1N4746ATRPBFREE

制造商: CENTRAL SEMICONDUCTOR CORP
数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 电压调整二极管

描述: 二极管 - 齐纳 18 V 1 W ±5% 通孔 DO-41

电压 - 齐纳(标称值)(Vz): 18 V 容差: ±5% 功率 - 最大值: 1 W 阻抗(最大值)(Zzt): 20 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 5 µA @ 13.7 V 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.2 V @ 200 mA 工作温度: -65°C ~ 200°C 安装类型: 通孔 封装/外壳: DO-204AL,DO-41,轴向 供应商器件封装: DO-41

1N4746A,113

制造商: NEXPERIA USA INC.
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 电压调整二极管

描述: 二极管 - 齐纳 18 V 1 W ±5% 通孔 DO-41

电压 - 齐纳(标称值)(Vz): 18 V 容差: ±5% 功率 - 最大值: 1 W 阻抗(最大值)(Zzt): 20 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 5 µA @ 13.7 V 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.2 V @ 200 mA 工作温度: -65°C ~ 200°C 安装类型: 通孔 封装/外壳: DO-204AL,DO-41,轴向 供应商器件封装: DO-41

1N4746A

制造商: TAIWAN SEMICONDUCTOR CORPORATION
数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 电压调整二极管

描述: 二极管 - 齐纳 18 V 1 W ±5% 通孔 DO-204AL(DO-41)

电压 - 齐纳(标称值)(Vz): 18 V 容差: ±5% 功率 - 最大值: 1 W 阻抗(最大值)(Zzt): 40 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 5 µA @ 13.7 V 工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型: 通孔 封装/外壳: DO-204AL,DO-41,轴向 供应商器件封装: DO-204AL(DO-41)

1N4746A-T

制造商: DIODES INCORPORATED
数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 电压调整二极管

描述: 二极管 - 齐纳 18 V 1 W ±5% 通孔 DO-41

电压 - 齐纳(标称值)(Vz): 18 V 容差: ±5% 功率 - 最大值: 1 W 阻抗(最大值)(Zzt): 20 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 5 µA @ 13.7 V 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.2 V @ 200 mA 工作温度: -65°C ~ 175°C 安装类型: 通孔 封装/外壳: DO-204AL,DO-41,轴向 供应商器件封装: DO-41

MM5Z12VT1G

制造商: ONSEMI
数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 电压调整二极管

描述: 二极管 - 齐纳 12 V 500 mW ±5.4% 表面贴装型 SOD-523

电压 - 齐纳(标称值)(Vz): 12 V 容差: ±5.4% 功率 - 最大值: 500 mW 阻抗(最大值)(Zzt): 25 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 100 nA @ 8 V 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 900 mV @ 10 mA 工作温度: -65°C ~ 150°C 等级: - 资质: - 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: SC-79,SOD-523 供应商器件封装: SOD-523

MM3Z24VB

制造商: ONSEMI
数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 电压调整二极管

描述: 二极管 - 齐纳 24 V 200 mW ±2% 表面贴装型 SOD-323F

电压 - 齐纳(标称值)(Vz): 24 V 容差: ±2% 功率 - 最大值: 200 mW 阻抗(最大值)(Zzt): 65 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 45 nA @ 16.8 V 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1 V @ 10 mA 工作温度: -65°C ~ 150°C 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: SC-90,SOD-323F 供应商器件封装: SOD-323F

NZD7V5MUT5G

制造商: ONSEMI
数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 电压调整二极管

描述: 二极管 - 齐纳 7.5 V 200 mW ±5% 表面贴装型 2-X3DFN(0.6x0.3)(0201)

电压 - 齐纳(标称值)(Vz): 7.5 V 容差: ±5% 功率 - 最大值: 200 mW 阻抗(最大值)(Zzt): 30 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 500 nA @ 4 V 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.1 V @ 10 mA 工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: 0201(0603 公制) 供应商器件封装: 2-X3DFN(0.6x0.3)(0201)

TDZ12J,115

制造商: NEXPERIA USA INC.
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 电压调整二极管

描述: 二极管 - 齐纳 12 V 500 mW ±2% 表面贴装型 SOD-323F

电压 - 齐纳(标称值)(Vz): 12 V 容差: ±2% 功率 - 最大值: 500 mW 阻抗(最大值)(Zzt): 10 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 100 nA @ 8 V 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.1 V @ 100 mA 工作温度: -55°C ~ 150°C 等级: 汽车级 资质: AEC-Q101 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: SC-90,SOD-323F 供应商器件封装: SOD-323F

BZX84W-C43X

制造商: NEXPERIA USA INC.
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 电压调整二极管

描述: 二极管 - 齐纳 43 V 275 mW ±5% 表面贴装型 SOT-323

电压 - 齐纳(标称值)(Vz): 43 V 容差: ±5% 功率 - 最大值: 275 mW 阻抗(最大值)(Zzt): 150 Ohms 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 50 nA @ 30.1 V 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 900 mV @ 10 mA 工作温度: 150°C(TJ) 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: SC-70,SOT-323 供应商器件封装: SOT-323