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SM8S33AHM3I

制造商: VISHAY GENERAL SEMICONDUCTOR - DIODES DIVISION
数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 瞬态抑制二极管

描述: 53.3V 夹子 124A Ipp TVS - 二极管 表面贴装型 DO-218AC

类型: 齐纳 单向通道: 1 电压 - 反向断态（典型值）: 33V 电压 - 击穿（最小值）: 36.7V 不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值）: 53.3V 电流 - 峰值脉冲 (10/1000µs): 124A 功率 - 峰值脉冲: 6600W（6.6kW） 电源线路保护: 无 应用: - 不同频率时电容: - 工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ） 等级: 汽车级 资质: AEC-Q101 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: DO-218AC 供应商器件封装: DO-218AC

SM8S33A-Q1

制造商: ANBON SEMICONDUCTOR (INTL) LIMITED
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 瞬态抑制二极管

描述: 53.3V 夹子 124A Ipp TVS - 二极管 表面贴装型 DO-218AB

类型: 齐纳 单向通道: 1 电压 - 反向断态（典型值）: 33V 电压 - 击穿（最小值）: 36.7V 不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值）: 53.3V 电流 - 峰值脉冲 (10/1000µs): 124A 功率 - 峰值脉冲: 6600W（6.6kW） 电源线路保护: 无 应用: - 不同频率时电容: - 工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ） 等级: 汽车级 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: DO-218AB 供应商器件封装: DO-218AB

SM8S33A

制造商: SMC DIODE SOLUTIONS
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 瞬态抑制二极管

描述: 53.3V 夹子 124A Ipp TVS - 二极管 表面贴装型 DO-218AB

类型: 齐纳 单向通道: 1 电压 - 反向断态（典型值）: 33V 电压 - 击穿（最小值）: 36.7V 不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值）: 53.3V 电流 - 峰值脉冲 (10/1000µs): 124A 功率 - 峰值脉冲: 6600W（6.6kW） 电源线路保护: 无 应用: - 不同频率时电容: - 工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ） 等级: 汽车级 资质: AEC-Q101 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: DO-218AB 供应商器件封装: DO-218AB

SM8S33A-TP

制造商: MCC (MICRO COMMERCIAL COMPONENTS)
数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 瞬态抑制二极管

描述: 53.3V 夹子 124A Ipp TVS - 二极管 表面贴装型 DO-218AB

类型: 齐纳 单向通道: 1 电压 - 反向断态（典型值）: 33V 电压 - 击穿（最小值）: 36.7V 不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值）: 53.3V 电流 - 峰值脉冲 (10/1000µs): 124A 功率 - 峰值脉冲: 6600W（6.6kW） 电源线路保护: 无 应用: - 不同频率时电容: - 工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ） 等级: 汽车级 资质: AEC-Q101 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: DO-218AB 供应商器件封装: DO-218AB

SM8S33A-AU_R2_000A1

制造商: PANJIT INTERNATIONAL INC.
数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 瞬态抑制二极管

描述: 53.3V 夹子 124A Ipp TVS - 二极管 表面贴装型 DO-218AB

类型: 齐纳 单向通道: 1 电压 - 反向断态（典型值）: 33V 电压 - 击穿（最小值）: 36.7V 不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值）: 53.3V 电流 - 峰值脉冲 (10/1000µs): 124A 功率 - 峰值脉冲: 6600W（6.6kW） 电源线路保护: 无 应用: - 不同频率时电容: - 工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ） 等级: 汽车级 资质: AEC-Q101 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: DO-218AB 供应商器件封装: DO-218AB

SM8S33AJ

制造商: WEEN SEMICONDUCTORS
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 瞬态抑制二极管

描述: 夹子 Ipp TVS - 二极管

SM8S33AHE3-TP

制造商: MCC (MICRO COMMERCIAL COMPONENTS)
数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 瞬态抑制二极管

描述: 53.3V 夹子 124A Ipp TVS - 二极管 表面贴装型 DO-218AB

类型: 齐纳 单向通道: 1 电压 - 反向断态（典型值）: 33V 电压 - 击穿（最小值）: 36.7V 不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值）: 53.3V 电流 - 峰值脉冲 (10/1000µs): 124A 功率 - 峰值脉冲: 6600W（6.6kW） 电源线路保护: 无 应用: - 不同频率时电容: - 工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ） 等级: 汽车级 资质: AEC-Q101 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: DO-218AB 供应商器件封装: DO-218AB

SM8S33AHE32D

制造商: VISHAY GENERAL SEMICONDUCTOR - DIODES DIVISION
数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 瞬态抑制二极管

描述: 53.3V 夹子 124A Ipp TVS - 二极管 表面贴装型 DO-218AB

类型: 齐纳 单向通道: 1 电压 - 反向断态（典型值）: 33V 电压 - 击穿（最小值）: 36.7V 不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值）: 53.3V 电流 - 峰值脉冲 (10/1000µs): 124A 功率 - 峰值脉冲: 6600W（6.6kW） 电源线路保护: 无 应用: - 不同频率时电容: - 工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ） 等级: 汽车级 资质: AEC-Q101 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: DO-218AB 供应商器件封装: DO-218AB

SM8S33ATHE3I

制造商: VISHAY GENERAL SEMICONDUCTOR - DIODES DIVISION
数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 瞬态抑制二极管

描述: 53.3V 夹子 124A Ipp TVS - 二极管 表面贴装型 DO-218AC

类型: 齐纳 单向通道: 1 电压 - 反向断态（典型值）: 33V 电压 - 击穿（最小值）: 36.7V 不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值）: 53.3V 电流 - 峰值脉冲 (10/1000µs): 124A 功率 - 峰值脉冲: 6600W（6.6kW） 电源线路保护: 无 应用: - 不同频率时电容: - 工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ） 等级: 汽车级 资质: AEC-Q101 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: DO-218AC 供应商器件封装: DO-218AC

SM8S33AHE32E

制造商: VISHAY GENERAL SEMICONDUCTOR - DIODES DIVISION
数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 二极管 / 普通二极管 / 瞬态抑制二极管

描述: 53.3V 夹子 124A Ipp TVS - 二极管 表面贴装型 DO-218AB

类型: 齐纳 单向通道: 1 电压 - 反向断态（典型值）: 33V 电压 - 击穿（最小值）: 36.7V 不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值）: 53.3V 电流 - 峰值脉冲 (10/1000µs): 124A 功率 - 峰值脉冲: 6600W（6.6kW） 电源线路保护: 无 应用: - 不同频率时电容: - 工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ） 等级: 汽车级 资质: AEC-Q101 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: DO-218AB 供应商器件封装: DO-218AB