GBU406G
制造商: SMC DIODE SOLUTIONS分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 整流二极管及组件
描述: 桥式整流器 单相 标准 600 V 通孔 GBU
二极管类型: 单相
技术: 标准
电压 - 峰值反向（最大值）: 600 V
电流 - 平均整流 (Io): 4 A
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.1 V @ 4 A
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 5 µA @ 600 V
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型: 通孔
封装/外壳: 4-ESIP
供应商器件封装: GBU
二极管类型: 单相
技术: 标准
电压 - 峰值反向（最大值）: 600 V
电流 - 平均整流 (Io): 4 A
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.1 V @ 2 A
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 5 µA @ 600 V
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
等级: -
资质: -
安装类型: 通孔
封装/外壳: 4-SIP，GBU
供应商器件封装: GBU
GBU406
制造商: TAIWAN SEMICONDUCTOR CORPORATION数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 整流二极管及组件
描述: 桥式整流器 单相 标准 800 V 通孔 GBU
二极管类型: 单相
技术: 标准
电压 - 峰值反向（最大值）: 800 V
电流 - 平均整流 (Io): 4 A
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1 V @ 2 A
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 5 µA @ 800 V
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型: 通孔
封装/外壳: 4-SIP，GBU
供应商器件封装: GBU
GBU406-K
制造商: TAIWAN SEMICONDUCTOR CORPORATION数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 整流二极管及组件
描述: 桥式整流器 单相 标准 800 V 通孔 GBU
二极管类型: 单相
技术: 标准
电压 - 峰值反向（最大值）: 800 V
电流 - 平均整流 (Io): 4 A
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.1 V @ 4 A
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 5 µA @ 800 V
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
等级: -
资质: -
安装类型: 通孔
封装/外壳: 4-ESIP，GBU
供应商器件封装: GBU
PMEG1020EH,115
制造商: NEXPERIA USA INC.分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 整流二极管及组件
描述: 二极管 10 V 2A 表面贴装型 SOD-123F
技术: 肖特基
电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: 10 V
电流 - 平均整流 (Io): 2A
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 460 mV @ 2 A
速度: 快速恢复 = 200mA（Io）
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 3 mA @ 10 V
不同 Vr、F 时电容: 50pF @ 5V，1MHz
等级: 汽车级
资质: AEC-Q101
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: SOD-123F
供应商器件封装: SOD-123F
工作温度 - 结: 150°C（最大）
PMEG1020EH-QX
制造商: NEXPERIA USA INC.分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 整流二极管及组件
描述: 二极管 10 V 2A 表面贴装型 SOD-123F
技术: 肖特基
电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: 10 V
电流 - 平均整流 (Io): 2A
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 460 mV @ 2 A
速度: 快速恢复 = 200mA（Io）
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 3 mA @ 10 V
不同 Vr、F 时电容: 40pF @ 5V，1MHz
等级: 汽车级
资质: AEC-Q101
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: SOD-123F
供应商器件封装: SOD-123F
工作温度 - 结: 150°C
1N4148
制造商: DIOTEC SEMICONDUCTOR数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 整流二极管及组件
描述: 二极管 75 V 200mA 通孔 DO-35
技术: 标准
电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: 75 V
电流 - 平均整流 (Io): 200mA
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1 V @ 10 mA
速度: 小信号 =< 200mA（Io），任意速度
反向恢复时间 (trr): 4 ns
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 5 µA @ 75 V
不同 Vr、F 时电容: 4pF @ 0V，1MHz
安装类型: 通孔
封装/外壳: DO-204AH，DO-35，轴向
供应商器件封装: DO-35
工作温度 - 结: -50°C ~ 175°C
1N4148TR
制造商: VISHAY GENERAL SEMICONDUCTOR - DIODES DIVISION数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 整流二极管及组件
描述: 二极管 75 V 300mA 通孔 DO-204AH（DO-35）
技术: 标准
电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: 75 V
电流 - 平均整流 (Io): 300mA
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1 V @ 10 mA
速度: 快速恢复 = 200mA（Io）
反向恢复时间 (trr): 8 ns
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 25 nA @ 20 V
不同 Vr、F 时电容: 4pF @ 0V，1MHz
安装类型: 通孔
封装/外壳: DO-204AH，DO-35，轴向
供应商器件封装: DO-204AH（DO-35）
工作温度 - 结: -65°C ~ 150°C
1N4148
制造商: GOOD-ARK SEMICONDUCTOR数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 整流二极管及组件
描述: 二极管 75 V 150mA 通孔 DO-204AH（DO-35 玻璃）
技术: 标准
电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: 75 V
电流 - 平均整流 (Io): 150mA
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1 V @ 10 mA
速度: 小信号 =< 200mA（Io），任意速度
反向恢复时间 (trr): 4 ns
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 5 µA @ 75 V
不同 Vr、F 时电容: 4pF @ 0V，1MHz
安装类型: 通孔
封装/外壳: DO-204AH，DO-35，轴向
供应商器件封装: DO-204AH（DO-35 玻璃）
工作温度 - 结: 175°C
技术: 标准
电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: 100 V
电流 - 平均整流 (Io): 200mA
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1 V @ 10 mA
速度: 小信号 =< 200mA（Io），任意速度
反向恢复时间 (trr): 4 ns
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 5 µA @ 75 V
不同 Vr、F 时电容: 4pF @ 0V，1MHz
安装类型: 通孔
封装/外壳: DO-204AH，DO-35，轴向
供应商器件封装: DO-35
工作温度 - 结: -55°C ~ 175°C