DMT3006LFG-7
制造商: DIODES INCORPORATED数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: 表面贴装型 N 通道 30 V 16A（Ta），55.6A（Tc） 27.8W（Tc） POWERDI3333-8
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 16A（Ta），55.6A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 6 毫欧 @ 12A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 22.6 nC @ 10 V
Vgs（最大值）: ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 1320 pF @ 15 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 27.8W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
等级: 汽车级
资质: AEC-Q101
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: POWERDI3333-8
封装/外壳: 8-PowerVDFN
DMT8012LSS-13
制造商: DIODES INCORPORATED数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: 表面贴装型 N 通道 80 V 9.7A（Ta） 1.5W（Ta） 8-SO
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 80 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 9.7A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 16.5 毫欧 @ 12A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 34 nC @ 10 V
Vgs（最大值）: ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 1949 pF @ 40 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 1.5W（Ta）
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
等级: 汽车级
资质: AEC-Q101
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: 8-SO
封装/外壳: 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
DMTH8012LPSQ-13
制造商: DIODES INCORPORATED数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: 表面贴装型 N 通道 80 V 10A（Ta），72A（Tc） 2.6W（Ta），136W（Tc） PowerDI5060-8
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 80 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 10A（Ta），72A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 17 毫欧 @ 12A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 46.8 nC @ 10 V
Vgs（最大值）: ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 2051 pF @ 40 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 2.6W（Ta），136W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ）
等级: 汽车级
资质: AEC-Q101
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: PowerDI5060-8
封装/外壳: 8-PowerTDFN
TPH1400ANH,L1Q
制造商: TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: 表面贴装型 N 通道 100 V 24A（Tc） 1.6W（Ta），48W（Tc） 8-SOP Advance（5x5）
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 24A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 13.6 毫欧 @ 12A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 4V @ 300µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 22 nC @ 10 V
Vgs（最大值）: ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 1900 pF @ 50 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 1.6W（Ta），48W（Tc）
工作温度: 150°C（TJ）
等级: -
资质: -
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: 8-SOP Advance（5x5）
封装/外壳: 8-PowerVDFN
BSC004NE2LS5ATMA1
制造商: INFINEON TECHNOLOGIES分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: 表面贴装型 N 通道 25 V 40A（Ta），479A（Tc） 2.5W（Ta），188W（Tc） PG-TDSON-8
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 25 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 40A（Ta），479A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 0.45 毫欧 @ 30A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 2V @ 10mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 238 nC @ 10 V
Vgs（最大值）: ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 11000 pF @ 12.5 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 2.5W（Ta），188W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ）
等级: -
资质: -
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: PG-TDSON-8
封装/外壳: 8-PowerTDFN
BTS247ZE3043AKSA1
制造商: INFINEON TECHNOLOGIES数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: 通孔 N 通道 55 V 33A（Tc） 120W（Tc） P-TO220-5-43
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 55 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 33A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 18 毫欧 @ 12A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 2V @ 90µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 90 nC @ 10 V
Vgs（最大值）: ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 1730 pF @ 25 V
FET 功能: 温度检测二极管
功率耗散（最大值）: 120W（Tc）
工作温度: -40°C ~ 175°C（TJ）
等级: 汽车级
资质: AEC-Q101
安装类型: 通孔
供应商器件封装: P-TO220-5-43
封装/外壳: TO-220-5
IPB020N10N5LFATMA1
制造商: INFINEON TECHNOLOGIES分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: 表面贴装型 N 通道 100 V 176A（Tc） 313W（Tc） PG-TO263-3
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 176A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 2 毫欧 @ 100A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 4.1V @ 270µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 195 nC @ 10 V
Vgs（最大值）: ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 840 pF @ 50 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 313W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
等级: -
资质: -
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: PG-TO263-3
封装/外壳: TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
BSC014N06NSTATMA1
制造商: INFINEON TECHNOLOGIES分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: 表面贴装型 N 通道 60 V 100A（Tc） 3W（Ta），188W（Tc） PG-TDSON-8 FL
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 100A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 6V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 1.45 毫欧 @ 50A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 3.3V @ 120µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 104 nC @ 10 V
Vgs（最大值）: ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 8125 pF @ 30 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 3W（Ta），188W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ）
等级: -
资质: -
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: PG-TDSON-8 FL
封装/外壳: 8-PowerTDFN
BSC014N06NSATMA1
制造商: INFINEON TECHNOLOGIES分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: 表面贴装型 N 通道 60 V 30A（Ta），100A（Tc） 2.5W（Ta），156W（Tc） PG-TDSON-8-17
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 30A（Ta），100A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 6V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 1.45 毫欧 @ 50A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 2.8V @ 120µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 89 nC @ 10 V
Vgs（最大值）: ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 6500 pF @ 30 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 2.5W（Ta），156W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ）
等级: -
资质: -
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: PG-TDSON-8-17
封装/外壳: 8-PowerTDFN
BSC014N06NSSCATMA1
制造商: INFINEON TECHNOLOGIES分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: 表面贴装型 N 通道 60 V 261A（Tc） 3W（Ta），188W（Tc） PG-WSON-8-2
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 261A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 6V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 1.4 毫欧 @ 50A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 3.3V @ 120µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 104 nC @ 10 V
Vgs（最大值）: ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 8125 pF @ 30 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 3W（Ta），188W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ）
等级: -
资质: -
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: PG-WSON-8-2
封装/外壳: 8-PowerWDFN