STH12N120K5-2
制造商: STMICROELECTRONICS分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: 表面贴装型 N 通道 1200 V 12A（Tc） 250W（Tc） H2PAK-2
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 1200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 12A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 690 毫欧 @ 6A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 5V @ 100µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 44.2 nC @ 10 V
Vgs（最大值）: ±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 1370 pF @ 100 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 250W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
等级: -
资质: -
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: H2PAK-2
封装/外壳: TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
UF4C120070K3S
制造商: ONSEMI数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: 通孔 N 通道 1200 V 27.5A（Tc） 217W（Tc） TO-247-3
FET 类型: N 通道
技术: SiCFET（共源共栅 SiCJFET）
漏源电压（Vdss）: 1200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 27.5A（Tc）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 91 毫欧 @ 20A，12V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 6V @ 10mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 37.8 nC @ 15 V
Vgs（最大值）: ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 1370 pF @ 800 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 217W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ）
等级: -
资质: -
安装类型: 通孔
供应商器件封装: TO-247-3
封装/外壳: TO-247-3
GAN039-650NTBJ
制造商: NEXPERIA USA INC.分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: 表面贴装型 N 通道 650 V 58.5A（Ta） 250W（Ta） CCPAK1212i
FET 类型: N 通道
技术: GaNFET（氮化镓）
漏源电压（Vdss）: 650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 58.5A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 39 毫欧 @ 32A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 4.6V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 26 nC @ 10 V
Vgs（最大值）: ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 1980 pF @ 400 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 250W（Ta）
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
等级: -
资质: -
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: CCPAK1212i
封装/外壳: 12-BESOP（0.370，9.40mm 宽），裸焊盘
IMBG65R020M2HXTMA1
制造商: INFINEON TECHNOLOGIES分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: 表面贴装型 N 通道 650 V 91A（Tc） 326W（Tc） PG-TO263-7-12
FET 类型: N 通道
技术: SiCFET（碳化硅）
漏源电压（Vdss）: 650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 91A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 15V，20V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 24 毫欧 @ 46.9A，18V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 5.6V @ 9.5mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 57 nC @ 18 V
Vgs（最大值）: +23V，-7V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 2038 pF @ 400 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 326W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ）
等级: -
资质: -
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: PG-TO263-7-12
封装/外壳: TO-263-8，D2PAK（7 引线 + 凸片），TO-263CA
IMBG65R015M2HXTMA1
制造商: INFINEON TECHNOLOGIES分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: 表面贴装型 N 通道 650 V 115A（Tc） 416W（Tc） PG-TO263-7-12
FET 类型: N 通道
技术: SiCFET（碳化硅）
漏源电压（Vdss）: 650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 115A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 15V，20V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 18 毫欧 @ 64.2A，18V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 5.6V @ 13mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 79 nC @ 18 V
Vgs（最大值）: +23V，-7V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 2792 pF @ 400 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 416W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ）
等级: -
资质: -
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: PG-TO263-7-12
封装/外壳: TO-263-8，D2PAK（7 引线 + 凸片），TO-263CA
IMDQ75R016M2HXTMA1
制造商: INFINEON TECHNOLOGIES分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: 表面贴装型 N 通道 840 V 103A（Tc） 394W（Tc） PG-HDSOP-22
FET 类型: N 通道
技术: SiCFET（碳化硅）
漏源电压（Vdss）: 840 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 103A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 15V，20V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 14 毫欧 @ 55.8A，20V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 5.6V @ 12.3mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 74 nC @ 18 V
Vgs（最大值）: +23V，-7V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 2577 pF @ 500 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 394W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ）
等级: -
资质: -
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: PG-HDSOP-22
封装/外壳: 22-PowerBSOP 模块
UJ3C120080K3S
制造商: ONSEMI数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: 通孔 N 通道 1200 V 33A（Tc） 254.2W（Tc） TO-247-3
FET 类型: N 通道
技术: SiCFET（共源共栅 SiCJFET）
漏源电压（Vdss）: 1200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 33A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 12V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 100 毫欧 @ 20A，12V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 6V @ 10mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 51 nC @ 15 V
Vgs（最大值）: ±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 1500 pF @ 100 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 254.2W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ）
等级: -
资质: -
安装类型: 通孔
供应商器件封装: TO-247-3
封装/外壳: TO-247-3
IMBG65R010M2HXTMA1
制造商: INFINEON TECHNOLOGIES分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: 表面贴装型 N 通道 650 V 158A（Tc） 535W（Tc） PG-TO263-7-12
FET 类型: N 通道
技术: SiCFET（碳化硅）
漏源电压（Vdss）: 650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 158A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 15V，20V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 9.1 毫欧 @ 92.1A，20V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 5.6V @ 18.7mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 112 nC @ 18 V
Vgs（最大值）: +23V，-7V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 4001 pF @ 400 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 535W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ）
等级: -
资质: -
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: PG-TO263-7-12
封装/外壳: TO-263-8，D2PAK（7 引线 + 凸片），TO-263CA
IXFK24N100Q3
制造商: IXYS分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: 通孔 N 通道 1000 V 24A（Tc） 1000W（Tc） TO-264AA（IXFK）
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 1000 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 24A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 440 毫欧 @ 12A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 6.5V @ 4mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 140 nC @ 10 V
Vgs（最大值）: ±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 7200 pF @ 25 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 1000W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
等级: -
资质: -
安装类型: 通孔
供应商器件封装: TO-264AA（IXFK）
封装/外壳: TO-264-3，TO-264AA
SSM6K781G,LF
制造商: TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: 表面贴装型 N 通道 12 V 7A（Ta） 1.6W（Ta） 6-WCSPC（1.5x1.0）
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 12 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 7A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 1.5V，4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 18 毫欧 @ 1.5A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 1V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 5.4 nC @ 4.5 V
Vgs（最大值）: ±8V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 600 pF @ 6 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 1.6W（Ta）
工作温度: 150°C（TJ）
等级: -
资质: -
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: 6-WCSPC（1.5x1.0）
封装/外壳: 6-UFBGA，WLCSP