BZT52B5V6-E3-08
制造商: VISHAY GENERAL SEMICONDUCTOR - DIODES DIVISION数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 电压调整二极管
描述: 二极管 - 齐纳 5.6 V 410 mW ±2% 表面贴装型 SOD-123
电压 - 齐纳（标称值）(Vz): 5.6 V
容差: ±2%
功率 - 最大值: 410 mW
阻抗（最大值）(Zzt): 40 Ohms
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 100 nA @ 1 V
工作温度: -55°C ~ 150°C
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: SOD-123
供应商器件封装: SOD-123
BZT52B5V6SR9G
制造商: TAIWAN SEMICONDUCTOR CORPORATION数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 电压调整二极管
描述: 二极管 - 齐纳 5.6 V 200 mW ±2% 表面贴装型 SOD-323F
电压 - 齐纳（标称值）(Vz): 5.6 V
容差: ±2%
功率 - 最大值: 200 mW
阻抗（最大值）(Zzt): 40 Ohms
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 900 nA @ 2 V
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1 V @ 10 mA
工作温度: -65°C ~ 150°C（TJ）
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: SC-90，SOD-323F
供应商器件封装: SOD-323F
BZT52B5V6-GRHG
制造商: TAIWAN SEMICONDUCTOR CORPORATION数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 电压调整二极管
描述: 二极管 - 齐纳 5.6 V 410 mW ±2% 表面贴装型 SOD-123
电压 - 齐纳（标称值）(Vz): 5.6 V
容差: ±2%
功率 - 最大值: 410 mW
阻抗（最大值）(Zzt): 40 Ohms
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 1 µA @ 2 V
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 900 mV @ 10 mA
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: SOD-123
供应商器件封装: SOD-123
BZT52B5V6HE3-TP
制造商: MCC (MICRO COMMERCIAL COMPONENTS)数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 电压调整二极管
描述: 二极管 - 齐纳 5.6 V 410 mW ±2% 表面贴装型 SOD-123
电压 - 齐纳（标称值）(Vz): 5.6 V
容差: ±2%
功率 - 最大值: 410 mW
阻抗（最大值）(Zzt): 40 Ohms
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 100 nA @ 1 V
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 900 mV @ 10 mA
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
等级: 汽车级
资质: AEC-Q101
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: SOD-123
供应商器件封装: SOD-123
BZT52B5V6JS-TP
制造商: MCC (MICRO COMMERCIAL COMPONENTS)分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 电压调整二极管
描述: 二极管 - 齐纳 5.6 V 200 mW ±1.96% 表面贴装型 SOD-323
电压 - 齐纳（标称值）(Vz): 5.6 V
容差: ±1.96%
功率 - 最大值: 200 mW
阻抗（最大值）(Zzt): 40 Ohms
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 1 µA @ 2 V
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 900 mV @ 10 mA
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: SC-76，SOD-323
供应商器件封装: SOD-323
BZT52B5V6-G3-08
制造商: VISHAY GENERAL SEMICONDUCTOR - DIODES DIVISION数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 电压调整二极管
描述: 二极管 - 齐纳 5.6 V 410 mW ±2% 表面贴装型 SOD-123
电压 - 齐纳（标称值）(Vz): 5.6 V
容差: ±2%
功率 - 最大值: 410 mW
阻抗（最大值）(Zzt): 40 Ohms
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 100 nA @ 1 V
工作温度: -55°C ~ 150°C
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: SOD-123
供应商器件封装: SOD-123
BZT52-B5V6S_R1_00001
制造商: PANJIT INTERNATIONAL INC.数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 电压调整二极管
描述: 二极管 - 齐纳 5.6 V 200 mW ±1.96% 表面贴装型 SOD-323
电压 - 齐纳（标称值）(Vz): 5.6 V
容差: ±1.96%
功率 - 最大值: 200 mW
阻抗（最大值）(Zzt): 40 Ohms
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 100 nA @ 1 V
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: SC-90，SOD-323F
供应商器件封装: SOD-323
BZT52-B5V6_R1_00001
制造商: PANJIT INTERNATIONAL INC.数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 电压调整二极管
描述: 二极管 - 齐纳 5.6 V 410 mW ±1.96% 表面贴装型 SOD-123
电压 - 齐纳（标称值）(Vz): 5.6 V
容差: ±1.96%
功率 - 最大值: 410 mW
阻抗（最大值）(Zzt): 40 Ohms
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 100 nA @ 1 V
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 900 mV @ 10 mA
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: SOD-123
供应商器件封装: SOD-123
BZT52-B5V6S-AU_R1_000A1
制造商: PANJIT INTERNATIONAL INC.数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 电压调整二极管
描述: 二极管 - 齐纳 5.6 V 200 mW ±1.96% 表面贴装型 SOD-323
电压 - 齐纳（标称值）(Vz): 5.6 V
容差: ±1.96%
功率 - 最大值: 200 mW
阻抗（最大值）(Zzt): 40 Ohms
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 100 nA @ 1 V
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
等级: 汽车级
资质: AEC-Q101
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: SC-90，SOD-323F
供应商器件封装: SOD-323
BZT52B5V6SHRRG
制造商: TAIWAN SEMICONDUCTOR CORPORATION数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 电压调整二极管
描述: 二极管 - 齐纳 5.6 V 200 mW ±2% 表面贴装型 SOD-323
电压 - 齐纳（标称值）(Vz): 5.6 V
容差: ±2%
功率 - 最大值: 200 mW
阻抗（最大值）(Zzt): 40 Ohms
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 1 µA @ 2 V
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 900 mV @ 10 mA
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
等级: 汽车级
资质: AEC-Q101
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: SC-76，SOD-323
供应商器件封装: SOD-323