MPLAD30KP14AE3
制造商: MICROCHIP TECHNOLOGY数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 瞬态抑制二极管
描述: 24V 夹子 1251A（1.251kA） Ipp TVS - 二极管 表面贴装型 PLAD
类型: 齐纳
单向通道: 1
电压 - 反向断态（典型值）: 14V
电压 - 击穿（最小值）: 15.6V
不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值）: 24V
电流 - 峰值脉冲 (10/1000µs): 1251A（1.251kA）
功率 - 峰值脉冲: 30000W（30kW）
电源线路保护: 无
应用: 通用
不同频率时电容: -
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: 非标准型 SMD
供应商器件封装: PLAD
MAPLAD15KP7.0CA
制造商: MICROCHIP TECHNOLOGY数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 瞬态抑制二极管
描述: 12V 夹子 1251A（1.251kA） Ipp TVS - 二极管 表面贴装型 PLAD
类型: 齐纳
双向通道: 1
电压 - 反向断态（典型值）: 7V
电压 - 击穿（最小值）: 7.78V
不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值）: 12V
电流 - 峰值脉冲 (10/1000µs): 1251A（1.251kA）
功率 - 峰值脉冲: 15000W（15kW）
电源线路保护: 无
应用: 通用
不同频率时电容: -
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
等级: 军用
资质: MIL-PRF-19500
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: 非标准型 SMD
供应商器件封装: PLAD
MAPLAD15KP7.0CAE3
制造商: MICROCHIP TECHNOLOGY数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 瞬态抑制二极管
描述: 12V 夹子 1251A（1.251kA） Ipp TVS - 二极管 表面贴装型 PLAD
类型: 齐纳
双向通道: 1
电压 - 反向断态（典型值）: 7V
电压 - 击穿（最小值）: 7.78V
不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值）: 12V
电流 - 峰值脉冲 (10/1000µs): 1251A（1.251kA）
功率 - 峰值脉冲: 15000W（15kW）
电源线路保护: 无
应用: 通用
不同频率时电容: -
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
等级: 军用
资质: MIL-PRF-19500
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: 非标准型 SMD
供应商器件封装: PLAD
MPLAD30KP14CA
制造商: MICROCHIP TECHNOLOGY数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 瞬态抑制二极管
描述: 24V 夹子 1251A（1.251kA） Ipp TVS - 二极管 表面贴装型 PLAD
类型: 齐纳
双向通道: 1
电压 - 反向断态（典型值）: 14V
电压 - 击穿（最小值）: 15.6V
不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值）: 24V
电流 - 峰值脉冲 (10/1000µs): 1251A（1.251kA）
功率 - 峰值脉冲: 30000W（30kW）
电源线路保护: 无
应用: 通用
不同频率时电容: -
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: 非标准型 SMD
供应商器件封装: PLAD
MPLAD30KP14CAE3
制造商: MICROCHIP TECHNOLOGY数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 瞬态抑制二极管
描述: 24V 夹子 1251A（1.251kA） Ipp TVS - 二极管 表面贴装型 PLAD
类型: 齐纳
双向通道: 1
电压 - 反向断态（典型值）: 14V
电压 - 击穿（最小值）: 15.6V
不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值）: 24V
电流 - 峰值脉冲 (10/1000µs): 1251A（1.251kA）
功率 - 峰值脉冲: 30000W（30kW）
电源线路保护: 无
应用: 通用
不同频率时电容: -
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: 非标准型 SMD
供应商器件封装: PLAD
MAPLAD30KP14A
制造商: MICROCHIP TECHNOLOGY数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 瞬态抑制二极管
描述: 24V 夹子 1251A（1.251kA） Ipp TVS - 二极管 表面贴装型 PLAD
类型: 齐纳
单向通道: 1
电压 - 反向断态（典型值）: 14V
电压 - 击穿（最小值）: 15.6V
不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值）: 24V
电流 - 峰值脉冲 (10/1000µs): 1251A（1.251kA）
功率 - 峰值脉冲: 30000W（30kW）
电源线路保护: 无
应用: 通用
不同频率时电容: -
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
等级: 军用
资质: MIL-PRF-19500
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: 非标准型 SMD
供应商器件封装: PLAD
MAPLAD30KP14AE3
制造商: MICROCHIP TECHNOLOGY数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 瞬态抑制二极管
描述: 24V 夹子 1251A（1.251kA） Ipp TVS - 二极管 表面贴装型 PLAD
类型: 齐纳
单向通道: 1
电压 - 反向断态（典型值）: 14V
电压 - 击穿（最小值）: 15.6V
不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值）: 24V
电流 - 峰值脉冲 (10/1000µs): 1251A（1.251kA）
功率 - 峰值脉冲: 30000W（30kW）
电源线路保护: 无
应用: 通用
不同频率时电容: -
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
等级: 军用
资质: MIL-PRF-19500
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: 非标准型 SMD
供应商器件封装: PLAD
MAPLAD30KP14CA
制造商: MICROCHIP TECHNOLOGY数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 瞬态抑制二极管
描述: 24V 夹子 1251A（1.251kA） Ipp TVS - 二极管 表面贴装型 PLAD
类型: 齐纳
双向通道: 1
电压 - 反向断态（典型值）: 14V
电压 - 击穿（最小值）: 15.6V
不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值）: 24V
电流 - 峰值脉冲 (10/1000µs): 1251A（1.251kA）
功率 - 峰值脉冲: 30000W（30kW）
电源线路保护: 无
应用: 通用
不同频率时电容: -
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
等级: 军用
资质: MIL-PRF-19500
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: 非标准型 SMD
供应商器件封装: PLAD
MAPLAD30KP14CAE3
制造商: MICROCHIP TECHNOLOGY数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 瞬态抑制二极管
描述: 24V 夹子 1251A（1.251kA） Ipp TVS - 二极管 表面贴装型 PLAD
类型: 齐纳
双向通道: 1
电压 - 反向断态（典型值）: 14V
电压 - 击穿（最小值）: 15.6V
不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值）: 24V
电流 - 峰值脉冲 (10/1000µs): 1251A（1.251kA）
功率 - 峰值脉冲: 30000W（30kW）
电源线路保护: 无
应用: 通用
不同频率时电容: -
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
等级: 军用
资质: MIL-PRF-19500
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: 非标准型 SMD
供应商器件封装: PLAD
P1KSMBJ33AJ
制造商: WEEN SEMICONDUCTORS数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 瞬态抑制二极管
描述: 45.7V 夹子 21.9A Ipp TVS - 二极管 表面贴装型 SMB
类型: 齐纳
单向通道: 1
电压 - 反向断态（典型值）: 28.2V
电压 - 击穿（最小值）: 31.4V
不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值）: 45.7V
电流 - 峰值脉冲 (10/1000µs): 21.9A
功率 - 峰值脉冲: 1000W（1kW）
电源线路保护: 无
应用: 通用
不同频率时电容: -
工作温度: -65°C ~ 150°C（TJ）
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: DO-214AA，SMB
供应商器件封装: SMB