1N5819BKTINLEAD
制造商: CENTRAL SEMICONDUCTOR CORP数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 整流二极管及组件
描述: 二极管 40 V 1A 通孔 DO-41
技术: 肖特基
电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: 40 V
电流 - 平均整流 (Io): 1A
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 600 mV @ 1 A
速度: 快速恢复 = 200mA（Io）
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 1 mA @ 40 V
不同 Vr、F 时电容: -
安装类型: 通孔
封装/外壳: DO-204AL，DO-41，轴向
供应商器件封装: DO-41
工作温度 - 结: -65°C ~ 150°C
1N5819BKPBFREE
制造商: CENTRAL SEMICONDUCTOR CORP数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 整流二极管及组件
描述: 二极管 40 V 1A 通孔 DO-41
技术: 肖特基
电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: 40 V
电流 - 平均整流 (Io): 1A
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 600 mV @ 1 A
速度: 快速恢复 = 200mA（Io）
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 1 mA @ 40 V
不同 Vr、F 时电容: -
等级: -
资质: -
安装类型: 通孔
封装/外壳: DO-204AL，DO-41，轴向
供应商器件封装: DO-41
工作温度 - 结: -65°C ~ 150°C
1N5819-B
制造商: DIODES INCORPORATED数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 整流二极管及组件
描述: 二极管 40 V 1A 通孔 DO-41
技术: 肖特基
电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: 40 V
电流 - 平均整流 (Io): 1A
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 600 mV @ 1 A
速度: 快速恢复 = 200mA（Io）
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 1 mA @ 40 V
不同 Vr、F 时电容: 110pF @ 4V，1MHz
安装类型: 通孔
封装/外壳: DO-204AL，DO-41，轴向
供应商器件封装: DO-41
工作温度 - 结: -65°C ~ 125°C
IDP30E120XKSA1
制造商: INFINEON TECHNOLOGIES分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 整流二极管及组件
描述: 二极管 1200 V 50A 通孔 PG-TO220-2-2
技术: 标准
电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: 1200 V
电流 - 平均整流 (Io): 50A
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 2.15 V @ 30 A
速度: 快速恢复 = 200mA（Io）
反向恢复时间 (trr): 243 ns
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 100 µA @ 1200 V
不同 Vr、F 时电容: -
安装类型: 通孔
封装/外壳: TO-220-2
供应商器件封装: PG-TO220-2-2
工作温度 - 结: -55°C ~ 150°C
BAS70KFILM
制造商: STMICROELECTRONICS分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 整流二极管及组件
描述: 二极管 70 V 70mA 表面贴装型 SOD-523
技术: 肖特基
电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: 70 V
电流 - 平均整流 (Io): 70mA
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1 V @ 15 mA
速度: 小信号 =< 200mA（Io），任意速度
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 10 µA @ 70 V
不同 Vr、F 时电容: 2pF @ 0V，1MHz
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: SC-79，SOD-523
供应商器件封装: SOD-523
工作温度 - 结: 150°C（最大）
PMEG10020ELRX
制造商: NEXPERIA USA INC.分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 整流二极管及组件
描述: 二极管 100 V 2A 表面贴装型 SOD-123W
技术: 肖特基
电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: 100 V
电流 - 平均整流 (Io): 2A
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 830 mV @ 2 A
速度: 快速恢复 = 200mA（Io）
反向恢复时间 (trr): 3.7 ns
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 150 nA @ 100 V
不同 Vr、F 时电容: 70pF @ 1V，1MHz
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: SOD-123W
供应商器件封装: SOD-123W
工作温度 - 结: 175°C（最大）
CLS10F40,L3F
制造商: TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 整流二极管及组件
描述: 二极管 40 V 1A 表面贴装型 CL2E
技术: 肖特基
电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: 40 V
电流 - 平均整流 (Io): 1A
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 570 mV @ 1 A
速度: 快速恢复 = 200mA（Io）
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 25 µA @ 40 V
不同 Vr、F 时电容: 130pF @ 0V，1MHz
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: 0402（1006 公制）
供应商器件封装: CL2E
工作温度 - 结: 150°C
SBR1U150SA-13
制造商: DIODES INCORPORATED数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 整流二极管及组件
描述: 二极管 150 V 1A 表面贴装型 SMA
技术: 超级势垒
电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: 150 V
电流 - 平均整流 (Io): 1A
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 700 mV @ 1 A
速度: 快速恢复 = 200mA（Io）
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 100 µA @ 150 V
不同 Vr、F 时电容: -
等级: 汽车级
资质: AEC-Q101
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: DO-214AC，SMA
供应商器件封装: SMA
工作温度 - 结: -65°C ~ 150°C
SBRT5A50SAF-13
制造商: DIODES INCORPORATED数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 整流二极管及组件
描述: 二极管 50 V 5A 表面贴装型 SMAF
技术: 超级势垒
电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: 50 V
电流 - 平均整流 (Io): 5A
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 530 mV @ 5 A
速度: 标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 150 µA @ 50 V
不同 Vr、F 时电容: -
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: DO-221AC，SMA 扁平引线
供应商器件封装: SMAF
工作温度 - 结: -55°C ~ 150°C
SBR3A40SA-13
制造商: DIODES INCORPORATED数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 整流二极管及组件
描述: 二极管 40 V 3A 表面贴装型 SMA
技术: 超级势垒
电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: 40 V
电流 - 平均整流 (Io): 3A
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 500 mV @ 3 A
速度: 快速恢复 = 200mA（Io）
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 400 µA @ 40 V
不同 Vr、F 时电容: -
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: DO-214AC，SMA
供应商器件封装: SMA
工作温度 - 结: -65°C ~ 150°C