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IRF3710Z

数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管

描述: 100V Single N-Channel Power MOSFET in a TO-220 package

T[j] max: 175.0°C V[DS] max: 100.0V V[GS] max: 20.0V Mounting: THT Package: TO-220 Polarity: N Q[gd]: 27.0nC P[tot] max: 160.0W R[thJC] max: 0.92K/W R[DS (on)](@10V) max: 18.0mΩ V[GS(th)]: 3.0V Q[G](typ @10V): 82.0nC I[D ](@25°C) max: 59.0A Operating Temperature max: 175.0°C Budgetary Price €/1k: 0.53

IRFP140N

数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管

描述: 100V Single N-Channel Power MOSFET in a TO-247 package

T[j] max: 175.0°C Mounting: THT Package: TO-247 P[tot] max: 94.0W Q[gd]: 28.7nC R[thJC] max: 1.6K/W V[DS] max: 100.0V V[GS] max: 20.0V Polarity: N R[DS (on)](@10V) max: 52.0mΩ V[GS(th)]: 3.0V Q[G](typ @10V): 62.7nC I[D ](@25°C) max: 33.0A Operating Temperature max: 175.0°C Budgetary Price €/1k: 0.63

IRFP4868

数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管

描述: 300V Single N-Channel StrongIRFET™ Power MOSFET in a TO-247 package

Mounting: THT P[tot] max: 517.0W V[GS] max: 20.0V Package: TO-247 Polarity: N Q[gd]: 57.0nC R[thJC] max: 0.29K/W T[j] max: 175.0°C V[DS] max: 300.0V R[DS (on)](@10V) max: 32.0mΩ V[GS(th)]: 4.0V Q[G](typ @10V): 180.0nC I[D ](@25°C) max: 70.0A Operating Temperature max: 175.0°C Battery voltage: 144-200 V Budgetary Price €/1k: 2.33

IRFP150N

数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管

描述: 100V Single N-Channel Power MOSFET in a TO-247 package

Mounting: THT Package: TO-247 Polarity: N Q[gd]: 38.7nC T[j] max: 175.0°C V[DS] max: 100.0V P[tot] max: 140.0W R[thJC] max: 1.1K/W V[GS] max: 20.0V R[DS (on)](@10V) max: 36.0mΩ V[GS(th)]: 3.0V Q[G](typ @10V): 73.3nC I[D ](@25°C) max: 42.0A I[D ](@ T[C]=25°C) max: 42.0A Operating Temperature max: 175.0°C Budgetary Price €/1k: 0.63

IPT030N12N3G

数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管

描述: OptiMOS™ power MOSFET 120 V in TOLL package

I[D ](@25°C) max: 237.0A I[D ] max: 237.0A I[Dpuls] max: 948.0A Mounting: SMT P[tot] max: 375.0W Package: TOLL (HSOF-8) Pin Count: 8.0Pins Polarity: N Q[G](typ @10V): 158.0nC R[DS (on)](@10V) max: 3.0mΩ R[DS (on)] max: 3.0mΩ V[DS] max: 120.0V V[GS(th)]: 3.0V Operating Temperature max: 175.0°C Battery voltage: 48-72 V Budgetary Price €/1k: 2.4

IRFB4620

数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管

描述: 200V Single N-Channel StrongIRFET™ Power MOSFET in a TO-220 package

Mounting: THT Polarity: N P[tot] max: 144.0W R[thJC] max: 1.04K/W V[DS] max: 200.0V V[GS] max: 20.0V Package: TO-220 Q[gd]: 7.9nC T[j] max: 175.0°C R[DS (on)](@10V) max: 72.5mΩ V[GS(th)]: 4.0V Q[G](typ @10V): 25.0nC I[D ](@25°C) max: 25.0A Operating Temperature max: 175.0°C Budgetary Price €/1k: 0.78

IRFI540N

数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管

描述: 100V Single N-Channel Power MOSFET in a TO-220 FullPak package

Mounting: THT Polarity: N Q[gd]: 28.7nC T[j] max: 175.0°C V[DS] max: 100.0V P[tot] max: 42.0W R[thJC] max: 2.8K/W V[GS] max: 20.0V Package: TO-220 FullPAK R[DS (on)](@10V) max: 52.0mΩ V[GS(th)]: 3.0V Q[G](typ @10V): 62.7nC I[D ](@25°C) max: 20.0A Operating Temperature max: 175.0°C Budgetary Price €/1k: 0.58

IRFP250N

数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管

描述: 200V Single N-Channel Power MOSFET in a TO-247 package

Mounting: THT Package: TO-247 P[tot] max: 214.0W Q[gd]: 38.0nC T[j] max: 175.0°C V[GS] max: 20.0V Polarity: N R[thJC] max: 0.7K/W V[DS] max: 200.0V R[DS (on)](@10V) max: 75.0mΩ V[GS(th)]: 3.0V Q[G](typ @10V): 82.0nC I[D ](@25°C) max: 30.0A Operating Temperature max: 175.0°C Budgetary Price €/1k: 0.73

IRFP260N

数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管

描述: 200V Single N-Channel Power MOSFET in a TO-247 package

Mounting: THT Polarity: N P[tot] max: 300.0W Q[gd]: 73.3nC R[thJC] max: 0.5K/W V[DS] max: 200.0V V[GS] max: 20.0V Package: TO-247 T[j] max: 175.0°C R[DS (on)](@10V) max: 40.0mΩ V[GS(th)]: 3.0V Q[G](typ @10V): 156.0nC I[D ](@25°C) max: 50.0A Operating Temperature max: 175.0°C Budgetary Price €/1k: 0.98

IPT059N15N3

数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管

V[DS] max: 150.0V I[Dpuls] max: 620.0A Q[G](typ @10V): 69.0nC R[th]: 0.4K/W R[thJC] max: 0.4K/W R[thJA] max: 62.0K/W P[tot] max: 375.0W Polarity: N C[iss]: 5400.0pF C[oss]: 630.0pF R[DS (on)](@10V) max: 5.9mΩ Package: TOLL (HSOF-8) I[D ](@25°C) max: 155.0A V[GS(th)]: 3.0V Operating Temperature max: 175.0°C Budgetary Price €/1k: 2.09