MAPLAD15KP8.0CAE3

制造商: MICROCHIP TECHNOLOGY
数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 瞬态抑制二极管

描述: 13.6V 夹子 1101A(1.101kA) Ipp TVS - 二极管 表面贴装型 PLAD

类型: 齐纳 双向通道: 1 电压 - 反向断态(典型值): 8V 电压 - 击穿(最小值): 8.89V 不同 Ipp 时电压 - 箝位(最大值): 13.6V 电流 - 峰值脉冲 (10/1000µs): 1101A(1.101kA) 功率 - 峰值脉冲: 15000W(15kW) 电源线路保护: 无 应用: 通用 不同频率时电容: - 工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ) 等级: 军用 资质: MIL-PRF-19500 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: 非标准型 SMD 供应商器件封装: PLAD

MPLAD30KP16CA

制造商: MICROCHIP TECHNOLOGY
数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 瞬态抑制二极管

描述: 27.2V 夹子 1101A(1.101kA) Ipp TVS - 二极管 表面贴装型 PLAD

类型: 齐纳 双向通道: 1 电压 - 反向断态(典型值): 16V 电压 - 击穿(最小值): 17.8V 不同 Ipp 时电压 - 箝位(最大值): 27.2V 电流 - 峰值脉冲 (10/1000µs): 1101A(1.101kA) 功率 - 峰值脉冲: 30000W(30kW) 电源线路保护: 无 应用: 通用 不同频率时电容: - 工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: 非标准型 SMD 供应商器件封装: PLAD

MPLAD30KP16CAE3

制造商: MICROCHIP TECHNOLOGY
数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 瞬态抑制二极管

描述: 27.2V 夹子 1101A(1.101kA) Ipp TVS - 二极管 表面贴装型 PLAD

类型: 齐纳 双向通道: 1 电压 - 反向断态(典型值): 16V 电压 - 击穿(最小值): 17.8V 不同 Ipp 时电压 - 箝位(最大值): 27.2V 电流 - 峰值脉冲 (10/1000µs): 1101A(1.101kA) 功率 - 峰值脉冲: 30000W(30kW) 电源线路保护: 无 应用: 通用 不同频率时电容: - 工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: 非标准型 SMD 供应商器件封装: PLAD

MAPLAD30KP16A

制造商: MICROCHIP TECHNOLOGY
数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 瞬态抑制二极管

描述: 27.2V 夹子 1101A(1.101kA) Ipp TVS - 二极管 表面贴装型 PLAD

类型: 齐纳 单向通道: 1 电压 - 反向断态(典型值): 16V 电压 - 击穿(最小值): 17.8V 不同 Ipp 时电压 - 箝位(最大值): 27.2V 电流 - 峰值脉冲 (10/1000µs): 1101A(1.101kA) 功率 - 峰值脉冲: 30000W(30kW) 电源线路保护: 无 应用: 通用 不同频率时电容: - 工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ) 等级: 军用 资质: MIL-PRF-19500 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: 非标准型 SMD 供应商器件封装: PLAD

MAPLAD30KP16AE3

制造商: MICROCHIP TECHNOLOGY
数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 瞬态抑制二极管

描述: 27.2V 夹子 1101A(1.101kA) Ipp TVS - 二极管 表面贴装型 PLAD

类型: 齐纳 单向通道: 1 电压 - 反向断态(典型值): 16V 电压 - 击穿(最小值): 17.8V 不同 Ipp 时电压 - 箝位(最大值): 27.2V 电流 - 峰值脉冲 (10/1000µs): 1101A(1.101kA) 功率 - 峰值脉冲: 30000W(30kW) 电源线路保护: 无 应用: 通用 不同频率时电容: - 工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ) 等级: 军用 资质: MIL-PRF-19500 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: 非标准型 SMD 供应商器件封装: PLAD

MAPLAD30KP16CA

制造商: MICROCHIP TECHNOLOGY
数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 瞬态抑制二极管

描述: 27.2V 夹子 1101A(1.101kA) Ipp TVS - 二极管 表面贴装型 PLAD

类型: 齐纳 双向通道: 1 电压 - 反向断态(典型值): 16V 电压 - 击穿(最小值): 17.8V 不同 Ipp 时电压 - 箝位(最大值): 27.2V 电流 - 峰值脉冲 (10/1000µs): 1101A(1.101kA) 功率 - 峰值脉冲: 30000W(30kW) 电源线路保护: 无 应用: 通用 不同频率时电容: - 工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ) 等级: 军用 资质: MIL-PRF-19500 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: 非标准型 SMD 供应商器件封装: PLAD

MAPLAD30KP16CAE3

制造商: MICROCHIP TECHNOLOGY
数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 瞬态抑制二极管

描述: 27.2V 夹子 1101A(1.101kA) Ipp TVS - 二极管 表面贴装型 PLAD

类型: 齐纳 双向通道: 1 电压 - 反向断态(典型值): 16V 电压 - 击穿(最小值): 17.8V 不同 Ipp 时电压 - 箝位(最大值): 27.2V 电流 - 峰值脉冲 (10/1000µs): 1101A(1.101kA) 功率 - 峰值脉冲: 30000W(30kW) 电源线路保护: 无 应用: 通用 不同频率时电容: - 工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ) 等级: 军用 资质: MIL-PRF-19500 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: 非标准型 SMD 供应商器件封装: PLAD

MPLAD15KP7.0A

制造商: MICROCHIP TECHNOLOGY
数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 瞬态抑制二极管

描述: 12V 夹子 1251A(1.251kA) Ipp TVS - 二极管 表面贴装型 PLAD

类型: 齐纳 单向通道: 1 电压 - 反向断态(典型值): 7V 电压 - 击穿(最小值): 7.78V 不同 Ipp 时电压 - 箝位(最大值): 12V 电流 - 峰值脉冲 (10/1000µs): 1251A(1.251kA) 功率 - 峰值脉冲: 15000W(15kW) 电源线路保护: 无 应用: 通用 不同频率时电容: - 工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: 非标准型 SMD 供应商器件封装: PLAD

MPLAD15KP7.0AE3

制造商: MICROCHIP TECHNOLOGY
数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 瞬态抑制二极管

描述: 12V 夹子 1251A(1.251kA) Ipp TVS - 二极管 表面贴装型 PLAD

类型: 齐纳 单向通道: 1 电压 - 反向断态(典型值): 7V 电压 - 击穿(最小值): 7.78V 不同 Ipp 时电压 - 箝位(最大值): 12V 电流 - 峰值脉冲 (10/1000µs): 1251A(1.251kA) 功率 - 峰值脉冲: 15000W(15kW) 电源线路保护: 无 应用: 通用 不同频率时电容: - 工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: 非标准型 SMD 供应商器件封装: PLAD

MPLAD15KP7.0AE3TR

制造商: MICROCHIP TECHNOLOGY
数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 瞬态抑制二极管

描述: 12V 夹子 1251A(1.251kA) Ipp TVS - 二极管 表面贴装型 PLAD

类型: 齐纳 单向通道: 1 电压 - 反向断态(典型值): 7V 电压 - 击穿(最小值): 7.78V 不同 Ipp 时电压 - 箝位(最大值): 12V 电流 - 峰值脉冲 (10/1000µs): 1251A(1.251kA) 功率 - 峰值脉冲: 15000W(15kW) 电源线路保护: 无 应用: 通用 不同频率时电容: - 工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ) 等级: 军用 资质: MIL-PRF-19500 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: 非标准型 SMD 供应商器件封装: PLAD