MM5Z12VT1G
制造商: ONSEMI数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 电压调整二极管
描述: 二极管 - 齐纳 12 V 500 mW ±5.4% 表面贴装型 SOD-523
电压 - 齐纳（标称值）(Vz): 12 V
容差: ±5.4%
功率 - 最大值: 500 mW
阻抗（最大值）(Zzt): 25 Ohms
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 100 nA @ 8 V
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 900 mV @ 10 mA
工作温度: -65°C ~ 150°C
等级: -
资质: -
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: SC-79，SOD-523
供应商器件封装: SOD-523
MM3Z24VB
制造商: ONSEMI数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 电压调整二极管
描述: 二极管 - 齐纳 24 V 200 mW ±2% 表面贴装型 SOD-323F
电压 - 齐纳（标称值）(Vz): 24 V
容差: ±2%
功率 - 最大值: 200 mW
阻抗（最大值）(Zzt): 65 Ohms
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 45 nA @ 16.8 V
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1 V @ 10 mA
工作温度: -65°C ~ 150°C
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: SC-90，SOD-323F
供应商器件封装: SOD-323F
NZD7V5MUT5G
制造商: ONSEMI数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 电压调整二极管
描述: 二极管 - 齐纳 7.5 V 200 mW ±5% 表面贴装型 2-X3DFN（0.6x0.3）（0201）
电压 - 齐纳（标称值）(Vz): 7.5 V
容差: ±5%
功率 - 最大值: 200 mW
阻抗（最大值）(Zzt): 30 Ohms
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 500 nA @ 4 V
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.1 V @ 10 mA
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: 0201（0603 公制）
供应商器件封装: 2-X3DFN（0.6x0.3）（0201）
TDZ12J,115
制造商: NEXPERIA USA INC.分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 电压调整二极管
描述: 二极管 - 齐纳 12 V 500 mW ±2% 表面贴装型 SOD-323F
电压 - 齐纳（标称值）(Vz): 12 V
容差: ±2%
功率 - 最大值: 500 mW
阻抗（最大值）(Zzt): 10 Ohms
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 100 nA @ 8 V
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.1 V @ 100 mA
工作温度: -55°C ~ 150°C
等级: 汽车级
资质: AEC-Q101
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: SC-90，SOD-323F
供应商器件封装: SOD-323F
BZX84W-C43X
制造商: NEXPERIA USA INC.分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 电压调整二极管
描述: 二极管 - 齐纳 43 V 275 mW ±5% 表面贴装型 SOT-323
电压 - 齐纳（标称值）(Vz): 43 V
容差: ±5%
功率 - 最大值: 275 mW
阻抗（最大值）(Zzt): 150 Ohms
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 50 nA @ 30.1 V
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 900 mV @ 10 mA
工作温度: 150°C（TJ）
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: SC-70，SOT-323
供应商器件封装: SOT-323
ZMY68-GS08
制造商: VISHAY GENERAL SEMICONDUCTOR - DIODES DIVISION数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 电压调整二极管
描述: 二极管 - 齐纳 68 V 1 W ±5% 表面贴装型 DO-213AB
电压 - 齐纳（标称值）(Vz): 68 V
容差: ±5%
功率 - 最大值: 1 W
阻抗（最大值）(Zzt): 130 Ohms
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 500 nA @ 51 V
工作温度: 175°C
等级: 汽车级
资质: AEC-Q101
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: DO-213AB，MELF（玻璃）
供应商器件封装: DO-213AB
ZMY68
制造商: DIOTEC SEMICONDUCTOR数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 电压调整二极管
描述: 二极管 - 齐纳 68 V 1.3 W ±5% 表面贴装型 DO-213AB（MELF）
电压 - 齐纳（标称值）(Vz): 68 V
容差: ±5%
功率 - 最大值: 1.3 W
阻抗（最大值）(Zzt): 25 Ohms
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 1 µA @ 34 V
工作温度: -50°C ~ 150°C（TJ）
等级: -
资质: -
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: DO-213AB，MELF
供应商器件封装: DO-213AB（MELF）
ZMY68B
制造商: DIOTEC SEMICONDUCTOR数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 电压调整二极管
描述: 二极管 - 齐纳 68 V 1.3 W ±2% 表面贴装型 DO-213AB（MELF）
电压 - 齐纳（标称值）(Vz): 68 V
容差: ±2%
功率 - 最大值: 1.3 W
阻抗（最大值）(Zzt): 25 Ohms
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 1 µA @ 54 V
工作温度: -50°C ~ 150°C（TJ）
等级: -
资质: -
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: DO-213AB，MELF
供应商器件封装: DO-213AB（MELF）
ZMY68-GS18
制造商: VISHAY GENERAL SEMICONDUCTOR - DIODES DIVISION数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 电压调整二极管
描述: 二极管 - 齐纳 68 V 1 W ±5% 表面贴装型 DO-213AB
电压 - 齐纳（标称值）(Vz): 68 V
容差: ±5%
功率 - 最大值: 1 W
阻抗（最大值）(Zzt): 130 Ohms
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 500 nA @ 51 V
工作温度: 175°C
等级: 汽车级
资质: AEC-Q101
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: DO-213AB，MELF（玻璃）
供应商器件封装: DO-213AB
BZT52B5V6
制造商: DIOTEC SEMICONDUCTOR数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 电压调整二极管
描述: 二极管 - 齐纳 5.6 V 500 mW ±2% 表面贴装型 SOD-123F
电压 - 齐纳（标称值）(Vz): 5.6 V
容差: ±2%
功率 - 最大值: 500 mW
阻抗（最大值）(Zzt): 60 Ohms
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 2 µA @ 1.5 V
工作温度: -50°C ~ 150°C（TJ）
等级: -
资质: -
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: SOD-123F
供应商器件封装: SOD-123F