IRFR5305
数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: -55V Single P-Channel HEXFET Power MOSFET in a D-Pak package
Mounting: SMD
Q[gd]: 19.3nC
T[j] max: 175.0°C
Moisture Sensitivity Level: 1
Package: DPAK (TO-252)
Polarity: P
P[tot] max: 89.0W
R[thJC] max: 1.4K/W
V[DS] max: -55.0V
V[GS] max: 20.0V
R[DS (on)](@10V) max: 65.0mΩ
R[DS (on)](@10V) max: 65.0mΩ
V[GS(th)]: -3.0V
V[GS(th)]: -3.0V
Q[G](typ @10V): 42.0nC
Q[G](typ @10V): 42.0nC
I[D ](@25°C) max: -31.0A
I[D ](@25°C) max: -31.0A
Budgetary Price €/1k: 0.3
Budgetary Price €/1k: 0.29
IRFR5505
数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: -55V Single P-Channel IR MOSFET in a D-Pak package
Moisture Sensitivity Level: 1
Mounting: SMD
Package: DPAK (TO-252)
P[tot] max: 57.0W
R[thJC] max: 2.2K/W
V[DS] max: -55.0V
V[GS] max: 20.0V
Polarity: P
Q[gd]: 10.0nC
T[j] max: 150.0°C
R[DS (on)](@10V) max: 110.0mΩ
R[DS (on)](@10V) max: 110.0mΩ
V[GS(th)]: -3.0V
V[GS(th)]: -3.0V
Q[G](typ @10V): 21.3nC
Q[G](typ @10V): 21.3nC
I[D ](@25°C) max: -18.0A
I[D ](@25°C) max: -18.0A
Budgetary Price €/1k: 0.28
IRF4905L
数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: -55V Single P-Channel Power MOSFET in a TO-262 package
P[tot] max: 200.0W
T[j] max: 150.0°C
Package: I2PAK (TO-262)
R[thJC] max: 0.75K/W
V[GS] max: 20.0V
Mounting: THT
Polarity: P
Q[gd]: 57.3nC
V[DS] max: -55.0V
R[DS (on)](@10V) max: 20.0mΩ
V[GS(th)]: -3.0V
Q[G](typ @10V): 120.0nC
I[D ](@25°C) max: -70.0A
Budgetary Price €/1k: 0.84
IRFU5305
数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: -55V Single P-Channel Power MOSFET in a I-Pak package
Polarity: P
R[thJC] max: 1.4K/W
V[DS] max: -55.0V
Mounting: THT
Package: IPAK (TO-251)
P[tot] max: 89.0W
Q[gd]: 19.3nC
T[j] max: 175.0°C
V[GS] max: 20.0V
R[DS (on)](@10V) max: 65.0mΩ
V[GS(th)]: -3.0V
Q[G](typ @10V): 42.0nC
I[D ](@25°C) max: -31.0A
Budgetary Price €/1k: 0.33
IRFU9024N
数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: -55V Single P-Channel Power MOSFET in a I-Pak package
Polarity: P
Q[gd]: 6.7nC
T[j] max: 150.0°C
V[DS] max: -55.0V
Mounting: THT
Package: IPAK (TO-251)
P[tot] max: 38.0W
R[thJC] max: 3.3K/W
V[GS] max: 20.0V
R[DS (on)](@10V) max: 175.0mΩ
V[GS(th)]: -3.0V
Q[G](typ @10V): 12.7nC
I[D ](@25°C) max: -11.0A
Budgetary Price €/1k: 0.2
IRF4905
数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: -55V Single P-Channel Power MOSFET in a TO-220 package
Package: TO-220
T[j] max: 175.0°C
Mounting: THT
Polarity: P
P[tot] max: 200.0W
Q[gd]: 57.3nC
R[thJC] max: 0.75K/W
V[DS] max: -55.0V
V[GS] max: 20.0V
R[DS (on)](@10V) max: 20.0mΩ
V[GS(th)]: -3.0V
Q[G](typ @10V): 120.0nC
I[D ](@25°C) max: -74.0A
Budgetary Price €/1k: 0.66
IRF5305
数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: -55V Single P-Channel Power MOSFET in a TO-220 package
Package: TO-220
Q[gd]: 19.3nC
T[j] max: 175.0°C
Mounting: THT
Polarity: P
P[tot] max: 110.0W
R[thJC] max: 1.4K/W
V[DS] max: -55.0V
V[GS] max: 20.0V
R[DS (on)](@10V) max: 60.0mΩ
V[GS(th)]: -3.0V
Q[G](typ @10V): 42.0nC
I[D ](@25°C) max: -31.0A
Budgetary Price €/1k: 0.39
IRF9Z34N
数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: -55V Single P-Channel Power MOSFET in a TO-220 package
Mounting: THT
Package: TO-220
Polarity: P
P[tot] max: 56.0W
Q[gd]: 10.7nC
R[thJC] max: 2.7K/W
T[j] max: 175.0°C
V[DS] max: -55.0V
V[GS] max: 20.0V
R[DS (on)](@10V) max: 100.0mΩ
V[GS(th)]: -3.0V
Q[G](typ @10V): 23.3nC
I[D ](@25°C) max: -19.0A
Budgetary Price €/1k: 0.28
Moisture Sensitivity Level: 1
Package: SO-8
Polarity: P
Q[gd]: 17.0nC
T[j] max: 150.0°C
V[GS] max: 20.0V
Mounting: SMD
P[tot](@ T[A]=25°C) max: 2.5W
R[thJA] max: 50.0K/W
V[DS] max: -40.0V
R[DS (on)](@10V) max: 15.0mΩ
R[DS (on)](@4.5V) max: 25.0mΩ
V[GS(th)]: -2.0V
Q[G](typ @10V): 73.0nC
I[D ](@25°C) max: -10.5A
Budgetary Price €/1k: 0.52
IPD042P03L3G
数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: P-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET), -30 V, D-PAK
I[Dpuls] max: -280.0A
V[GS(th)] max: -1.0V
R[th]: 1.0K/W
P[tot] max: 150.0W
V[DS] max: -30.0V
Package: DPAK (TO-252)
C[iss]: 9290.0pF
C[oss]: 3570.0pF
I[D ](@25°C) max: -70.0A
Q[G](typ @10V): 131.0nC
R[DS (on)](@10V) max: 4.2mΩ
Polarity: P
Operating Temperature min: -55.0°C
Operating Temperature max: 175.0°C
Budgetary Price €/1k: 0.62