BZT52C24-7
制造商: DIODES INCORPORATED数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 电压调整二极管
描述: 二极管 - 齐纳 24 V 500 mW ±6% 表面贴装型 SOD-123
电压 - 齐纳（标称值）(Vz): 24 V
容差: ±6%
功率 - 最大值: 500 mW
阻抗（最大值）(Zzt): 70 Ohms
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 100 nA @ 16.8 V
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 900 mV @ 10 mA
工作温度: -65°C ~ 150°C
等级: -
资质: -
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: SOD-123
供应商器件封装: SOD-123
BZT52C24-HE3_A-08
制造商: VISHAY GENERAL SEMICONDUCTOR - DIODES DIVISION数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 电压调整二极管
描述: 二极管 - 齐纳 24 V 300 mW ±5% 表面贴装型 SOD-123
电压 - 齐纳（标称值）(Vz): 24 V
容差: ±5%
功率 - 最大值: 300 mW
阻抗（最大值）(Zzt): 70 Ohms
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 100 nA @ 18 V
工作温度: 150°C（TJ）
等级: 汽车级
资质: AEC-Q101
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: SOD-123
供应商器件封装: SOD-123
BZT52C24S-7
制造商: DIODES INCORPORATED数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 电压调整二极管
描述: 二极管 - 齐纳 24 V 200 mW ±6% 表面贴装型 SOD-323
电压 - 齐纳（标称值）(Vz): 24 V
容差: ±6%
功率 - 最大值: 200 mW
阻抗（最大值）(Zzt): 70 Ohms
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 100 nA @ 16.8 V
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 900 mV @ 10 mA
工作温度: -65°C ~ 150°C
等级: -
资质: -
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: SC-76，SOD-323
供应商器件封装: SOD-323
BZT52C24-HE3_A-18
制造商: VISHAY GENERAL SEMICONDUCTOR - DIODES DIVISION数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 电压调整二极管
描述: 二极管 - 齐纳 24 V 300 mW ±5% 表面贴装型 SOD-123
电压 - 齐纳（标称值）(Vz): 24 V
容差: ±5%
功率 - 最大值: 300 mW
阻抗（最大值）(Zzt): 70 Ohms
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 100 nA @ 18 V
工作温度: 150°C（TJ）
等级: 汽车级
资质: AEC-Q101
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: SOD-123
供应商器件封装: SOD-123
BZT52C24-13
制造商: DIODES INCORPORATED数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 电压调整二极管
描述: 二极管 - 齐纳 24 V 500 mW ±6% 表面贴装型 SOD-123
电压 - 齐纳（标称值）(Vz): 24 V
容差: ±6%
功率 - 最大值: 500 mW
阻抗（最大值）(Zzt): 70 Ohms
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 100 nA @ 16.8 V
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 900 mV @ 10 mA
工作温度: -65°C ~ 150°C
等级: -
资质: -
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: SOD-123
供应商器件封装: SOD-123
ABZT52C24-HF
制造商: COMCHIP TECHNOLOGY分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 电压调整二极管
描述: 二极管 - 齐纳 24 V 500 mW ±5.83% 表面贴装型 SOD-123
电压 - 齐纳（标称值）(Vz): 24 V
容差: ±5.83%
功率 - 最大值: 500 mW
阻抗（最大值）(Zzt): 70 Ohms
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 100 nA @ 16.8 V
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 900 mV @ 10 mA
工作温度: 150°C（TJ）
等级: 汽车级
资质: AEC-Q101
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: SOD-123
供应商器件封装: SOD-123
BZT52C24
制造商: DIOTEC SEMICONDUCTOR数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 电压调整二极管
描述: 二极管 - 齐纳 24 V 500 mW ±5% 表面贴装型 SOD-123F
电压 - 齐纳（标称值）(Vz): 24 V
容差: ±5%
功率 - 最大值: 500 mW
阻抗（最大值）(Zzt): 60 Ohms
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 100 nA @ 19 V
工作温度: -50°C ~ 150°C（TJ）
等级: -
资质: -
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: SOD-123F
供应商器件封装: SOD-123F
SMAZ39-TP
制造商: MCC (MICRO COMMERCIAL COMPONENTS)数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 电压调整二极管
描述: 二极管 - 齐纳 39 V 1 W ±5% 表面贴装型 DO-214AC（SMAJ）
电压 - 齐纳（标称值）(Vz): 39 V
容差: ±5%
功率 - 最大值: 1 W
阻抗（最大值）(Zzt): 40 Ohms
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 500 nA @ 29.6 V
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.2 V @ 200 mA
工作温度: -65°C ~ 150°C
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: DO-214AC，SMA
供应商器件封装: DO-214AC（SMAJ）
SMAZ39-13
制造商: DIODES INCORPORATED数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 电压调整二极管
描述: 二极管 - 齐纳 39 V 1 W ±5% 表面贴装型 SMA
电压 - 齐纳（标称值）(Vz): 39 V
容差: ±5%
功率 - 最大值: 1 W
阻抗（最大值）(Zzt): 40 Ohms
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 500 nA @ 29.6 V
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.2 V @ 200 mA
工作温度: -65°C ~ 150°C
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: DO-214AC，SMA
供应商器件封装: SMA
BZT52C68RHG
制造商: TAIWAN SEMICONDUCTOR CORPORATION数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 电压调整二极管
描述: 二极管 - 齐纳 68 V 500 mW ±5% 表面贴装型 SOD-123F
电压 - 齐纳（标称值）(Vz): 68 V
容差: ±5%
功率 - 最大值: 500 mW
阻抗（最大值）(Zzt): 240 Ohms
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 45 nA @ 47.6 V
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1 V @ 10 mA
工作温度: -65°C ~ 150°C（TJ）
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: SOD-123F
供应商器件封装: SOD-123F