BZT52C5V1-HE3_A-18
制造商: VISHAY GENERAL SEMICONDUCTOR - DIODES DIVISION数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 电压调整二极管
描述: 二极管 - 齐纳 5.1 V 300 mW ±5% 表面贴装型 SOD-123
电压 - 齐纳（标称值）(Vz): 5.1 V
容差: ±5%
功率 - 最大值: 300 mW
阻抗（最大值）(Zzt): 60 Ohms
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 100 nA @ 800 mV
工作温度: 150°C（TJ）
等级: 汽车级
资质: AEC-Q101
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: SOD-123
供应商器件封装: SOD-123
BZT52C5V1-7
制造商: DIODES INCORPORATED数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 电压调整二极管
描述: 二极管 - 齐纳 5.1 V 500 mW ±6% 表面贴装型 SOD-123
电压 - 齐纳（标称值）(Vz): 5.1 V
容差: ±6%
功率 - 最大值: 500 mW
阻抗（最大值）(Zzt): 60 Ohms
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 2 µA @ 2 V
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 900 mV @ 10 mA
工作温度: -65°C ~ 150°C
等级: -
资质: -
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: SOD-123
供应商器件封装: SOD-123
BZT52C5V1S-7
制造商: DIODES INCORPORATED数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 电压调整二极管
描述: 二极管 - 齐纳 5.1 V 200 mW ±6% 表面贴装型 SOD-323
电压 - 齐纳（标称值）(Vz): 5.1 V
容差: ±6%
功率 - 最大值: 200 mW
阻抗（最大值）(Zzt): 60 Ohms
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 2 µA @ 2 V
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 900 mV @ 10 mA
工作温度: -65°C ~ 150°C
等级: -
资质: -
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: SC-76，SOD-323
供应商器件封装: SOD-323
BZT52C5V1-13
制造商: DIODES INCORPORATED数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 电压调整二极管
描述: 二极管 - 齐纳 5.1 V 500 mW ±6% 表面贴装型 SOD-123
电压 - 齐纳（标称值）(Vz): 5.1 V
容差: ±6%
功率 - 最大值: 500 mW
阻抗（最大值）(Zzt): 60 Ohms
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 2 µA @ 2 V
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 900 mV @ 10 mA
工作温度: -65°C ~ 150°C
等级: -
资质: -
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: SOD-123
供应商器件封装: SOD-123
BZT52C5V1-HE3-08
制造商: VISHAY GENERAL SEMICONDUCTOR - DIODES DIVISION数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 电压调整二极管
描述: 二极管 - 齐纳 5.1 V 410 mW ±5% 表面贴装型 SOD-123
电压 - 齐纳（标称值）(Vz): 5.1 V
容差: ±5%
功率 - 最大值: 410 mW
阻抗（最大值）(Zzt): 60 Ohms
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 100 nA @ 800 mV
工作温度: -55°C ~ 150°C
等级: 汽车级
资质: AEC-Q101
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: SOD-123
供应商器件封装: SOD-123
KDZTR20B
制造商: ROHM SEMICONDUCTOR分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 电压调整二极管
描述: 二极管 - 齐纳 20.8 V 1 W ±6% 表面贴装型 PMDU
电压 - 齐纳（标称值）(Vz): 20.8 V
容差: ±6%
功率 - 最大值: 1 W
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 10 µA @ 15 V
工作温度: -55°C ~ 150°C
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: SOD-123F
供应商器件封装: PMDU
SML4746A-E361
制造商: VISHAY GENERAL SEMICONDUCTOR - DIODES DIVISION数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 电压调整二极管
描述: 二极管 - 齐纳 18 V 1 W ±5% 表面贴装型 DO-214AC（SMA）
电压 - 齐纳（标称值）(Vz): 18 V
容差: ±5%
功率 - 最大值: 1 W
阻抗（最大值）(Zzt): 20 Ohms
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 5 µA @ 13.7 V
工作温度: 150°C
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: DO-214AC，SMA
供应商器件封装: DO-214AC（SMA）
SML4746A-E35A
制造商: VISHAY GENERAL SEMICONDUCTOR - DIODES DIVISION数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 电压调整二极管
描述: 二极管 - 齐纳 18 V 1 W ±5% 表面贴装型 DO-214AC（SMA）
电压 - 齐纳（标称值）(Vz): 18 V
容差: ±5%
功率 - 最大值: 1 W
阻抗（最大值）(Zzt): 20 Ohms
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 5 µA @ 13.7 V
工作温度: 150°C
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: DO-214AC，SMA
供应商器件封装: DO-214AC（SMA）
SML4746AHE3_AH
制造商: VISHAY GENERAL SEMICONDUCTOR - DIODES DIVISION数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 电压调整二极管
描述: 二极管 - 齐纳 18 V 1 W ±5% 表面贴装型 DO-214AC（SMA）
电压 - 齐纳（标称值）(Vz): 18 V
容差: ±5%
功率 - 最大值: 1 W
阻抗（最大值）(Zzt): 20 Ohms
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 5 µA @ 13.7 V
工作温度: 150°C
等级: 汽车级
资质: AEC-Q101
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: DO-214AC，SMA
供应商器件封装: DO-214AC（SMA）
SML4746AHE3_AI
制造商: VISHAY GENERAL SEMICONDUCTOR - DIODES DIVISION数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 电压调整二极管
描述: 二极管 - 齐纳 18 V 1 W ±5% 表面贴装型 DO-214AC（SMA）
电压 - 齐纳（标称值）(Vz): 18 V
容差: ±5%
功率 - 最大值: 1 W
阻抗（最大值）(Zzt): 20 Ohms
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 5 µA @ 13.7 V
工作温度: 150°C
等级: 汽车级
资质: AEC-Q101
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: DO-214AC，SMA
供应商器件封装: DO-214AC（SMA）