LL4148
制造商: SMC DIODE SOLUTIONS分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 整流二极管及组件
描述: 二极管 75 V 300mA 表面贴装型 Mini MELF/DL-35
技术: 标准
电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: 75 V
电流 - 平均整流 (Io): 300mA
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1 V @ 10 mA
速度: 快速恢复 = 200mA（Io）
反向恢复时间 (trr): 4 ns
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 5 µA @ 75 V
不同 Vr、F 时电容: 4pF @ 0V，1MHz
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: DO-213AA
供应商器件封装: Mini MELF/DL-35
工作温度 - 结: -65°C ~ 175°C
LL4148-13
制造商: DIODES INCORPORATED数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 整流二极管及组件
描述: 二极管 75 V 150mA 表面贴装型 迷你型 MELF
技术: 标准
电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: 75 V
电流 - 平均整流 (Io): 150mA
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1 V @ 10 mA
速度: 小信号 =< 200mA（Io），任意速度
反向恢复时间 (trr): 4 ns
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 5 µA @ 75 V
不同 Vr、F 时电容: -
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: DO-213AC，MINI-MELF，SOD-80
供应商器件封装: 迷你型 MELF
工作温度 - 结: -65°C ~ 175°C
LL4148-7
制造商: DIODES INCORPORATED数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 整流二极管及组件
描述: 二极管 75 V 150mA 表面贴装型 迷你型 MELF
技术: 标准
电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: 75 V
电流 - 平均整流 (Io): 150mA
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1 V @ 10 mA
速度: 小信号 =< 200mA（Io），任意速度
反向恢复时间 (trr): 4 ns
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 5 µA @ 75 V
不同 Vr、F 时电容: -
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: DO-213AC，MINI-MELF，SOD-80
供应商器件封装: 迷你型 MELF
工作温度 - 结: -65°C ~ 175°C
CDLL4148
制造商: MICROCHIP TECHNOLOGY分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 整流二极管及组件
描述: 二极管 75 V 200mA 表面贴装型 DO-213AA
技术: 标准
电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: 75 V
电流 - 平均整流 (Io): 200mA
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1 V @ 200 mA
速度: 小信号 =< 200mA（Io），任意速度
反向恢复时间 (trr): 20 ns
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 500 nA @ 75 V
不同 Vr、F 时电容: 4pF @ 0V，1MHz
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: DO-213AA
供应商器件封装: DO-213AA
工作温度 - 结: -65°C ~ 175°C
CDLL4148TR
制造商: MICROCHIP TECHNOLOGY数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 整流二极管及组件
描述: 二极管 75 V 200mA 表面贴装型 DO-213AA
技术: 标准
电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: 75 V
电流 - 平均整流 (Io): 200mA
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1 V @ 200 mA
速度: 小信号 =< 200mA（Io），任意速度
反向恢复时间 (trr): 20 ns
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 500 nA @ 75 V
不同 Vr、F 时电容: 4pF @ 0V，1MHz
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: DO-213AA
供应商器件封装: DO-213AA
工作温度 - 结: -65°C ~ 175°C
CDLL4148E3TR
制造商: MICROCHIP TECHNOLOGY数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 整流二极管及组件
描述: 二极管 75 V 200mA 表面贴装型 DO-213AA
技术: 标准
电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: 75 V
电流 - 平均整流 (Io): 200mA
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.2 V @ 100 mA
速度: 小信号 =< 200mA（Io），任意速度
反向恢复时间 (trr): 5 ns
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 500 nA @ 75 V
不同 Vr、F 时电容: 4pF @ 0V，1MHz
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: DO-213AA
供应商器件封装: DO-213AA
工作温度 - 结: -65°C ~ 200°C
技术: 标准
电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: 200 V
电流 - 平均整流 (Io): 1A
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 875 mV @ 1 A
速度: 快速恢复 = 200mA（Io）
反向恢复时间 (trr): 35 ns
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 2 µA @ 200 V
不同 Vr、F 时电容: -
等级: 汽车级
资质: AEC-Q101
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: DO-214AC，SMA
供应商器件封装: SMA
工作温度 - 结: -65°C ~ 175°C
S1G-E35AT
制造商: VISHAY GENERAL SEMICONDUCTOR - DIODES DIVISION数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 整流二极管及组件
描述: 二极管 400 V 1A 表面贴装型 DO-214AC（SMA）
技术: 标准
电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: 400 V
电流 - 平均整流 (Io): 1A
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.1 V @ 1 A
速度: 标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）
反向恢复时间 (trr): 1.8 µs
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 1 µA @ 400 V
不同 Vr、F 时电容: 12pF @ 4V，1MHz
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: DO-214AC，SMA
供应商器件封装: DO-214AC（SMA）
工作温度 - 结: -55°C ~ 150°C
US1G-E35AT
制造商: VISHAY GENERAL SEMICONDUCTOR - DIODES DIVISION数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 整流二极管及组件
描述: 二极管 400 V 1A 表面贴装型 DO-214AC（SMA）
技术: 标准
电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: 400 V
电流 - 平均整流 (Io): 1A
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1 V @ 1 A
速度: 快速恢复 = 200mA（Io）
反向恢复时间 (trr): 50 ns
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 10 µA @ 400 V
不同 Vr、F 时电容: 15pF @ 4V，1MHz
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: DO-214AC，SMA
供应商器件封装: DO-214AC（SMA）
工作温度 - 结: -55°C ~ 150°C
MB6S-E380
制造商: VISHAY GENERAL SEMICONDUCTOR - DIODES DIVISION数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 整流二极管及组件
描述: 桥式整流器 单相 标准 600 V 表面贴装型 TO-269AA（MBS）
二极管类型: 单相
技术: 标准
电压 - 峰值反向（最大值）: 600 V
电流 - 平均整流 (Io): 500 mA
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1 V @ 400 mA
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 5 µA @ 600 V
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: TO-269AA，4-BESOP
供应商器件封装: TO-269AA（MBS）