PDR5K-13
制造商: DIODES INCORPORATED分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 整流二极管及组件
描述: 二极管 750 V 5A 表面贴装型 PowerDI™ 5
技术: 标准
电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: 750 V
电流 - 平均整流 (Io): 5A
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 990 mV @ 5 A
速度: 标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）
反向恢复时间 (trr): 3 µs
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 10 µA @ 750 V
不同 Vr、F 时电容: -
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: PowerDI™ 5
供应商器件封装: PowerDI™ 5
工作温度 - 结: -65°C ~ 155°C
GSIB660N-M345
制造商: VISHAY GENERAL SEMICONDUCTOR - DIODES DIVISION数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 整流二极管及组件
描述: 桥式整流器 单相 标准 600 V 通孔 GSIB-5S
二极管类型: 单相
技术: 标准
电压 - 峰值反向（最大值）: 600 V
电流 - 平均整流 (Io): 6 A
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 950 mV @ 3 A
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 10 µA @ 600 V
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型: 通孔
封装/外壳: 4-SIP，GSIB-5S
供应商器件封装: GSIB-5S
技术: 标准
电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: 400 V
电流 - 平均整流 (Io): 3A
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1 V @ 3 A
速度: 标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 10 µA @ 400 V
不同 Vr、F 时电容: -
安装类型: 通孔
封装/外壳: DO-201AA，DO-27，轴向
供应商器件封装: 轴向
工作温度 - 结: -65°C ~ 150°C
B350A-E361T
制造商: VISHAY GENERAL SEMICONDUCTOR - DIODES DIVISION数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 整流二极管及组件
描述: 二极管 50 V 3A 表面贴装型 DO-214AC（SMA）
技术: 肖特基
电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: 50 V
电流 - 平均整流 (Io): 3A
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 720 mV @ 3 A
速度: 快速恢复 = 200mA（Io）
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 200 µA @ 50 V
不同 Vr、F 时电容: 145pF @ 4V，1MHz
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: DO-214AC，SMA
供应商器件封装: DO-214AC（SMA）
工作温度 - 结: -55°C ~ 150°C
1N4007
制造商: DIOTEC SEMICONDUCTOR数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 整流二极管及组件
描述: 二极管 1000 V 1A 通孔 DO-204AC（DO-41）
技术: 标准
电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: 1000 V
电流 - 平均整流 (Io): 1A
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.1 V @ 1 A
速度: 标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）
反向恢复时间 (trr): 1.5 µs
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 5 µA @ 1000 V
不同 Vr、F 时电容: -
安装类型: 通孔
封装/外壳: DO-204AC，DO-41，轴向
供应商器件封装: DO-204AC（DO-41）
工作温度 - 结: -50°C ~ 175°C
1N4007-TP
制造商: MCC (MICRO COMMERCIAL COMPONENTS)数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 整流二极管及组件
描述: 二极管 1000 V 1A 通孔 DO-41
技术: 标准
电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: 1000 V
电流 - 平均整流 (Io): 1A
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.1 V @ 1 A
速度: 标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）
反向恢复时间 (trr): 2 µs
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 5 µA @ 1000 V
不同 Vr、F 时电容: 15pF @ 4V，1MHz
安装类型: 通孔
封装/外壳: DO-204AL，DO-41，轴向
供应商器件封装: DO-41
工作温度 - 结: -55°C ~ 150°C
1N4007T-G
制造商: COMCHIP TECHNOLOGY分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 整流二极管及组件
描述: 二极管 1000 V 1A 通孔 DO-41
技术: 标准
电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: 1000 V
电流 - 平均整流 (Io): 1A
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.1 V @ 1 A
速度: 标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 5 µA @ 1000 V
不同 Vr、F 时电容: 15pF @ 4V，1MHz
安装类型: 通孔
封装/外壳: DO-204AL，DO-41，轴向
供应商器件封装: DO-41
工作温度 - 结: -55°C ~ 150°C
1N4007
制造商: GOOD-ARK SEMICONDUCTOR数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 整流二极管及组件
描述: 二极管 1000 V 1A 通孔 DO-204AL（DO-41）
技术: 标准
电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: 1000 V
电流 - 平均整流 (Io): 1A
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.1 V @ 1 A
速度: 标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）
反向恢复时间 (trr): 1 µs
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 5 µA @ 1000 V
不同 Vr、F 时电容: 15pF @ 4V，1MHz
等级: -
资质: -
安装类型: 通孔
封装/外壳: DO-204AL，DO-41，轴向
供应商器件封装: DO-204AL（DO-41）
工作温度 - 结: -55°C ~ 125°C
技术: 标准
电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: 1000 V
电流 - 平均整流 (Io): 1A
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1 V @ 1 A
速度: 标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 5 µA @ 1000 V
不同 Vr、F 时电容: 15pF @ 4V，1MHz
安装类型: 通孔
封装/外壳: DO-204AL，DO-41，轴向
供应商器件封装: DO-41
工作温度 - 结: -65°C ~ 125°C
1N4007-T
制造商: DIODES INCORPORATED数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 整流二极管及组件
描述: 二极管 1000 V 1A 通孔 DO-41
技术: 标准
电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: 1000 V
电流 - 平均整流 (Io): 1A
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1 V @ 1 A
速度: 标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 5 µA @ 1000 V
不同 Vr、F 时电容: 8pF @ 4V，1MHz
安装类型: 通孔
封装/外壳: DO-204AL，DO-41，轴向
供应商器件封装: DO-41
工作温度 - 结: -65°C ~ 150°C