RS1E130GNTB
制造商: ROHM SEMICONDUCTOR分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: 表面贴装型 N 通道 30 V 13A（Ta） 3W（Ta），22.2W（Tc） 8-HSOP
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 13A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 11.7 毫欧 @ 13A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 2.5V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 7.9 nC @ 10 V
Vgs（最大值）: ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 420 pF @ 15 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 3W（Ta），22.2W（Tc）
工作温度: 150°C（TJ）
等级: -
资质: -
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: 8-HSOP
封装/外壳: 8-PowerTDFN
BUK9M17-30EX
制造商: NEXPERIA USA INC.分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: 表面贴装型 N 通道 30 V 37A（Tc） 44W（Tc） LFPAK33
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 37A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 14 毫欧 @ 10A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 2.1V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 8 nC @ 5 V
Vgs（最大值）: ±10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 725 pF @ 25 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 44W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ）
等级: 汽车级
资质: AEC-Q101
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: LFPAK33
封装/外壳: SOT-1210，8-LFPAK33（5 根引线）
PSMN7R0-30YLC,115
制造商: NEXPERIA USA INC.分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: 表面贴装型 N 通道 30 V 61A（Tc） 48W（Tc） LFPAK56，Power-SO8
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 61A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 7.1 毫欧 @ 20A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 1.95V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 16 nC @ 10 V
Vgs（最大值）: ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 1057 pF @ 15 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 48W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ）
等级: -
资质: -
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: LFPAK56，Power-SO8
封装/外壳: SC-100，SOT-669
IPU80R4K5P7AKMA1
制造商: INFINEON TECHNOLOGIES分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: 通孔 N 通道 800 V 1.5A（Tc） 13W（Tc） PG-TO251-3-21
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 800 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 1.5A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 4.5 옴 @ 400mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 3.5V @ 200µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 4 nC @ 10 V
Vgs（最大值）: ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 250 pF @ 500 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 13W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
等级: -
资质: -
安装类型: 通孔
供应商器件封装: PG-TO251-3-21
封装/外壳: TO-251-3 短引线，IPAK，TO-251AA
BUK9M15-60EX
制造商: NEXPERIA USA INC.分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: 表面贴装型 N 通道 60 V 47A（Tc） 75W（Tc） LFPAK33
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 47A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 13 毫欧 @ 10A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 2.45V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 17 nC @ 5 V
Vgs（最大值）: ±10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 2230 pF @ 25 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 75W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ）
等级: 汽车级
资质: AEC-Q101
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: LFPAK33
封装/外壳: SOT-1210，8-LFPAK33（5 根引线）
PSMN013-60YLX
制造商: NEXPERIA USA INC.分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: 表面贴装型 N 通道 60 V 53A（Tc） 95W（Tc） LFPAK56，Power-SO8
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 53A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 13 毫欧 @ 15A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 2.1V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 33.2 nC @ 10 V
Vgs（最大值）: ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 2603 pF @ 25 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 95W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ）
等级: -
资质: -
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: LFPAK56，Power-SO8
封装/外壳: SC-100，SOT-669
TK13P25D,RQ
制造商: TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: 表面贴装型 N 通道 250 V 13A（Ta） 96W（Tc） DPAK
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 250 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 13A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 250 毫欧 @ 6.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 3.5V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 25 nC @ 10 V
Vgs（最大值）: ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 1100 pF @ 100 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 96W（Tc）
工作温度: 150°C
等级: -
资质: -
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: DPAK
封装/外壳: TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
IPD19DP10NMATMA1
制造商: INFINEON TECHNOLOGIES分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: 表面贴装型 P 通道 100 V 2.6A（Ta）， 13.7A（Tc） 3W（Ta），83W（Tc） PG-TO252-3
FET 类型: P 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 2.6A（Ta）， 13.7A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 186 毫欧 @ 12A， 10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 4V @ 1.04mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 45 nC @ 10 V
Vgs（最大值）: ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 2000 pF @ 50 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 3W（Ta），83W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ）
等级: -
资质: -
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: PG-TO252-3
封装/外壳: TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
RD3T075CNTL1
制造商: ROHM SEMICONDUCTOR分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: 表面贴装型 N 通道 200 V 7.5A（Tc） 52W（Tc） TO-252
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 7.5A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 325 毫欧 @ 3.75A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 5.25V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 15 nC @ 10 V
Vgs（最大值）: ±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 755 pF @ 25 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 52W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
等级: -
资质: -
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: TO-252
封装/外壳: TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
IPD18DP10LMATMA1
制造商: INFINEON TECHNOLOGIES分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: 表面贴装型 P 通道 100 V 2.5A（Ta）， 13.9A（Tc） 3W（Ta），83W（Tc） PG-TO252-3
FET 类型: P 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 2.5A（Ta）， 13.9A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 178 毫欧 @ 13A， 10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 2V @ 1.04mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 42 nC @ 10 V
Vgs（最大值）: ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 2100 pF @ 50 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 3W（Ta），83W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ）
等级: -
资质: -
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: PG-TO252-3
封装/外壳: TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63