.0A I[Dpuls] max: 380.0A V[DS] max: 150.0V V[GS(th)]: 3.5V Polarity: N Q[G](typ @10V): 31.0nC R[DS (on)](@10V) max: 7.9mΩ Operating Temperature max: 175.0°C P[tot] max: 165.0W Package: SuperSO8 5x6

IPF026N15NM6

数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管

描述: OptiMOS™ 6 power MOSFET 150 V normal level in D²PAK 7-pin package

I[D ](@25°C) max: 239.0A I[Dpuls] max: 956.0A V[DS] max: 150.0V V[GS(th)]: 3.5V Polarity: N Q[G](typ @10V): 105.0nC R[DS (on)](@10V) max: 2.6mΩ Operating Temperature max: 175.0°C P[tot] max: 395.0W Package: D2PAK 7pin (TO-263 7pin)

ISC044N15NM6

数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管

描述: OptiMOS™ 6 power MOSFET 150 V normal level in SuperSO8 package

I[D ](@25°C) max: 156.0A I[Dpuls] max: 624.0A V[DS] max: 150.0V V[GS(th)]: 3.5V Polarity: N Q[G](typ @10V): 55.0nC R[DS (on)](@10V) max: 4.4mΩ Operating Temperature max: 175.0°C P[tot] max: 250.0W Package: SuperSO8 5x6 Special Features: Fused leads

ISC055N15NM6

数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管

描述: OptiMOS™ 6 power MOSFET 150 V normal level in SuperSO8 package

I[D ](@25°C) max: 130.0A I[Dpuls] max: 520.0A V[DS] max: 150.0V V[GS(th)]: 3.5V Polarity: N Q[G](typ @10V): 43.0nC R[DS (on)](@10V) max: 5.5mΩ Operating Temperature max: 175.0°C P[tot] max: 214.0W Package: SuperSO8 5x6 FL Special Features: Fused leads

IPP029N15NM6

数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管

描述: OptiMOS™ 6 power MOSFET 150 V normal level in TO-220 package

I[D ](@25°C) max: 197.0A I[Dpuls] max: 788.0A V[DS] max: 150.0V V[GS(th)]: 3.5V Package: TO-220 Polarity: N Q[G](typ @10V): 105.0nC R[DS (on)](@10V) max: 2.9mΩ Operating Temperature max: 175.0°C P[tot] max: 395.0W

IPT026N12NM6

数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管

描述: OptiMOS™ 6 power MOSFET normal level 120 V in TOLL package

I[D ](@25°C) max: 224.0A Operating Temperature max: 175.0°C Package: TOLL (HSOF-8) Polarity: N Q[G](typ @10V): 70.0nC R[DS (on)](@10V) max: 2.6mΩ V[DS] max: 120.0V V[GS(th)]: 3.1V

IPTG025N15NM6

数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管

描述: OptiMOS™ 6 power MOSFET 150 V normal level in TOLG package for higher thermal cycling on board performance

I[D ](@25°C) max: 264.0A I[Dpuls] max: 1056.0A V[DS] max: 150.0V V[GS(th)]: 3.5V Polarity: N Q[G](typ @10V): 105.0nC R[DS (on)](@10V) max: 2.5mΩ Operating Temperature max: 175.0°C P[tot] max: 395.0W Package: TOLG (HSOG-8)

IPT025N15NM6

数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管

描述: OptiMOS™ 6 power MOSFET 150 V normal level in TOLL package

I[D ](@25°C) max: 263.0A I[Dpuls] max: 1052.0A V[DS] max: 150.0V V[GS(th)]: 3.5V Polarity: N Q[G](typ @10V): 105.0nC R[DS (on)](@10V) max: 2.5mΩ Operating Temperature max: 175.0°C P[tot] max: 395.0W Package: TOLL (HSOF-8)