BSS123IXTSA1
制造商: INFINEON TECHNOLOGIES分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: 表面贴装型 N 通道 100 V 190mA（Ta） 500mW（Ta） PG-SOT-23-3
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 190mA（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 6 欧姆 @ 190mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 1.8V @ 13µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 0.63 nC @ 10 V
Vgs（最大值）: ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 15 pF @ 50 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 500mW（Ta）
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
等级: -
资质: -
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: PG-SOT-23-3
封装/外壳: TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
BSS123,215
制造商: NEXPERIA USA INC.分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: 表面贴装型 N 通道 100 V 150mA（Ta） 250mW（Ta） TO-236AB
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 150mA（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 6 欧姆 @ 120mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 2.8V @ 1mA
Vgs（最大值）: ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 40 pF @ 25 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 250mW（Ta）
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
等级: -
资质: -
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: TO-236AB
封装/外壳: TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
BSS123L
制造商: ONSEMI数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: 表面贴装型 N 通道 100 V 170mA（Ta） 360mW（Ta） SOT-23-3
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 170mA（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 6 欧姆 @ 170mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 2V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 2.5 nC @ 10 V
Vgs（最大值）: ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 21.5 pF @ 25 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 360mW（Ta）
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
等级: -
资质: -
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: SOT-23-3
封装/外壳: TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
BSS123LT7G
制造商: ONSEMI数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: 表面贴装型 N 通道 100 V 170mA（Tj） 225mW（Ta）
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 170mA（Tj）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 6 欧姆 @ 100mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 2.6V @ 1mA
Vgs（最大值）: ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 20 pF @ 25 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 225mW（Ta）
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
等级: -
资质: -
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: -
封装/外壳: -
BSS123W
制造商: ONSEMI数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: 表面贴装型 N 通道 100 V 170mA（Ta） 200mW（Ta） SOT-323
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 170mA（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 6 欧姆 @ 170mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 2V @ 1mA
Vgs（最大值）: ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 71 pF @ 25 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 200mW（Ta）
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
等级: -
资质: -
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: SOT-323
封装/外壳: SC-70，SOT-323
IAUMN04S7N005GAUMA1
制造商: INFINEON TECHNOLOGIES分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: 表面贴装型 N 通道 40 V 250A（Tj） 240W（Tc） PG-HSOG-4-1
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 40 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 250A（Tj）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 7V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 0.5 毫欧 @ 125A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 3V @ 140µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 185 nC @ 10 V
Vgs（最大值）: ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 12674 pF @ 20 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 240W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ）
等级: 汽车级
资质: AEC-Q101
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: PG-HSOG-4-1
封装/外壳: 4-PowerSFN
SIDR500EP-T1-RE3
制造商: VISHAY SILICONIX数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: 表面贴装型 N 通道 30 V 94A（Ta），421A（Tc） 7.5W（Ta），150W（Tc） PowerPAK® SO-8DC
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 94A（Ta），421A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 0.47 毫欧 @ 20A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 2.2V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 180 nC @ 10 V
Vgs（最大值）: +16V，-12V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 8960 pF @ 15 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 7.5W（Ta），150W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ）
等级: -
资质: -
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: PowerPAK® SO-8DC
封装/外壳: PowerPAK® SO-8
AIMBG75R016M1HXTMA1
制造商: INFINEON TECHNOLOGIES分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: 表面贴装型 N 通道 750 V 98A（Tc） 384W（Tc） PG-TO263-7-12
FET 类型: N 通道
技术: SiCFET（碳化硅）
漏源电压（Vdss）: 750 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 98A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 15V，20V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 15 毫欧 @ 41.5A，20V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 5.6V @ 14.9mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 81 nC @ 18 V
Vgs（最大值）: +25V，-10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 2869 pF @ 500 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 384W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ）
等级: 汽车级
资质: AEC-Q101
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: PG-TO263-7-12
封装/外壳: TO-263-8，D2PAK（7 引线 + 凸片），TO-263CA
PJL9850_R2_00001
制造商: PANJIT INTERNATIONAL INC.分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: MOSFET - 阵列 40V 5.4A（Ta） 1.7W（Ta） 表面贴装型 8-SOP
技术: MOSFET（金属氧化物）
配置: 2 N-通道（双）
FET 功能: -
漏源电压（Vdss）: 40V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 5.4A（Ta）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 32 毫欧 @ 5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 4.4nC @ 4.5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 425pF @ 25V
功率 - 最大值: 1.7W（Ta）
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
供应商器件封装: 8-SOP
AIMCQ120R030M1TXTMA1
制造商: INFINEON TECHNOLOGIES数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: 表面贴装型 N 通道 1200 V 78A（Tc） 417W（Tc） PG-HDSOP-22
FET 类型: N 通道
技术: SiCFET（碳化硅）
漏源电压（Vdss）: 1200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 78A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 18V，20V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 38 毫欧 @ 27A，20V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 5.1V @ 8.6mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 57 nC @ 20 V
Vgs（最大值）: +25V，-10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 1738 pF @ 800 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 417W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ）
等级: 汽车级
资质: AEC-Q101
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: PG-HDSOP-22
封装/外壳: 22-PowerBSOP 模块