FF600R17ME4PBOSA1
制造商: INFINEON TECHNOLOGIES分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 绝缘栅双极型晶体管
描述: IGBT 模块 沟槽型场截止 半桥逆变器 1700 V 600 A 底座安装 模块
IGBT 类型: 沟槽型场截止
配置: 半桥逆变器
电压 - 集射极击穿（最大值）: 1700 V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）: 600 A
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）: 2.3V @ 15V，600A
电流 - 集电极截止（最大值）: 1 mA
不同 Vce 时输入电容 (Cies): 48 nF @ 25 V
输入: 标准
NTC 热敏电阻: 是
工作温度: -40°C ~ 150°C（TJ）
安装类型: 底座安装
封装/外壳: 模块
供应商器件封装: 模块
FF600R17ME4PB11BOSA1
制造商: INFINEON TECHNOLOGIES分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 绝缘栅双极型晶体管
描述: IGBT 模块 沟槽型场截止 半桥逆变器 1700 V 600 A 底座安装 模块
IGBT 类型: 沟槽型场截止
配置: 半桥逆变器
电压 - 集射极击穿（最大值）: 1700 V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）: 600 A
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）: 2.3V @ 15V，600A
电流 - 集电极截止（最大值）: 1 mA
不同 Vce 时输入电容 (Cies): 48 nF @ 25 V
输入: 标准
NTC 热敏电阻: 是
工作温度: -40°C ~ 150°C（TJ）
安装类型: 底座安装
封装/外壳: 模块
供应商器件封装: 模块
FF450R12ME4PBOSA1
制造商: INFINEON TECHNOLOGIES分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 绝缘栅双极型晶体管
描述: IGBT 模块 沟槽型场截止 2 个独立式 1200 V 450 A 底座安装 模块
IGBT 类型: 沟槽型场截止
配置: 2 个独立式
电压 - 集射极击穿（最大值）: 1200 V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）: 450 A
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）: 2.1V @ 15V，450A
电流 - 集电极截止（最大值）: 3 mA
不同 Vce 时输入电容 (Cies): 28 nF @ 25 V
输入: 标准
NTC 热敏电阻: 是
工作温度: -40°C ~ 150°C
安装类型: 底座安装
封装/外壳: 模块
供应商器件封装: 模块
FF450R12ME4PB11BOSA1
制造商: INFINEON TECHNOLOGIES分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 绝缘栅双极型晶体管
描述: IGBT 模块 沟槽型场截止 2 个独立式 1200 V 450 A 底座安装 模块
IGBT 类型: 沟槽型场截止
配置: 2 个独立式
电压 - 集射极击穿（最大值）: 1200 V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）: 450 A
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）: 2.1V @ 15V，450A
电流 - 集电极截止（最大值）: 3 mA
不同 Vce 时输入电容 (Cies): 28 nF @ 25 V
输入: 标准
NTC 热敏电阻: 是
工作温度: -40°C ~ 150°C
安装类型: 底座安装
封装/外壳: 模块
供应商器件封装: 模块
FF450R17ME4PBOSA1
制造商: INFINEON TECHNOLOGIES分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 绝缘栅双极型晶体管
描述: IGBT 模块 沟槽型场截止 半桥 1700 V 900 A 底座安装 模块
IGBT 类型: 沟槽型场截止
配置: 半桥
电压 - 集射极击穿（最大值）: 1700 V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）: 900 A
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）: 2.3V @ 15V，450A
电流 - 集电极截止（最大值）: 3 mA
不同 Vce 时输入电容 (Cies): 36 nF @ 25 V
输入: 标准
NTC 热敏电阻: 是
工作温度: -40°C ~ 150°C
安装类型: 底座安装
封装/外壳: 模块
供应商器件封装: 模块
FF450R17ME4PB11BOSA1
制造商: INFINEON TECHNOLOGIES分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 绝缘栅双极型晶体管
描述: IGBT 模块 沟槽型场截止 2 个独立式 1700 V 450 A 底座安装 模块
IGBT 类型: 沟槽型场截止
配置: 2 个独立式
电压 - 集射极击穿（最大值）: 1700 V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）: 450 A
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）: 2.3V @ 15V，450A
电流 - 集电极截止（最大值）: 3 mA
不同 Vce 时输入电容 (Cies): 36 nF @ 25 V
输入: 标准
NTC 热敏电阻: 是
工作温度: -40°C ~ 150°C
安装类型: 底座安装
封装/外壳: 模块
供应商器件封装: 模块
FS75R12W2T4B11BOMA1
制造商: INFINEON TECHNOLOGIES分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 绝缘栅双极型晶体管
描述: IGBT 模块 沟槽型场截止 全桥 1200 V 107 A 375 W 底座安装 模块
IGBT 类型: 沟槽型场截止
配置: 全桥
电压 - 集射极击穿（最大值）: 1200 V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）: 107 A
功率 - 最大值: 375 W
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）: 2.15V @ 15V，75A
电流 - 集电极截止（最大值）: 1 mA
不同 Vce 时输入电容 (Cies): 4.3 nF @ 25 V
输入: 标准
NTC 热敏电阻: 是
工作温度: -40°C ~ 150°C
安装类型: 底座安装
封装/外壳: 模块
供应商器件封装: 模块
FS75R12W2T4BOMA1
制造商: INFINEON TECHNOLOGIES分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 绝缘栅双极型晶体管
描述: IGBT 模块 沟槽型场截止 全桥 1200 V 107 A 375 W 底座安装 模块
IGBT 类型: 沟槽型场截止
配置: 全桥
电压 - 集射极击穿（最大值）: 1200 V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）: 107 A
功率 - 最大值: 375 W
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）: 2.15V @ 15V，75A
电流 - 集电极截止（最大值）: 1 mA
不同 Vce 时输入电容 (Cies): 4.3 nF @ 25 V
输入: 标准
NTC 热敏电阻: 是
工作温度: -40°C ~ 150°C
安装类型: 底座安装
封装/外壳: 模块
供应商器件封装: 模块
FS75R12W2T4PBPSA1
制造商: INFINEON TECHNOLOGIES分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 绝缘栅双极型晶体管
描述: IGBT 模块 沟槽型场截止 全桥反相器 1200 V 107 A 375 W 底座安装 AG-EASY2B
IGBT 类型: 沟槽型场截止
配置: 全桥反相器
电压 - 集射极击穿（最大值）: 1200 V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）: 107 A
功率 - 最大值: 375 W
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）: 2.15V @ 15V，75A
电流 - 集电极截止（最大值）: 1 mA
不同 Vce 时输入电容 (Cies): 4.3 nF @ 25 V
输入: 标准
NTC 热敏电阻: 是
工作温度: -40°C ~ 150°C（TJ）
安装类型: 底座安装
封装/外壳: 模块
供应商器件封装: AG-EASY2B
FS75R12W2T4PB11BPSA1
制造商: INFINEON TECHNOLOGIES分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 绝缘栅双极型晶体管
描述: IGBT 模块