状态: 量产中 Compliance: Pb A H P Family: - V(BR)CES Typ (V): 650 IC Max (A): 30 VCE(sat) Typ (V): 1.6 VF Typ (V): 1.5 Eoff Typ (mJ): 0.16 Eon Typ (mJ): 0.786 Trr Typ (ns): 131 Irr Typ (A): - Gate Charge Typ (nC): 56 Short Circuit Withstand (µs): - EAS Typ (mJ): - PD Max (W): 220 Co-Packaged Diode: Yes Package Type: D2PAK-3 / TO-263-2 MSL Type: 1 MSL Temp (°C): 260 ON Target: Yes 参考价格: $2.2571

状态: 已停产 Compliance: Pb A H P Family: - V(BR)CES Typ (V): 1200 IC Max (A): 25 VCE(sat) Typ (V): 1.73 VF Typ (V): 1.43 Eoff Typ (mJ): 0.73 Eon Typ (mJ): 1.94 Trr Typ (ns): 112 Irr Typ (A): ~NA~ Gate Charge Typ (nC): 277 Short Circuit Withstand (µs): 9 EAS Typ (mJ): ~NA~ PD Max (W): 200 Co-Packaged Diode: Yes Package Type: TO-247-3LD MSL Type: NA MSL Temp (°C): 0 ON Target: No 参考价格: Price N/A

状态: 已停产 Compliance: Pb A H P Family: - V(BR)CES Typ (V): 1200 IC Max (A): - VCE(sat) Typ (V): - VF Typ (V): 1.7 Eoff Typ (mJ): 0.6 Eon Typ (mJ): 3 Trr Typ (ns): - Irr Typ (A): 27 Gate Charge Typ (nC): 120 Short Circuit Withstand (µs): - EAS Typ (mJ): - PD Max (W): 186 Co-Packaged Diode: - Package Type: TO-3P-3L MSL Type: NA MSL Temp (°C): 0 ON Target: No 参考价格: Price N/A

状态: 已停产 Compliance: Pb A H P Family: - V(BR)CES Typ (V): 600 IC Max (A): 30 VCE(sat) Typ (V): 1.8 VF Typ (V): 1.6 Eoff Typ (mJ): 0.165 Eon Typ (mJ): 0.96 Trr Typ (ns): 26 Irr Typ (A): - Gate Charge Typ (nC): 37.4 Short Circuit Withstand (µs): - EAS Typ (mJ): - PD Max (W): 176 Co-Packaged Diode: Yes Package Type: TO-3P-3L MSL Type: NA MSL Temp (°C): 0 ON Target: No 参考价格: Price N/A

状态: 量产中 Compliance: Pb A H P Configuration: I-Type VBR Max (V): 1050 Rated Current (A): 429 VCE(sat) Typ (V): 1.6 VF Typ (V): 2.7 Application: Industrial Package Type: PIM57 112.00x62.00x12.00 MSL Type: NA MSL Temp (°C): 0 ON Target: No 参考价格: $182.0754

状态: 已停产 Compliance: Pb A H P Configuration: T-Type NPC Inverter VBR Max (V): 1200 Rated Current (A): 80 VCE(sat) Typ (V): 2.1 VF Typ (V): 2.8 Application: Industrial Package Type: Q0 MSL Type: NA MSL Temp (°C): 0 ON Target: No 参考价格: Price N/A

IGBT 类型: 沟槽型场截止 配置: 全桥 电压 - 集射极击穿（最大值）: 600 V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）: 35 A 功率 - 最大值: 135 W 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）: 2V @ 15V，20A 电流 - 集电极截止（最大值）: 1 mA 不同 Vce 时输入电容 (Cies): 1.1 nF @ 25 V 输入: 标准 NTC 热敏电阻: 是 工作温度: -40°C ~ 150°C 安装类型: 底座安装 封装/外壳: 模块 供应商器件封装: 模块

IGBT 类型: 沟槽型场截止 配置: 三相反相器 电压 - 集射极击穿（最大值）: 600 V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）: 35 A 功率 - 最大值: 135 W 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）: 2V @ 15V，20A 电流 - 集电极截止（最大值）: 1 mA 不同 Vce 时输入电容 (Cies): 1.1 nF @ 25 V 输入: 标准 NTC 热敏电阻: 是 工作温度: -40°C ~ 150°C 安装类型: 底座安装 封装/外壳: 模块 供应商器件封装: 模块

IGBT 类型: 沟槽型场截止 电压 - 集射极击穿（最大值）: 600 V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）: 80 A 电流 - 集电极脉冲 (Icm): 225 A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）: 2V @ 15V，75A 功率 - 最大值: 428 W 开关能量: 4.5mJ 输入类型: 标准 栅极电荷: 470 nC 25°C 时 Td（开/关）值: 33ns/330ns 测试条件: 400V，75A，5 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr): 121 ns 工作温度: -40°C ~ 175°C（TJ） 安装类型: 通孔 封装/外壳: TO-247-3 供应商器件封装: PG-TO247-3-1

状态: Lifetime 相似产品推荐 Compliance: Pb A H P Family: - V(BR)CES Typ (V): 1200 IC Max (A): - VCE(sat) Typ (V): - VF Typ (V): 2 Eoff Typ (mJ): 0.96 Eon Typ (mJ): 4.1 Trr Typ (ns): - Irr Typ (A): 27 Gate Charge Typ (nC): 200 Short Circuit Withstand (µs): - EAS Typ (mJ): - PD Max (W): 312 Co-Packaged Diode: - Package Type: TO-3P-3L MSL Type: NA MSL Temp (°C): 0 ON Target: N Reference Price: $1.931