IMBG65R072M1HXTMA1
制造商: INFINEON TECHNOLOGIES分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: 表面贴装型 N 通道 650 V 33A（Tc） 140W（Tc） PG-TO263-7-12
FET 类型: N 通道
技术: SiCFET（碳化硅）
漏源电压（Vdss）: 650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 33A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 18V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 94 毫欧 @ 13.3A，18V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 5.7V @ 4mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 22 nC @ 18 V
Vgs（最大值）: +23V，-5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 744 pF @ 400 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 140W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ）
等级: -
资质: -
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: PG-TO263-7-12
封装/外壳: TO-263-8，D2PAK（7 引线 + 凸片），TO-263CA
IMW65R072M1HXKSA1
制造商: INFINEON TECHNOLOGIES分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: 通孔 N 通道 650 V 26A（Tc） 96W（Tc） PG-TO247-3-41
FET 类型: N 通道
技术: SiCFET（碳化硅）
漏源电压（Vdss）: 650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 26A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 18V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 94 毫欧 @ 13.3A，18V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 5.7V @ 4mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 22 nC @ 18 V
Vgs（最大值）: +23V，-5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 744 pF @ 400 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 96W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
等级: -
资质: -
安装类型: 通孔
供应商器件封装: PG-TO247-3-41
封装/外壳: TO-247-3
C3M0060065J-TR
制造商: WOLFSPEED, INC.数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: 表面贴装型 N 通道 650 V 36A（Tc） 136W（Tc） TO-263-7
FET 类型: N 通道
技术: SiCFET（碳化硅）
漏源电压（Vdss）: 650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 36A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 15V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 79 毫欧 @ 13.2A，15V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 3.6V @ 5mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 46 nC @ 15 V
Vgs（最大值）: +15V，-4V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 1020 pF @ 600 V
功率耗散（最大值）: 136W（Tc）
工作温度: -40°C ~ 175°C（TJ）
等级: -
资质: -
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: TO-263-7
封装/外壳: TO-263-8，D2PAK（7 引线 + 凸片），TO-263CA
IXFK32N100P
制造商: IXYS数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: 通孔 N 通道 1000 V 32A（Tc） 960W（Tc） TO-264AA（IXFK）
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 1000 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 32A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 320 毫欧 @ 16A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 6.5V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 225 nC @ 10 V
Vgs（最大值）: ±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 14200 pF @ 25 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 960W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
等级: -
资质: -
安装类型: 通孔
供应商器件封装: TO-264AA（IXFK）
封装/外壳: TO-264-3，TO-264AA
IXFK26N120P
制造商: IXYS数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: 通孔 N 通道 1200 V 26A（Tc） 960W（Tc） TO-264AA（IXFK）
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 1200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 26A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 460 毫欧 @ 13A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 6.5V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 225 nC @ 10 V
Vgs（最大值）: ±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 16000 pF @ 25 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 960W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
等级: -
资质: -
安装类型: 通孔
供应商器件封装: TO-264AA（IXFK）
封装/外壳: TO-264-3，TO-264AA
ISA220280C03LMDSXTMA1
制造商: INFINEON TECHNOLOGIES分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: MOSFET - 阵列 30V 6.3A（Ta），8.4A（Tc），6.1A（Ta），8.1A（Tc） 1.4W（Ta），2.5W（Tc） 表面贴装型 PG-DSO-8-920
技术: MOSFET（金属氧化物）
配置: N 和 P 沟道
FET 功能: -
漏源电压（Vdss）: 30V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 6.3A（Ta），8.4A（Tc），6.1A（Ta），8.1A（Tc）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 22 毫欧 @ 8.4A，10V，28 毫欧 @ 8.1A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 2.7V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 13.4nC @ 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 1400pF @ 15V
功率 - 最大值: 1.4W（Ta），2.5W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
等级: -
资质: -
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
供应商器件封装: PG-DSO-8-920
IPD80R4K5P7ATMA1
制造商: INFINEON TECHNOLOGIES分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: 表面贴装型 N 通道 800 V 1.5A（Tc） 13W（Tc） PG-TO252-3
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 800 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 1.5A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 4.5 옴 @ 400mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 3.5V @ 200µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 4 nC @ 10 V
Vgs（最大值）: ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 80 pF @ 500 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 13W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
等级: -
资质: -
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: PG-TO252-3
封装/外壳: TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
HT8KE5HTB1
制造商: ROHM SEMICONDUCTOR数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: MOSFET - 阵列 100V 2.5A（Ta），6.5A（Tc） 2W（Ta），13W（Tc） 表面贴装型 8-HSOP
技术: MOSFET（金属氧化物）
配置: 2 N-通道（双）
FET 功能: -
漏源电压（Vdss）: 100V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 2.5A（Ta），6.5A（Tc）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 210 毫欧 @ 2.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 4V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 3.7nC @ 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 105pF @ 50V
功率 - 最大值: 2W（Ta），13W（Tc）
工作温度: 150°C（TJ）
等级: -
资质: -
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: 8-PowerTDFN
供应商器件封装: 8-HSOP
HT8MC5TB1
制造商: ROHM SEMICONDUCTOR数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: MOSFET - 阵列 60V 3.5A（Ta），10A（Tc），4A（Ta），11.5A（Tc） 2W（Ta），13W（Tc） 表面贴装型 8-HSMT（3.2x3）
技术: MOSFET（金属氧化物）
配置: N 和 P 沟道
FET 功能: -
漏源电压（Vdss）: 60V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 3.5A（Ta），10A（Tc），4A（Ta），11.5A（Tc）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 90 毫欧 @ 3.5A，10V，97 毫欧 @ 4A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 2.5V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 3.1nC @ 10V，17.1nC @ 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 135pF @ 30V
功率 - 最大值: 2W（Ta），13W（Tc）
工作温度: 150°C（TJ）
等级: -
资质: -
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: 8-PowerVDFN
供应商器件封装: 8-HSMT（3.2x3）
HT8MB5TB1
制造商: ROHM SEMICONDUCTOR数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: MOSFET - 阵列 40V 5A（Ta），12A（Tc），6A（Ta），15A（Tc） 2W（Ta），13W（Tc） 表面贴装型 8-HSMT（3.2x3）
技术: MOSFET（金属氧化物）
配置: N 和 P 沟道
FET 功能: -
漏源电压（Vdss）: 40V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 5A（Ta），12A（Tc），6A（Ta），15A（Tc）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 47 毫欧 @ 5A，10V，44 毫欧 @ 6A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 2.5V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 3.5nC @ 10V，16.7nC @ 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 150pF @ 20V
功率 - 最大值: 2W（Ta），13W（Tc）
工作温度: 150°C（TJ）
等级: -
资质: -
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: 8-PowerVDFN
供应商器件封装: 8-HSMT（3.2x3）