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IPTC063N15NM5

数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管

描述: OptiMOS™ 5 power MOSFET 150 V in TOLT for excellent thermal performance

I[D ](@25°C) max: 122.0A I[D ] max: 122.0A I[Dpuls] max: 488.0A Operating Temperature max: 175.0°C P[tot] max: 214.0W Package: TOLT (HDSOP-16) Polarity: N Q[G](typ @10V): 50.0nC R[DS (on)](@10V) max: 6.3mΩ R[DS (on)] max: 6.3mΩ Q[G]: 50.0nC V[DS] max: 150.0V V[GS(th)]: 3.8V Battery voltage: 72-96 V Budgetary Price €/1k: 1.99

IPTC054N15NM5

数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管

描述: OptiMOS™ 5 power MOSFET 150 V in TOLT for excellent thermal performance

I[D ](@25°C) max: 143.0A I[D ] max: 143.0A I[Dpuls] max: 572.0A Operating Temperature max: 175.0°C P[tot] max: 250.0W Package: TOLT (HDSOP-16) Polarity: N Q[G](typ @10V): 58.0nC Q[G]: 58.0nC R[DS (on)](@10V) max: 5.4mΩ R[DS (on)] max: 5.4mΩ V[DS] max: 150.0V V[GS(th)]: 3.8V Budgetary Price €/1k: 2.14

IPTC020N13NM6

数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管

描述: OptiMOS™ 6 power MOSFET 135 V Normal Level in TOLT

I[D ](@25°C) max: 297.0A Operating Temperature max: 175.0°C Package: TOLT (HDSOP-16) Polarity: N Q[G](typ @10V): 159.0nC R[DS (on)](@10V) max: 2.0mΩ V[DS] max: 135.0V V[GS(th)]: 3.0V Budgetary Price €/1k: 3.72

IST026N10NM5

数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管

描述: OptiMOS™ 5 power MOSFET 100 V, 2.6 mOhm, 248 A, in sTOLL - 7x8 mm2 power MOS package

I[D ](@25°C) max: 248.0A I[Dpuls] max: 992.0A P[tot] max: 313.0W Package: sTOLL (HSOF-5) Pin Count: 5.0Pins Polarity: N Q[G](typ @10V): 89.0nC R[DS (on)](@10V) max: 2.6mΩ V[DS] max: 100.0V V[GS(th)] max: 3.8V Operating Temperature max: 175.0°C Budgetary Price €/1k: 1.44

IPTC014N10NM5

数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管

描述: OptiMOS™ 5 power MOSFET in TOLT for excellent thermal performance

I[D ](@25°C) max: 365.0A I[Dpuls] max: 1460.0A Operating Temperature max: 175.0°C P[tot] max: 375.0W Package: TOLT (HDSOP-16) Polarity: N Q[G](typ @10V): 168.0nC R[DS (on)](@10V) max: 1.4mΩ V[DS] max: 100.0V V[GS(th)]: 3.0V Battery voltage: 48-72 V Budgetary Price €/1k: 2.11

IPTC019N10NM5

数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管

描述: OptiMOS™ 5 power MOSFET in TOLT for excellent thermal performance

I[D ](@25°C) max: 279.0A I[Dpuls] max: 1116.0A Mounting: SMT P[tot] max: 300.0W Package: TOLT (HDSOP-16) Pin Count: 16.0Pins Polarity: N Q[G](typ @10V): 128.0nC R[DS (on)](@10V) max: 1.9mΩ V[DS] max: 100.0V V[GS(th)]: 3.0V Operating Temperature max: 175.0°C Budgetary Price €/1k: 1.74

IRF1310NS

数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管

描述: 100V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak package

Mounting: SMD P[tot] max: 3.8W V[GS] max: 20.0V Moisture Sensitivity Level: 1 Package: D2PAK (TO-263) Polarity: N Q[gd]: 38.7nC R[thJC] max: 0.95K/W T[j] max: 175.0°C V[DS] max: 100.0V R[DS (on)](@10V) max: 36.0mΩ V[GS(th)]: 3.0V Q[G](typ @10V): 73.3nC I[D ](@25°C) max: 42.0A Operating Temperature max: 175.0°C Budgetary Price €/1k: 0.55

IPB110N20N3LF

数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管

描述: Combining a low RDS(on) with a wide safe operating area (SOA)

IDpuls: NoneA Mounting: SMD Ptot: NoneW Package: D2PAK (TO-263) Pin Count: 3.0Pins Polarity: N QG(typ @10V): 76.0nC Qgd: 51.0nC Rth: 0.3K/W RthJA: NoneK/W RthJC: NoneK/W VDS: NoneV Special Features: Wide SOA RDS (on)(@10V): NonemΩ ID (@25°C): NoneA VGS(th): 3.2V Operating Temperature: None°C Budgetary Price €/1k: 3.85

IRFS4321

数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管

描述: 150V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak package

Mounting: SMD Package: D2PAK (TO-263) P[tot] max: 330.0W Q[gd]: 21.0nC T[j] max: 175.0°C V[GS] max: 30.0V Moisture Sensitivity Level: 1 Polarity: N R[thJC] max: 0.45K/W V[DS] max: 150.0V R[DS (on)](@10V) max: 15.0mΩ V[GS(th)]: 4.0V Q[G](typ @10V): 71.0nC I[D ](@25°C) max: 85.0A Operating Temperature max: 175.0°C Budgetary Price €/1k: 1.18

IRF3710S

数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管

描述: IR MOSFET 100 V in a D²PAK package

Mounting: SMD Package: D2PAK (TO-263) P[tot] max: 3.8W Q[gd]: 28.0nC T[j] max: 175.0°C V[DS] max: 100.0V Moisture Sensitivity Level: 1 Polarity: N R[thJC] max: 0.75K/W V[GS] max: 20.0V R[DS (on)](@10V) max: 23.0mΩ V[GS(th)]: 3.0V Q[G](typ @10V): 86.7nC I[D ](@25°C) max: 57.0A Operating Temperature max: 175.0°C Budgetary Price €/1k: 0.53