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BC857BWHRFG

制造商: TAIWAN SEMICONDUCTOR CORPORATION
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 双极型晶体管

描述: 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 PNP 45 V 100 mA 100MHz 200 mW 表面贴装型 SOT-323

晶体管类型: PNP 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）: 100 mA 电压 - 集射极击穿（最大值）: 45 V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）: 650mV @ 5mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）: 15nA（ICBO）不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）: 220 @ 2mA，5V 功率 - 最大值: 200 mW 频率 - 跃迁: 100MHz 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）等级: 汽车级资质: AEC-Q101 安装类型: 表面贴装型封装/外壳: SC-70，SOT-323 供应商器件封装: SOT-323

BC857BW

制造商: SHENZHEN SLKORMICRO SEMICON CO., LTD.
数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 双极型晶体管

描述: 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 PNP 45 V 100 mA 100MHz 150 mW 表面贴装型 SOT-323

晶体管类型: PNP 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）: 100 mA 电压 - 集射极击穿（最大值）: 45 V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）: 650mV @ 5mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）: 15nA（ICBO）不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）: 220 @ 2mA，5V 功率 - 最大值: 150 mW 频率 - 跃迁: 100MHz 工作温度: 150°C（TJ）等级: - 资质: - 安装类型: 表面贴装型封装/外壳: SC-70，SOT-323 供应商器件封装: SOT-323

BC857BW-AU_R1_000A1

制造商: PANJIT INTERNATIONAL INC.
数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 双极型晶体管

描述: 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 PNP 45 V 100 mA 200MHz 250 mW 表面贴装型 SOT-323

晶体管类型: PNP 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）: 100 mA 电压 - 集射极击穿（最大值）: 45 V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）: 650mV @ 5mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）: 15nA（ICBO）不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）: 200 @ 2mA，5V 功率 - 最大值: 250 mW 频率 - 跃迁: 200MHz 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）等级: 汽车级资质: AEC-Q101 安装类型: 表面贴装型封装/外壳: SC-70，SOT-323 供应商器件封装: SOT-323

BC857BW_R1_00001

制造商: PANJIT INTERNATIONAL INC.
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 双极型晶体管

描述: 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 PNP 45 V 100 mA 200MHz 250 mW 表面贴装型 SOT-323

晶体管类型: PNP 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）: 100 mA 电压 - 集射极击穿（最大值）: 45 V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）: 650mV @ 5mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）: 15nA（ICBO）不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）: 200 @ 2mA，5V 功率 - 最大值: 250 mW 频率 - 跃迁: 200MHz 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）安装类型: 表面贴装型封装/外壳: SC-70，SOT-323 供应商器件封装: SOT-323

BC857BW-QX

制造商: NEXPERIA USA INC.
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 双极型晶体管

描述: 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 PNP 45 V 100 mA 100MHz 200 mW 表面贴装型 SOT-323

晶体管类型: PNP 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）: 100 mA 电压 - 集射极击穿（最大值）: 45 V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）: 400mV @ 5mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）: 15nA（ICBO）不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）: 220 @ 2mA，5V 功率 - 最大值: 200 mW 频率 - 跃迁: 100MHz 工作温度: 150°C（TJ）等级: 汽车级资质: AEC-Q101 安装类型: 表面贴装型封装/外壳: SC-70，SOT-323 供应商器件封装: SOT-323

BC857BW,135

制造商: NEXPERIA USA INC.
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 双极型晶体管

描述: 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 PNP 45 V 100 mA 100MHz 200 mW 表面贴装型 SOT-323

晶体管类型: PNP 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）: 100 mA 电压 - 集射极击穿（最大值）: 45 V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）: 600mV @ 5mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）: 15nA（ICBO）不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）: 220 @ 2mA，5V 功率 - 最大值: 200 mW 频率 - 跃迁: 100MHz 工作温度: 150°C（TJ）等级: - 资质: - 安装类型: 表面贴装型封装/外壳: SC-70，SOT-323 供应商器件封装: SOT-323

BC857BW,115

制造商: NEXPERIA USA INC.
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 双极型晶体管

描述: 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 PNP 45 V 100 mA 100MHz 200 mW 表面贴装型 SOT-323

BC857BW-AQ

制造商: DIOTEC SEMICONDUCTOR
数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 双极型晶体管

描述: 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 PNP 45 V 100 mA 100MHz 200 mW 表面贴装型 SOT-323

BC857BW-QF

制造商: NEXPERIA USA INC.
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 双极型晶体管

描述: 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 PNP 45 V 100 mA 100MHz 200 mW 表面贴装型 SOT-323

BC857BWT1

制造商: ONSEMI
数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 双极型晶体管

描述: 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 PNP 45 V 100 mA 100MHz 150 mW 表面贴装型 SC-70-3（SOT323）

晶体管类型: PNP 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）: 100 mA 电压 - 集射极击穿（最大值）: 45 V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）: 650mV @ 5mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）: 15nA（ICBO）不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）: 220 @ 2mA，5V 功率 - 最大值: 150 mW 频率 - 跃迁: 100MHz 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）安装类型: 表面贴装型封装/外壳: SC-70，SOT-323 供应商器件封装: SC-70-3（SOT323）