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NXH40B120MNQ1SNG

制造商: ONSEMI
数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
状态: Active Compliance: Pb A H P Configuration: Three Channel Boost VBR Max (V): 1200 RDS(on) Typ (mΩ): 40 Application: Solar Inverter, Energy Infrastructure Package Type: Q1 MSL Type: NA MSL Temp (°C): 0 ON Target: Y Reference Price: $81.5478

NXH80B120MNQ0SNG

制造商: ONSEMI
数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
状态: Active Compliance: Pb A H P Configuration: Two Channel Boost VBR Max (V): 1200 RDS(on) Typ (mΩ): 80 Application: Solar Inverter, Energy Infrastructure Package Type: Q0 MSL Type: NA MSL Temp (°C): 0 ON Target: Y Reference Price: $47.7349

JANSR2N7626UB


数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
Configuration: Discrete I[D ](@100°C) max: -0.33A I[D ](@25°C) max: -0.53A V[F] max: -5.0V Package: UB Polarity: P V[BRDSS] min: -60.0V QPL Part Number: 2N7626UB TID max: 100.0Krad(Si) ESD Class: Class 0 R[DS (on)](@25°C) max: 1300.0mΩ Generation: R7 Optional TID Rating(kRad(si)): 100 300 Qualification: DLA Q[G]: 3.6nC Die Size: 2 Language: SPICE Voltage Class: 100.0V Product Category: Rad hard MOSFETS

IPT010N08NM5


数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管

描述: Single N-Channel OptiMOS™ 5 power MOSFET 80V 1.05mΩ 425A in a TOLL package

I[D ](@25°C) max: 425.0A I[D ] max: 425.0A I[Dpuls] max: 1700.0A Mounting: SMT P[tot] max: 375.0W Package: TOLL (HSOF-8) Pin Count: 8.0Pins Polarity: N Q[G](typ @10V): 178.0nC Q[G]: 178.0nC R[DS (on)](@10V) max: 1.05mΩ R[DS (on)] max: 1.05mΩ V[DS] max: 80.0V V[GS(th)]: 3.0V Operating Temperature max: 175.0°C Battery voltage: 36-48 V Budgetary Price €/1k: 2.89

IQD005N04NM6SC


数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管

描述: OptiMOS™ power MOSFETs 40 V normal level in PQFN 5x6 Source-Down DSC package with very low RDS(on).

I[D ](@25°C) max: 597.0A Operating Temperature max: 175.0°C Package: PQFN 5x6 Source-Down Polarity: N Q[G](typ @10V): 130.0nC R[DS (on)](@10V) max: 0.49mΩ V[DS] max: 40.0V V[GS(th)]: 2.3V

IQDH29NE2LM5CGSC


数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管

描述: OptiMOS™ power MOSFETs 25 V in PQFN 5x6 Source-Down Center-Gate DSC package with industry-leading RDS(on)

I[D ](@25°C) max: 789.0A Operating Temperature max: 150.0°C Package: PQFN 5x6 Source-Down Polarity: N Q[G](typ @4.5V): 88.0nC Q[G](typ @10V): 191.0nC R[DS (on)](@10V) max: 0.29mΩ R[DS (on)](@4.5V) max: 0.35mΩ V[DS] max: 25.0V V[GS(th)]: 1.6V

IQDH35N03LM5CGSC


数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管

描述: OptiMOS™ power MOSFETs 30 V in PQFN 5x6 Source-Down Center-Gate DSC package with industry-leading RDS(on)

I[D ](@25°C) max: 700.0A Operating Temperature max: 150.0°C Package: PQFN 5x6 Source-Down Polarity: N Q[G](typ @4.5V): 91.0nC Q[G](typ @10V): 197.0nC R[DS (on)](@10V) max: 0.35mΩ R[DS (on)](@4.5V) max: 0.4mΩ V[DS] max: 30.0V V[GS(th)]: 1.6V

IQDH29NE2LM5SC


数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管

描述: OptiMOS™ power MOSFETs 25 V in PQFN 5x6 Source-Down DSC package with industry-leading RDS(on)

I[D ](@25°C) max: 789.0A Operating Temperature max: 150.0°C Package: PQFN 5x6 Source-Down Polarity: N Q[G](typ @4.5V): 88.0nC Q[G](typ @10V): 191.0nC R[DS (on)](@10V) max: 0.29mΩ R[DS (on)](@4.5V) max: 0.35mΩ V[DS] max: 25.0V V[GS(th)]: 1.6V

IQDH35N03LM5SC


数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管

描述: OptiMOS™ power MOSFETs 30 V in PQFN 5x6 Source-Down DSC package with industry-leading RDS(on).

I[D ](@25°C) max: 700.0A Operating Temperature max: 150.0°C Package: PQFN 5x6 Source-Down Polarity: N Q[G](typ @4.5V): 91.0nC Q[G](typ @10V): 197.0nC R[DS (on)](@10V) max: 0.35mΩ R[DS (on)](@4.5V) max: 0.4mΩ V[DS] max: 30.0V V[GS(th)]: 1.6V

IQDH45N04LM6CGSC


数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管

描述: OptiMOS™ power MOSFETs 40 V in PQFN 5x6 Source-Down Center-Gate DSC package with very low RDS(on)

I[D ](@25°C) max: 611.0A Operating Temperature max: 175.0°C Package: PQFN 5x6 Source-Down Polarity: N Q[G](typ @4.5V): 62.0nC Q[G](typ @10V): 129.0nC R[DS (on)](@10V) max: 0.49mΩ R[DS (on)](@4.5V) max: 0.58mΩ V[DS] max: 40.0V V[GS(th)]: 1.6V