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BC807-40-QR

制造商: NEXPERIA USA INC.
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 双极型晶体管

描述: 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 PNP 45 V 500 mA 80MHz 250 mW 表面贴装型 TO-236AB

晶体管类型: PNP 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）: 500 mA 电压 - 集射极击穿（最大值）: 45 V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）: 700mV @ 50mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）: 100nA（ICBO）不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）: 250 @ 100mA，1V 功率 - 最大值: 250 mW 频率 - 跃迁: 80MHz 工作温度: 150°C（TJ）等级: 汽车级资质: AEC-Q101 安装类型: 表面贴装型封装/外壳: TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装: TO-236AB

BC807-40H-QR

制造商: NEXPERIA USA INC.
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 双极型晶体管

描述: 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 PNP 45 V 500 mA 80MHz 320 mW 表面贴装型 TO-236AB

晶体管类型: PNP 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）: 500 mA 电压 - 集射极击穿（最大值）: 45 V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）: 700mV @ 50mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）: 100nA（ICBO）不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）: 250 @ 100mA，1V 功率 - 最大值: 320 mW 频率 - 跃迁: 80MHz 工作温度: 175°C（TJ）等级: 汽车级资质: AEC-Q101 安装类型: 表面贴装型封装/外壳: TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装: TO-236AB

BC547B

制造商: DIOTEC SEMICONDUCTOR
数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 双极型晶体管

描述: 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 NPN 45 V 100 mA 300MHz 500 mW 通孔 TO-92

晶体管类型: NPN 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）: 100 mA 电压 - 集射极击穿（最大值）: 45 V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）: 600mV @ 5mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）: 15nA 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）: 200 @ 2mA，5V 功率 - 最大值: 500 mW 频率 - 跃迁: 300MHz 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）安装类型: 通孔封装/外壳: TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）成形引线供应商器件封装: TO-92

BC547BBK

制造商: DIOTEC SEMICONDUCTOR
数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 双极型晶体管

描述: 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 NPN 45 V 100 mA 300MHz 500 mW 通孔 TO-92

晶体管类型: NPN 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）: 100 mA 电压 - 集射极击穿（最大值）: 45 V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）: 600mV @ 5mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）: 15nA 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）: 200 @ 2mA，5V 功率 - 最大值: 500 mW 频率 - 跃迁: 300MHz 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）安装类型: 通孔封装/外壳: TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）供应商器件封装: TO-92

BC547BTA

制造商: ONSEMI
数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 双极型晶体管

描述: 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 NPN 45 V 100 mA 300MHz 500 mW 通孔 TO-92-3

晶体管类型: NPN 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）: 100 mA 电压 - 集射极击穿（最大值）: 45 V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）: 600mV @ 5mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）: 15nA（ICBO）不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）: 200 @ 2mA，5V 功率 - 最大值: 500 mW 频率 - 跃迁: 300MHz 工作温度: 150°C（TJ）安装类型: 通孔封装/外壳: TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）成形引线供应商器件封装: TO-92-3

BC547BTF

制造商: ONSEMI
数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 双极型晶体管

描述: 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 NPN 45 V 100 mA 300MHz 500 mW 通孔 TO-92-3

BC547BBU

制造商: ONSEMI
数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 双极型晶体管

描述: 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 NPN 45 V 100 mA 300MHz 500 mW 通孔 TO-92-3

晶体管类型: NPN 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）: 100 mA 电压 - 集射极击穿（最大值）: 45 V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）: 600mV @ 5mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）: 15nA（ICBO）不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）: 200 @ 2mA，5V 功率 - 最大值: 500 mW 频率 - 跃迁: 300MHz 工作温度: 150°C（TJ）安装类型: 通孔封装/外壳: TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）供应商器件封装: TO-92-3

BC547B

制造商: SHENZHEN SLKORMICRO SEMICON CO., LTD.
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 双极型晶体管

描述: 晶体管 - 双极 (BJT) - 单

BC547BNMBU

制造商: ONSEMI
数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 双极型晶体管

描述: 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 NPN 45 V 100 mA 300MHz 500 mW 通孔 TO-92-3

晶体管类型: NPN 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）: 100 mA 电压 - 集射极击穿（最大值）: 45 V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）: 600mV @ 5mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）: 15nA（ICBO）不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）: 200 @ 2mA，5V 功率 - 最大值: 500 mW 频率 - 跃迁: 300MHz 工作温度: 150°C（TJ）安装类型: 通孔封装/外壳: TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）供应商器件封装: TO-92-3

BC547BU

制造商: ONSEMI
数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 双极型晶体管

描述: 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 NPN 45 V 100 mA 300MHz 500 mW 通孔 TO-92-3

晶体管类型: NPN 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）: 100 mA 电压 - 集射极击穿（最大值）: 45 V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）: 600mV @ 5mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）: 15nA（ICBO）不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）: 110 @ 2mA，5V 功率 - 最大值: 500 mW 频率 - 跃迁: 300MHz 工作温度: 150°C（TJ）安装类型: 通孔封装/外壳: TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）供应商器件封装: TO-92-3