BZT52B5V6-E3-18
制造商: VISHAY GENERAL SEMICONDUCTOR - DIODES DIVISION数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 电压调整二极管
描述: 二极管 - 齐纳 5.6 V 410 mW ±2% 表面贴装型 SOD-123
电压 - 齐纳（标称值）(Vz): 5.6 V
容差: ±2%
功率 - 最大值: 410 mW
阻抗（最大值）(Zzt): 40 Ohms
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 100 nA @ 1 V
工作温度: -55°C ~ 150°C
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: SOD-123
供应商器件封装: SOD-123
BZT52-B5V6X
制造商: NEXPERIA USA INC.分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 电压调整二极管
描述: 二极管 - 齐纳 5.6 V 590 mW ±1.96% 表面贴装型 SOD-123
电压 - 齐纳（标称值）(Vz): 5.6 V
容差: ±1.96%
功率 - 最大值: 590 mW
阻抗（最大值）(Zzt): 40 Ohms
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 1 µA @ 2 V
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 900 mV @ 10 mA
工作温度: -55°C ~ 150°C（TA）
等级: -
资质: -
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: SOD-123
供应商器件封装: SOD-123
KDZVTFTR13B
制造商: ROHM SEMICONDUCTOR分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 电压调整二极管
描述: 二极管 - 齐纳 14.15 V 1 W ±6.54% 表面贴装型 PMDU
电压 - 齐纳（标称值）(Vz): 14.15 V
容差: ±6.54%
功率 - 最大值: 1 W
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 10 µA @ 10 V
工作温度: 150°C（TJ）
等级: 汽车级
资质: AEC-Q101
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: SOD-123F
供应商器件封装: PMDU
BZT52H-A24-QX
制造商: NEXPERIA USA INC.分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 电压调整二极管
描述: 二极管 - 齐纳 24 V 375 mW ±1% 表面贴装型 SOD-123F
电压 - 齐纳（标称值）(Vz): 24 V
容差: ±1%
功率 - 最大值: 375 mW
阻抗（最大值）(Zzt): 30 Ohms
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 50 nA @ 16.8 V
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 900 mV @ 10 mA
工作温度: 150°C（TJ）
等级: 汽车级
资质: AEC-Q101
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: SOD-123F
供应商器件封装: SOD-123F
BZX38450-C4V7X
制造商: NEXPERIA USA INC.分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 电压调整二极管
描述: 二极管 - 齐纳 4.7 V 300 mW ±5% 表面贴装型 SOD-323
电压 - 齐纳（标称值）(Vz): 4.7 V
容差: ±5%
功率 - 最大值: 300 mW
阻抗（最大值）(Zzt): 80 Ohms
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 5 µA @ 3 V
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 900 mV @ 10 mA
工作温度: 150°C（TJ）
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: SC-76，SOD-323
供应商器件封装: SOD-323
BZX84J-C3V0,115
制造商: NEXPERIA USA INC.分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 电压调整二极管
描述: 二极管 - 齐纳 3 V 550 mW ±5% 表面贴装型 SOD-323F
电压 - 齐纳（标称值）(Vz): 3 V
容差: ±5%
功率 - 最大值: 550 mW
阻抗（最大值）(Zzt): 95 Ohms
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 10 µA @ 1 V
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.1 V @ 100 mA
工作温度: -65°C ~ 150°C
等级: 汽车级
资质: AEC-Q101
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: SC-90，SOD-323F
供应商器件封装: SOD-323F
1N5233B-TR
制造商: VISHAY GENERAL SEMICONDUCTOR - DIODES DIVISION数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 电压调整二极管
描述: 二极管 - 齐纳 6 V 500 mW ±5% 通孔 DO-204AH（DO-35）
电压 - 齐纳（标称值）(Vz): 6 V
容差: ±5%
功率 - 最大值: 500 mW
阻抗（最大值）(Zzt): 7 Ohms
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 5 µA @ 3.5 V
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.1 V @ 200 mA
工作温度: 175°C
等级: -
资质: -
安装类型: 通孔
封装/外壳: DO-204AH，DO-35，轴向
供应商器件封装: DO-204AH（DO-35）
1N5233B-T
制造商: DIODES INCORPORATED数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 电压调整二极管
描述: 二极管 - 齐纳 6 V 500 mW ±5% 通孔 DO-35
电压 - 齐纳（标称值）(Vz): 6 V
容差: ±5%
功率 - 最大值: 500 mW
阻抗（最大值）(Zzt): 7 Ohms
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 5 µA @ 3.5 V
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.1 V @ 200 mA
工作温度: -65°C ~ 200°C
安装类型: 通孔
封装/外壳: DO-204AH，DO-35，轴向
供应商器件封装: DO-35
1N5233BTRPBFREE
制造商: CENTRAL SEMICONDUCTOR CORP数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 电压调整二极管
描述: 二极管 - 齐纳 6 V 500 mW ±5% 通孔 DO-35
电压 - 齐纳（标称值）(Vz): 6 V
容差: ±5%
功率 - 最大值: 500 mW
阻抗（最大值）(Zzt): 7 Ohms
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 5 µA @ 3.5 V
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.1 V @ 200 mA
工作温度: -65°C ~ 200°C
安装类型: 通孔
封装/外壳: DO-204AH，DO-35，轴向
供应商器件封装: DO-35
1N5233B
制造商: TAIWAN SEMICONDUCTOR CORPORATION数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 电压调整二极管
描述: 二极管 - 齐纳 6 V 500 mW ±5% 通孔 DO-35
电压 - 齐纳（标称值）(Vz): 6 V
容差: ±5%
功率 - 最大值: 500 mW
阻抗（最大值）(Zzt): 7 Ohms
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 5 µA @ 3.5 V
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.1 V @ 200 mA
工作温度: 200°C（TJ）
安装类型: 通孔
封装/外壳: DO-204AH，DO-35，轴向
供应商器件封装: DO-35