1N5233BTRTINLEAD
制造商: CENTRAL SEMICONDUCTOR CORP分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 电压调整二极管
描述: 二极管 - 齐纳 6 V 500 mW ±5% 通孔 DO-35
电压 - 齐纳（标称值）(Vz): 6 V
容差: ±5%
功率 - 最大值: 500 mW
阻抗（最大值）(Zzt): 7 Ohms
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 5 µA @ 3.5 V
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.2 V @ 200 mA
工作温度: -65°C ~ 200°C（TJ）
等级: -
资质: -
安装类型: 通孔
封装/外壳: DO-204AH，DO-35，轴向
供应商器件封装: DO-35
MMSZ5228BT1G
制造商: ONSEMI数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 电压调整二极管
描述: 二极管 - 齐纳 3.9 V 500 mW ±5% 表面贴装型 SOD-123
电压 - 齐纳（标称值）(Vz): 3.9 V
容差: ±5%
功率 - 最大值: 500 mW
阻抗（最大值）(Zzt): 23 Ohms
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 10 µA @ 1 V
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 900 mV @ 10 mA
工作温度: -55°C ~ 150°C
等级: -
资质: -
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: SOD-123
供应商器件封装: SOD-123
SZMMSZ5228BT1G
制造商: ONSEMI数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 电压调整二极管
描述: 二极管 - 齐纳 3.9 V 500 mW ±5% 表面贴装型 SOD-123
电压 - 齐纳（标称值）(Vz): 3.9 V
容差: ±5%
功率 - 最大值: 500 mW
阻抗（最大值）(Zzt): 23 Ohms
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 10 µA @ 1 V
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 900 mV @ 10 mA
工作温度: -55°C ~ 150°C
等级: 汽车级
资质: AEC-Q101
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: SOD-123
供应商器件封装: SOD-123
SMBJ5344B-TP
制造商: MCC (MICRO COMMERCIAL COMPONENTS)数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 电压调整二极管
描述: 二极管 - 齐纳 8.2 V 5 W ±5% 表面贴装型 DO-214AA（SMB）
电压 - 齐纳（标称值）(Vz): 8.2 V
容差: ±5%
功率 - 最大值: 5 W
阻抗（最大值）(Zzt): 1.5 Ohms
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 10 µA @ 6.2 V
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.2 V @ 1 mA
工作温度: -55°C ~ 150°C
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: DO-214AA，SMB
供应商器件封装: DO-214AA（SMB）
BZX84-A6V2,215
制造商: NEXPERIA USA INC.分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 电压调整二极管
描述: 二极管 - 齐纳 6.2 V 250 mW ±1% 表面贴装型 TO-236AB
电压 - 齐纳（标称值）(Vz): 6.2 V
容差: ±1%
功率 - 最大值: 250 mW
阻抗（最大值）(Zzt): 10 Ohms
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 3 µA @ 4 V
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 900 mV @ 10 mA
工作温度: -65°C ~ 150°C
等级: -
资质: -
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装: TO-236AB
BZT52C5V1-TP
制造商: MCC (MICRO COMMERCIAL COMPONENTS)数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 电压调整二极管
描述: 二极管 - 齐纳 5.1 V 500 mW ±6% 表面贴装型 SOD-123
电压 - 齐纳（标称值）(Vz): 5.1 V
容差: ±6%
功率 - 最大值: 500 mW
阻抗（最大值）(Zzt): 60 Ohms
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 2 µA @ 2 V
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 900 mV @ 10 mA
工作温度: -65°C ~ 150°C
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: SOD-123
供应商器件封装: SOD-123
BZT52C5V1S-TP
制造商: MCC (MICRO COMMERCIAL COMPONENTS)数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 电压调整二极管
描述: 二极管 - 齐纳 5.1 V 200 mW ±6% 表面贴装型 SOD-323
电压 - 齐纳（标称值）(Vz): 5.1 V
容差: ±6%
功率 - 最大值: 200 mW
阻抗（最大值）(Zzt): 60 Ohms
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 2 µA @ 2 V
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 900 mV @ 10 mA
工作温度: -65°C ~ 150°C
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: SC-76，SOD-323
供应商器件封装: SOD-323
BZT52-C5V1S_R1_00001
制造商: PANJIT INTERNATIONAL INC.数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 电压调整二极管
描述: 二极管 - 齐纳 5.1 V 200 mW ±5% 表面贴装型 SOD-323
电压 - 齐纳（标称值）(Vz): 5.1 V
容差: ±5%
功率 - 最大值: 200 mW
阻抗（最大值）(Zzt): 60 Ohms
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 100 nA @ 800 mV
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: SC-90，SOD-323F
供应商器件封装: SOD-323
BZT52C5V1T-TP
制造商: MCC (MICRO COMMERCIAL COMPONENTS)数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 电压调整二极管
描述: 二极管 - 齐纳 5.1 V 200 mW ±6% 表面贴装型 SOD-523
电压 - 齐纳（标称值）(Vz): 5.1 V
容差: ±6%
功率 - 最大值: 200 mW
阻抗（最大值）(Zzt): 60 Ohms
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 2 µA @ 2 V
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 900 mV @ 10 mA
工作温度: -65°C ~ 150°C
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: SC-79，SOD-523
供应商器件封装: SOD-523
BZT52-C5V1_R1_00001
制造商: PANJIT INTERNATIONAL INC.数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 电压调整二极管
描述: 二极管 - 齐纳 5.1 V 410 mW ±5% 表面贴装型 SOD-123
电压 - 齐纳（标称值）(Vz): 5.1 V
容差: ±5%
功率 - 最大值: 410 mW
阻抗（最大值）(Zzt): 60 Ohms
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 100 nA @ 800 mV
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
等级: -
资质: -
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: SOD-123
供应商器件封装: SOD-123