IGBT 类型: 沟槽型场截止 配置: 单开关 电压 - 集射极击穿（最大值）: 1700 V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）: 2400 A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）: 2.3V @ 15V，2400A 电流 - 集电极截止（最大值）: 5 mA 不同 Vce 时输入电容 (Cies): 195 nF @ 25 V 输入: 标准 NTC 热敏电阻: 无 工作温度: -40°C ~ 150°C 安装类型: 底座安装 封装/外壳: 模块 供应商器件封装: 模块

IGBT 类型: 沟槽型场截止 配置: 三相反相器 电压 - 集射极击穿（最大值）: 1200 V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）: 280 A 功率 - 最大值: 1000 W 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）: 2.15V @ 15V，200A 电流 - 集电极截止（最大值）: 1 mA 不同 Vce 时输入电容 (Cies): 14 nF @ 25 V 输入: 标准 NTC 热敏电阻: 是 工作温度: -40°C ~ 150°C 安装类型: 底座安装 封装/外壳: 模块 供应商器件封装: 模块

IGBT 类型: 沟槽型场截止 配置: 三相反相器 电压 - 集射极击穿（最大值）: 1200 V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）: 135 A 功率 - 最大值: 500 W 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）: 2.15V @ 15V，100A 电流 - 集电极截止（最大值）: 1 mA 不同 Vce 时输入电容 (Cies): 6.3 nF @ 25 V 输入: 标准 NTC 热敏电阻: 是 工作温度: -40°C ~ 150°C 安装类型: 底座安装 封装/外壳: 模块 供应商器件封装: 模块

IGBT 类型: 沟槽型场截止 配置: 三相反相器 电压 - 集射极击穿（最大值）: 1200 V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）: 200 A 功率 - 最大值: 680 W 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）: 2.15V @ 15V，150A 电流 - 集电极截止（最大值）: 1 mA 不同 Vce 时输入电容 (Cies): 9.35 nF @ 25 V 输入: 标准 NTC 热敏电阻: 是 工作温度: -40°C ~ 150°C 安装类型: 底座安装 封装/外壳: 模块 供应商器件封装: 模块

IGBT 类型: 沟槽型场截止 配置: 半桥 电压 - 集射极击穿（最大值）: 1200 V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）: 675 A 功率 - 最大值: 2250 W 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）: 2.1V @ 15V，450A 电流 - 集电极截止（最大值）: 3 mA 不同 Vce 时输入电容 (Cies): 28 nF @ 25 V 输入: 标准 NTC 热敏电阻: 是 工作温度: -40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 底座安装 封装/外壳: 模块 供应商器件封装: 模块

OIP3: 26.5dBm VCEO: NoneV IC: NonemA fT: 8.0GHz Ptot: 250.0mW NFmin: 0.90 dB @900 MHz Gmax: 22 dB @900 MHz

OIP3: 26.5dBm OP1dB: 9.0dBm Package: SOT363 VCEO: NoneV IC: NonemA fT: 8.0GHz Ptot: 450.0mW NFmin: 0.90 dB @900 MHz Gmax: 19 dB @900 MHz

OIP3: 23.5dBm OP1dB: 10.5dBm Package: TSFP-4 VCEO: NoneV IC: NonemA fT: 45.0GHz Ptot: 120.0mW NFmin: 0.95 dB @1800 MHz Gmax: 22.5 dB @1800 MHz

OIP3: 17.0dBm OP1dB: 4.0dBm VCEO: NoneV IC: NonemA fT: 75.0GHz Ptot: 75.0mW NFmin: 0.55 dB @900 MHz Gmax: 26.50 dB @900 MHz

OIP3: 24.0dBm OP1dB: 9.0dBm Package: SOT23 VCEO: NoneV IC: NonemA fT: 5.0GHz Ptot: 280.0mW NFmin: 1.40 dB @900 MHz Gmax: 16 dB @900 MHz