1N4007T-G
制造商: COMCHIP TECHNOLOGY分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 整流二极管及组件
描述: 二极管 1000 V 1A 通孔 DO-41
技术: 标准
电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: 1000 V
电流 - 平均整流 (Io): 1A
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.1 V @ 1 A
速度: 标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 5 µA @ 1000 V
不同 Vr、F 时电容: 15pF @ 4V，1MHz
安装类型: 通孔
封装/外壳: DO-204AL，DO-41，轴向
供应商器件封装: DO-41
工作温度 - 结: -55°C ~ 150°C
1N4007
制造商: GOOD-ARK SEMICONDUCTOR数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 整流二极管及组件
描述: 二极管 1000 V 1A 通孔 DO-204AL（DO-41）
技术: 标准
电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: 1000 V
电流 - 平均整流 (Io): 1A
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.1 V @ 1 A
速度: 标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）
反向恢复时间 (trr): 1 µs
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 5 µA @ 1000 V
不同 Vr、F 时电容: 15pF @ 4V，1MHz
等级: -
资质: -
安装类型: 通孔
封装/外壳: DO-204AL，DO-41，轴向
供应商器件封装: DO-204AL（DO-41）
工作温度 - 结: -55°C ~ 125°C
技术: 标准
电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: 1000 V
电流 - 平均整流 (Io): 1A
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1 V @ 1 A
速度: 标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 5 µA @ 1000 V
不同 Vr、F 时电容: 15pF @ 4V，1MHz
安装类型: 通孔
封装/外壳: DO-204AL，DO-41，轴向
供应商器件封装: DO-41
工作温度 - 结: -65°C ~ 125°C
1N4007-T
制造商: DIODES INCORPORATED数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 整流二极管及组件
描述: 二极管 1000 V 1A 通孔 DO-41
技术: 标准
电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: 1000 V
电流 - 平均整流 (Io): 1A
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1 V @ 1 A
速度: 标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 5 µA @ 1000 V
不同 Vr、F 时电容: 8pF @ 4V，1MHz
安装类型: 通孔
封装/外壳: DO-204AL，DO-41，轴向
供应商器件封装: DO-41
工作温度 - 结: -65°C ~ 150°C
1N4007-TP-HF
制造商: MCC (MICRO COMMERCIAL COMPONENTS)数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 整流二极管及组件
描述: 二极管 1000 V 1A 通孔 DO-41
技术: 标准
电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: 1000 V
电流 - 平均整流 (Io): 1A
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1 V @ 1 A
速度: 标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）
反向恢复时间 (trr): 2 µs
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 5 µA @ 1000 V
不同 Vr、F 时电容: 15pF @ 4V，1MHz
安装类型: 通孔
封装/外壳: DO-204AL，DO-41，轴向
供应商器件封装: DO-41
工作温度 - 结: -55°C ~ 150°C
ESH3C-M357T
制造商: VISHAY GENERAL SEMICONDUCTOR - DIODES DIVISION数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 整流二极管及组件
描述: 二极管 150 V 3A 表面贴装型 DO-214AB（SMC）
技术: 标准
电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: 150 V
电流 - 平均整流 (Io): 3A
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 900 mV @ 3 A
速度: 快速恢复 = 200mA（Io）
反向恢复时间 (trr): 40 ns
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 5 µA @ 150 V
不同 Vr、F 时电容: 70pF @ 4V，1MHz
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: DO-214AB，SMC
供应商器件封装: DO-214AB（SMC）
工作温度 - 结: -55°C ~ 175°C
SE40PD-M386A
制造商: VISHAY GENERAL SEMICONDUCTOR - DIODES DIVISION数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 整流二极管及组件
描述: 二极管 200 V 2.4A 表面贴装型 TO-277A（SMPC）
技术: 标准
电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: 200 V
电流 - 平均整流 (Io): 2.4A
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.05 V @ 2 A
速度: 标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）
反向恢复时间 (trr): 2.2 µs
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 10 µA @ 200 V
不同 Vr、F 时电容: 28pF @ 4V，1MHz
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: TO-277，3-PowerDFN
供应商器件封装: TO-277A（SMPC）
工作温度 - 结: -55°C ~ 175°C
技术: 标准
电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: 300 V
电流 - 平均整流 (Io): 15A
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.68 V @ 15 A
速度: 快速恢复 = 200mA（Io）
反向恢复时间 (trr): 30 ns
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 100 µA @ 300 V
不同 Vr、F 时电容: -
安装类型: 通孔
封装/外壳: TO-220-2
供应商器件封装: TO-220AC
工作温度 - 结: -55°C ~ 175°C
S5A-M357T
制造商: VISHAY GENERAL SEMICONDUCTOR - DIODES DIVISION数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 整流二极管及组件
描述: 二极管 50 V 5A 表面贴装型 DO-214AB（SMC）
技术: 标准
电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: 50 V
电流 - 平均整流 (Io): 5A
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.15 V @ 5 A
速度: 标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）
反向恢复时间 (trr): 2.5 µs
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 10 µA @ 50 V
不同 Vr、F 时电容: 40pF @ 4V，1MHz
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: DO-214AB，SMC
供应商器件封装: DO-214AB（SMC）
工作温度 - 结: -55°C ~ 150°C
技术: 标准
电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: 100 V
电流 - 平均整流 (Io): 200mA
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1 V @ 10 mA
速度: 小信号 =< 200mA（Io），任意速度
反向恢复时间 (trr): 4 ns
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 5 µA @ 75 V
不同 Vr、F 时电容: 4pF @ 0V，1MHz
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: DO-213AC，MINI-MELF，SOD-80
供应商器件封装: SOD-80
工作温度 - 结: -55°C ~ 175°C