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MMBT2222A

制造商: DIOTEC SEMICONDUCTOR
数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 双极型晶体管

描述: 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 NPN 40 V 600 mA 250MHz 250 mW 表面贴装型 SOT-23（TO-236）

晶体管类型: NPN 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）: 600 mA 电压 - 集射极击穿（最大值）: 40 V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）: 1V @ 50mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）: 10nA（ICBO）不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）: 100 @ 150mA，10V 功率 - 最大值: 250 mW 频率 - 跃迁: 250MHz 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）安装类型: 表面贴装型封装/外壳: TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装: SOT-23（TO-236）

MMBT2222ALT1G

制造商: ONSEMI
数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 双极型晶体管

描述: 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 NPN 40 V 600 mA 300MHz 225 mW 表面贴装型 SOT-23-3（TO-236）

晶体管类型: NPN 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）: 600 mA 电压 - 集射极击穿（最大值）: 40 V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）: 1V @ 50mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）: 10nA（ICBO）不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）: 100 @ 150mA，10V 功率 - 最大值: 225 mW 频率 - 跃迁: 300MHz 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）等级: - 资质: - 安装类型: 表面贴装型封装/外壳: TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装: SOT-23-3（TO-236）

MMBT2222A-7-F

制造商: DIODES INCORPORATED
数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 双极型晶体管

描述: 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 NPN 40 V 600 mA 300MHz 310 mW 表面贴装型 SOT-23-3

晶体管类型: NPN 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）: 600 mA 电压 - 集射极击穿（最大值）: 40 V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）: 1V @ 50mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）: 10nA（ICBO）不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）: 100 @ 150mA，10V 功率 - 最大值: 310 mW 频率 - 跃迁: 300MHz 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）等级: - 资质: - 安装类型: 表面贴装型封装/外壳: TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装: SOT-23-3

SMMBT2222ALT1G

制造商: ONSEMI
数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 双极型晶体管

描述: 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 NPN 40 V 600 mA 300MHz 225 mW 表面贴装型 SOT-23-3（TO-236）

晶体管类型: NPN 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）: 600 mA 电压 - 集射极击穿（最大值）: 40 V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）: 1V @ 50mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）: 10nA（ICBO）不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）: 100 @ 150mA，10V 功率 - 最大值: 225 mW 频率 - 跃迁: 300MHz 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）等级: 汽车级资质: AEC-Q101 安装类型: 表面贴装型封装/外壳: TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装: SOT-23-3（TO-236）

MMBT2222ALP4-7B

制造商: DIODES INCORPORATED
数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 双极型晶体管

描述: 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 NPN 40 V 600 mA 300MHz 460 mW 表面贴装型 X2-DFN1006-3

晶体管类型: NPN 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）: 600 mA 电压 - 集射极击穿（最大值）: 40 V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）: 1V @ 50mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）: 10nA（ICBO）不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）: 100 @ 150mA，10V 功率 - 最大值: 460 mW 频率 - 跃迁: 300MHz 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）等级: 汽车级资质: AEC-Q101 安装类型: 表面贴装型封装/外壳: 3-XFDFN 供应商器件封装: X2-DFN1006-3

MMBT2222A-AQ

制造商: DIOTEC SEMICONDUCTOR
数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 双极型晶体管

描述: 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 NPN 40 V 600 mA 250MHz 250 mW 表面贴装型 SOT-23（TO-236）

晶体管类型: NPN 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）: 600 mA 电压 - 集射极击穿（最大值）: 40 V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）: 1V @ 50mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）: 10nA（ICBO）不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）: 100 @ 150mA，10V 功率 - 最大值: 250 mW 频率 - 跃迁: 250MHz 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）等级: 汽车级资质: AEC-Q101 安装类型: 表面贴装型封装/外壳: TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装: SOT-23（TO-236）

MMBT2222AWT3G

制造商: ONSEMI
数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 双极型晶体管

描述: 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 NPN 40 V 600 mA 300MHz 150 mW 表面贴装型 SC-70-3（SOT323）

晶体管类型: NPN 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）: 600 mA 电压 - 集射极击穿（最大值）: 40 V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）: 1V @ 50mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）: - 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）: 100 @ 150mA，10V 功率 - 最大值: 150 mW 频率 - 跃迁: 300MHz 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）安装类型: 表面贴装型封装/外壳: SC-70，SOT-323 供应商器件封装: SC-70-3（SOT323）

MMBT2222ALT3G

制造商: ONSEMI
数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 双极型晶体管

描述: 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 NPN 40 V 600 mA 300MHz 300 mW 表面贴装型 SOT-23-3（TO-236）

晶体管类型: NPN 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）: 600 mA 电压 - 集射极击穿（最大值）: 40 V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）: 1V @ 50mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）: 10nA（ICBO）不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）: 100 @ 150mA，10V 功率 - 最大值: 300 mW 频率 - 跃迁: 300MHz 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）等级: - 资质: - 安装类型: 表面贴装型封装/外壳: TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装: SOT-23-3（TO-236）

MMBT2222ATT3G

制造商: ONSEMI
数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 双极型晶体管

描述: 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 NPN 40 V 600 mA 300MHz 150 mW 表面贴装型 SC-75，SOT-416

晶体管类型: NPN 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）: 600 mA 电压 - 集射极击穿（最大值）: 40 V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）: 1V @ 50mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）: 10nA（ICBO）不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）: 100 @ 150mA，10V 功率 - 最大值: 150 mW 频率 - 跃迁: 300MHz 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）安装类型: 表面贴装型封装/外壳: SC-75，SOT-416 供应商器件封装: SC-75，SOT-416

MMBT2222ATT1G

制造商: ONSEMI
数据:
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 双极型晶体管

描述: 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 NPN 40 V 600 mA 300MHz 150 mW 表面贴装型 SC-75，SOT-416