PHPT61002NYCLHX

制造商: NEXPERIA USA INC.
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 双极型晶体管

描述: 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 NPN 100 V 2 A 140MHz 25 W 表面贴装型 LFPAK56,Power-SO8

晶体管类型: NPN 电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 2 A 电压 - 集射极击穿(最大值): 100 V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 300mV @ 200mA,2A 电流 - 集电极截止(最大值): 50µA(ICBO) 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 120 @ 500mA,10V 功率 - 最大值: 25 W 频率 - 跃迁: 140MHz 工作温度: 175°C(TJ) 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: SC-100,SOT-669 供应商器件封装: LFPAK56,Power-SO8

BD439

制造商: ONSEMI
数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 双极型晶体管

描述: 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 NPN 60 V 4 A 3MHz 36 W 通孔 TO-126

晶体管类型: NPN 电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 4 A 电压 - 集射极击穿(最大值): 60 V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 800mV @ 300mA,3A 电流 - 集电极截止(最大值): 100µA(ICBO) 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 40 @ 500mA,1V 功率 - 最大值: 36 W 频率 - 跃迁: 3MHz 工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型: 通孔 封装/外壳: TO-225AA,TO-126-3 供应商器件封装: TO-126

BC817-25-TP

制造商: MCC (MICRO COMMERCIAL COMPONENTS)
数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 双极型晶体管

描述: 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 NPN 45 V 800 mA 100MHz 310 mW 表面贴装型 SOT-23

晶体管类型: NPN 电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 800 mA 电压 - 集射极击穿(最大值): 45 V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 700mV @ 50mA,500mA 电流 - 集电极截止(最大值): 100nA 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 160 @ 100mA,1V 功率 - 最大值: 310 mW 频率 - 跃迁: 100MHz 工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商器件封装: SOT-23

BC817-25,215

制造商: NEXPERIA USA INC.
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 双极型晶体管

描述: 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 NPN 45 V 500 mA 100MHz 250 mW 表面贴装型 TO-236AB

晶体管类型: NPN 电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 500 mA 电压 - 集射极击穿(最大值): 45 V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 700mV @ 50mA,500mA 电流 - 集电极截止(最大值): 100nA(ICBO) 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 160 @ 100mA,1V 功率 - 最大值: 250 mW 频率 - 跃迁: 100MHz 工作温度: 150°C(TJ) 等级: - 资质: - 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商器件封装: TO-236AB

BC817-25,235

制造商: NEXPERIA USA INC.
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 双极型晶体管

描述: 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 NPN 45 V 500 mA 100MHz 250 mW 表面贴装型 TO-236AB

晶体管类型: NPN 电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 500 mA 电压 - 集射极击穿(最大值): 45 V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 700mV @ 50mA,500mA 电流 - 集电极截止(最大值): 100nA(ICBO) 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 160 @ 100mA,1V 功率 - 最大值: 250 mW 频率 - 跃迁: 100MHz 工作温度: 150°C(TJ) 等级: - 资质: - 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商器件封装: TO-236AB

BC817-25W,115

制造商: NEXPERIA USA INC.
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 双极型晶体管

描述: 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 NPN 45 V 500 mA 100MHz 200 mW 表面贴装型 SOT-323

晶体管类型: NPN 电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 500 mA 电压 - 集射极击穿(最大值): 45 V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 700mV @ 50mA,500mA 电流 - 集电极截止(最大值): 100nA(ICBO) 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 160 @ 100mA,1V 功率 - 最大值: 200 mW 频率 - 跃迁: 100MHz 工作温度: 150°C(TJ) 等级: - 资质: - 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: SC-70,SOT-323 供应商器件封装: SOT-323

BC817-25W-QX

制造商: NEXPERIA USA INC.
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 双极型晶体管

描述: 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 NPN 45 V 500 mA 100MHz 200 mW 表面贴装型 SOT-323

晶体管类型: NPN 电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 500 mA 电压 - 集射极击穿(最大值): 45 V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 700mV @ 50mA,500mA 电流 - 集电极截止(最大值): 100nA(ICBO) 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 160 @ 100mA,1V 功率 - 最大值: 200 mW 频率 - 跃迁: 100MHz 工作温度: 150°C(TJ) 等级: 汽车级 资质: AEC-Q101 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: SC-70,SOT-323 供应商器件封装: SOT-323

BC817-25RFG

制造商: TAIWAN SEMICONDUCTOR CORPORATION
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 双极型晶体管

描述: 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 NPN 45 V 500 mA 100MHz 300 mW 表面贴装型 SOT-23

晶体管类型: NPN 电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 500 mA 电压 - 集射极击穿(最大值): 45 V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 700mV @ 50mA,500mA 电流 - 集电极截止(最大值): 100nA(ICBO) 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 160 @ 100mA,1V 功率 - 最大值: 300 mW 频率 - 跃迁: 100MHz 工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商器件封装: SOT-23

BC817-25HRFG

制造商: TAIWAN SEMICONDUCTOR CORPORATION
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 双极型晶体管

描述: 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 NPN 45 V 500 mA 100MHz 300 mW 表面贴装型 SOT-23

晶体管类型: NPN 电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 500 mA 电压 - 集射极击穿(最大值): 45 V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 700mV @ 50mA,500mA 电流 - 集电极截止(最大值): 100nA(ICBO) 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 160 @ 100mA,1V 功率 - 最大值: 300 mW 频率 - 跃迁: 100MHz 工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ) 等级: 汽车级 资质: AEC-Q101 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商器件封装: SOT-23

BC817-25HE3-TP

制造商: MCC (MICRO COMMERCIAL COMPONENTS)
数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 双极型晶体管

描述: 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 NPN 45 V 500 mA 100MHz 300 mW 表面贴装型 SOT-23

晶体管类型: NPN 电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 500 mA 电压 - 集射极击穿(最大值): 45 V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 700mV @ 50mA,500mA 电流 - 集电极截止(最大值): 100nA(ICBO) 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 160 @ 100mA,1V 功率 - 最大值: 300 mW 频率 - 跃迁: 100MHz 工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ) 等级: 汽车级 资质: AEC-Q101 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商器件封装: SOT-23